Gast
#6356858
Hallo, habe eine Frage zu einer pn Diode mit einer Heterostruktur, wobei der p-Bereich stark dotiert ist und der n-Bereich schwach dotiert ist. Für den Fall, dass eine äußere Vorwärtsspannung angeschlossen wird, würde die Verarmungszone sich ja ins n Gebiet ausweiten, da stärker p dotiert. Wäre der Löcherstrom dann größer als der Elektronenstrom oder wären beide Ströme gleich groß? Hoffe jemand kann mir helfen. VG Anna