AVR interner EEPROM Organisation + Schreib-Zugriff

Thema: Pagewrite, max. Schreibzyklen

Nach dem Studium der Datenblätter stellen sich mir einige Fragen zu den
Auswirkungen eines internen EEPROMzugriffs im AVR. Auch in der
Application note AVR101 (high endurance eeprom) wird nichts dazu
gesagt.

Bei externen EEPROMs ist es so, das man explizit eine PAGE löscht und
dann die Page komplett neu schreibt.
Wie erfolgt dies beim AVR? Der Zugriff auf den EEPROM ist über die
Register EEAR und EEDR nur byteweise möglich. Erfolgt nach jedem
einzelnen Byteschreibzugriff ein internes Löschen der jeweiligen Page
oder wie ist dies geregelt?

Der interne EEPROM ist mit 100k Zyklen spezifiziert. Organisation des
EEPROM in 8 Byte Pages. Wenn ich alle Bytes einer Page ändere und
nacheinander neu schreibe, wird dann implizit jedes Byte 8mal
geschrieben und meine mögliche Zyklenzahl sinkt auf 100k/8 = 12,5k oder
bleiben dann trotzdem je Byte 100k Zyklen garantiert?