Hallo,
wieso kann bei NAND-Flash ein einzelner Block deutlich schneller
gelöscht werden als bei NOR-Flash?
Der Aufbau der einzelnen Flash-Zellen ist bei beiden Technologien ja
generell gleich. Wenn somit alle Zellen eines Blocks auf dem selben
Substrat sitzen und die Wordlines/Bitlines gleichzeitig angesteuert
werden, gibt es ja keinen Grund, dass NOR langsamer löscht.
Ein kleiner Geschwindigkeitsnachteil bei NOR könnte durch die
typischerweise größeren Speicherzellen entstehen, dieser Unterschied
sollte aber relativ klein sein.
Die beiden Dokumente (1) und (2) erwähnen ca. 800ms für das Löschen
eines 64kB NOR-Blocks, aber nur ca. 2ms für einen 128kB NAND-Block.
Woher kommt dieser große Geschwindigkeitsunterschied?
Der Artikel unter (3) erwähnt "Erase operations in NAND Flash are
straightforward while in NOR Flash, each byte needs to be written with
'0' before it can be erased. This makes the erase operation for NOR
Flash much slower than for NAND Flash.", aber ohne weitere Details.
Wieso muss eine Speicherzelle bei NOR-Flash zuvor mit '0' beschrieben
werden, bevor man diese löschen kann (und wieso ist dies bei NAND nicht
nötig, die einzelnen Flashzellen besitzen doch die selbe
Floating-Gate-Technologie)?
Wäre toll, wenn mir hier jemand auf die Sprünge helfen könnte.
Vielen Dank,
Thomas
(1)
https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/nor-flash/m29fxxft-fb.pdf
(2)
https://www.micron.com/support/%7E/media/74C3F8B1250D4935898DB7FE79EB56E7.ashx
(3) https://www.embedded.com/flash-101-nand-flash-vs-nor-flash/
