Hallo, habe im Datenblatt eines IGBTs die Angabe gefunden, Qg bei (Vge = -8V...15V) wäre 1900nC. Das bedeutet doch aus Q=CU folgend, dass die Gate-Emitterkapazität stolze 126nF beträgt oder? Das erscheint mir extrem viel zu sein...
:
Verschoben durch Moderator
Du hast da 23V Differenz! Und das Miller-Plateau hast du auch nicht berücksichtigt. Aber ein richtig dicker IGBT wird das schon sein.
Es geht auch noch deutlich mehr, siehe https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FZ750R65KE3-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=db3a304325afd6e00126461fd3936974 mit 31µC Gateladung. Da braucht man auch richtig fette Treiber, um das anzusteuern. Ist aber typisch für IGBTs, die nehmen mehr Ansteuerleistung als MOSFETs und viel mehr als SiCs. Der Zusammenhang zwischen Ladung und Spannung ist übrigens hochgradig nicht linear, siehe als Beispiel Fig. 6 in https://www.semikron-danfoss.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheet-skm400gb126d-22890635.pdf Im Moment des Schaltens hat man zusätzlich noch den Einfluß der Kapazität zwischen Gate und Kollektor (Miller-Kapazität), da ist die Kapazität fast unendlich groß.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.