FET vor zu hoher Gate-Source Spannung schützen

Gast #461643
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Hallo,

ich will einen P-Kanal MOSFET als Schalter betreiben, leider verträgt 
mein FET als Gate-Source Spannung max. 20V.

Ich suche nach einer Schutzbeschaltung die Ugs auf 20V begrenzt, ginge 
dass mit einer Z-Diode parallel (siehe Anhang)?
Angehängte Dateien:
Gast #461764
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Die Z-Diode in "p-mos.png" kann man auch durch einen Widerstand 
ersetzten. Man rechnet Ihn so aus, dass der Spannungsteiler fuer das 
Gate noch eine vertraegliche Spannung ergibt. Damit schaltet der FET 
auch einigermassen schnell ab. Das On/Off Signal wird man ja durch einen 
Open Kollektor/Drain Schalter erzeugen. Beim Abschalten mit wuerde die 
Gate-ladung nur hochohmig entladen.

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