Gast
#477498
Hallo! Ich habe ein Dimensionierungsproblem für einen Transistor. Ich verwende einen IS471F Sensor, der einen Ausgang hat an dem man dirket eine IR-LED anschliessen kann. Doch dieser Ausgang ist ziemlich "schwachbrüstig". Er liefert in der Grössenordnung 50 mA. Vorallem wenn man mehrere LEDs anschliessen will kommt man damit nicht weit. Nun möchte ich das Ganze mit einem Transistor verstärken. Wenn ich nun einen PNP nehme (z.B. BC557c) dann schliesse ich dessen Basis über einen Widerstand an den Ausgang des Sensors. Nun das Problem: Schliesse ich die LEDs mit Vorwiderstand "oberhalb" des Transistors also an Kollektor und dann an die positive Versorgungsspannung oder mache ich die LEDs auf der anderen Seite hin (Zwischen Emitter und GND)? Ich würde sagen an Emitter, damit die Spannung V_BE (Basis-Emitter) bei einem Low-Pegel an der Basis Betragsmässig grösser wird. Ich habe aber einige Schaltungen gesehen die das anders machen. Nun das zweite Problem: Das Verhältnis leuchten/nicht leuchten der LED ist max ca. 10%, das heisst ich könnte der LED viel mehr Strom geben als die zugelassenen einige 10 mA. Einfach so, dass der Durchschnittsstrom nicht über den im Datenblatt angegebenen Wert steigt. Wenn ich nun den Widerstand berechne mit was für einer Spannung V_ce soll ich das machen? Oder kann ich annehmen, dass der Transistor ganz durchschaltet und so keine Spannung über ihm abfällt? Kann ich mehrere Dioden parallel mit je einem Widerstand daran anschliessen? Danke für eure Hilfe Karl