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Gate-Emitterkapazität bei IGBT
Gast
#7342904
Hallo, habe im Datenblatt eines IGBTs die Angabe gefunden, Qg bei (Vge = -8V...15V) wäre 1900nC. Das bedeutet doch aus Q=CU folgend, dass die Gate-Emitterkapazität stolze 126nF beträgt oder? Das erscheint mir extrem viel zu sein...
Gast
#7342916
Du hast da 23V Differenz! Und das Miller-Plateau hast du auch nicht berücksichtigt. Aber ein richtig dicker IGBT wird das schon sein.
Gast
#7342931
...oooh richtig, bei 23V wären es 82nF Es geht auch noch deutlich mehr, siehe https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FZ750R65KE3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=db3a304325afd6e00126461fd3936974 mit 31µC Gateladung. Da braucht man auch richtig fette Treiber, um das anzusteuern. Ist aber typisch für IGBTs, die nehmen mehr Ansteuerleistung als MOSFETs und viel mehr als SiCs. Der Zusammenhang zwischen Ladung und Spannung ist übrigens hochgradig nicht linear, siehe als Beispiel Fig. 6 in https://www.semikron-danfoss.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheet-skm400gb126d-22890635.pdf Im Moment des Schaltens hat man zusätzlich noch den Einfluß der Kapazität zwischen Gate und Kollektor (Miller-Kapazität), da ist die Kapazität fast unendlich groß. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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