Hallo, habe eine Frage zu einer pn Diode mit einer Heterostruktur, wobei der p-Bereich stark dotiert ist und der n-Bereich schwach dotiert ist. Für den Fall, dass eine äußere Vorwärtsspannung angeschlossen wird, würde die Verarmungszone sich ja ins n Gebiet ausweiten, da stärker p dotiert. Wäre der Löcherstrom dann größer als der Elektronenstrom oder wären beide Ströme gleich groß? Hoffe jemand kann mir helfen. VG Anna
Bei Spannung in Vorwärtsrichtung wird die Verarmungszone kleiner nicht größer. Ob man einen Elektronenstrom oder Löcherstrom hat hängt davon ab welchen Ort in der Diode man betrachtet. Tief in N Bereich hat man einen Elektronenstrom, tief im P Bereich einen Löcherstrom. In Vorwärtsrichtung treffen sich die beiden und gehen durch Rekombination ineinander über. Wo die Rekombination stattfindet hängt von den Materialien ab - gerade bei einer Heterojunction kann man da nicht so direkt sagen wo die Rekombonation stattfindet. Sich den Stromfluss über die Rekombinaiton als wesentlichen Schritt klar zu machen geht ganz gute, entspricht allerdings nicht der klassischen Erklärungen aus den Lehrbüchern.
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