Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Gate-Emitterkapazität bei IGBT


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von Kondi (Gast)


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Hallo,

habe im Datenblatt eines IGBTs die Angabe gefunden,

Qg bei (Vge = -8V...15V) wäre 1900nC.

Das bedeutet doch aus Q=CU folgend, dass die Gate-Emitterkapazität 
stolze 126nF beträgt oder?
Das erscheint mir extrem viel zu sein...

: Verschoben durch Moderator
von H. H. (hhinz)


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Du hast da 23V Differenz! Und das Miller-Plateau hast du auch nicht 
berücksichtigt.

Aber ein richtig dicker IGBT wird das schon sein.

von Kondi (Gast)


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...oooh richtig, bei 23V wären es 82nF

von Jörg B. (joergb2)


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Es geht auch noch deutlich mehr, siehe 
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FZ750R65KE3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=db3a304325afd6e00126461fd3936974 
mit 31µC Gateladung. Da braucht man auch richtig fette Treiber, um das 
anzusteuern. Ist aber typisch für IGBTs, die nehmen mehr 
Ansteuerleistung als MOSFETs und viel mehr als SiCs.

Der Zusammenhang zwischen Ladung und Spannung ist übrigens hochgradig 
nicht linear, siehe als Beispiel Fig. 6 in
https://www.semikron-danfoss.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheet-skm400gb126d-22890635.pdf
Im Moment des Schaltens hat man zusätzlich noch den Einfluß der 
Kapazität zwischen Gate und Kollektor (Miller-Kapazität), da ist die 
Kapazität fast unendlich groß.

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