Hallo ihr Lieben, Ich habe eine LTSpice Simulation mit GaN-HEMT und SiC MOSFET. Nachdem ich das Einbinden und Solverprobleme lösen konnte benötigt die Simulation immer noch ewig viel Zeit. Ich habe schon an vielen Paramtern gespielt, aber immer noch keine schnelle Simulaton erzeugen können. Fall Jemand Lust und Zeit hat, kann er/sie sich mal meine Simulation anschauen und findet eine Optimierung. Ihr würdet mir damit einen riesen Gefallen tun. Vielen Dank mfg
Die Ansteuerung ist bei dir auf falsche Bezugspotenziale!
So auf die Schnelle finde ich dafür keine Lösung. Diese beiden FET-Modelle sehen sehr suspekt aus. Ich würde sie durch normale MOSFETs aus der LTspice-Lib ersetzen. Und sei es nur für die Simulation und der reale Aufbau dann mit deinen Superduber-Chips.
Eventuell sind die Modelle auch für PSPICE gedacht.
Im Prinzip ist das doch nur ein rückwärts arbeitende Vollbrücke, oder?
Die .opt zu mißbrauchen, ist der falsche Weg! Im Allgemeinen läuft LTspice besser wenn parasitäre Element vorhanden sind.
Hat hier aber alles nichts gebracht.
Hallo Abdul, Du hast völlig Recht. Mit einer Masse an Einganssignal und Ausgangssignal sowie einer korrekten Ansteuerung läuft die Simulation. Über das Massekonzept muss ich mir dann sowieso noch Gedanken manchen. Allerdings habe ich zur Konvergenz jetzt folgendes aktiviert: .options gmin=1e-10 .options abstol=1e-10 .options Trtol=7
Vielen Dank bis hier hin, jetzt kommt die Simulation des Treibers rein :D Da kommt bestimmt das nächste Problem. mfg