Hallo,
suche eine Möglichkeit ein Steuersignal zu invertieren, dass Problem
liegt darin dass es die Quelle nicht belasten soll und wenn möglich
diskret aufgebaut werden soll.
Also quasi Inverter U1 ersetzen, dachte da an eine Basisschaltung oder
der Gleichen.
ich hatte die Frage auch erst so verstanden, dass links weniger Strom
fließen soll, aber es geht um den Inverter rechts. Ist das tatsächlich
ein Standart-TTL-Inverter?
@alsch
jein ich will den Ausgang sicher auf Masse ziehen, aber die Masse (GND)
ist nicht die gleiche wie die der Gate-Treiber-Beschaltung (GND2), weil
Ugs nicht größer 20V werden darf, ansonsten könnte ich einen einfachen
N-Kanal FET in Verbindung mit dem P-Kanal (Q1) zusammenschalten
Immer diese Ratespielchen und alles aus der Nase ziehen müssen.
Wie wärs denn einfach mal mit Spannungsangaben, um die Raterei zu
beenden.
Und worauf bezieht sich der TTL-IN und der 7404 ?
Und was soll hinter dem 7404 rankommmen ?
Peter
Feadi wrote:
> Das wäre vielleicht mal ein Versuch wert, ist jedenfalls scharfkantiger> als das andere.
Was hast Du denn für ein lahmes Oszilloskop (fmax = 1kHz) ?
Bei riesigen 2kOhm Entladewiderstand für die Gatekapazität hast Du ne
super lahme e-Funktion, die bei ner PWM mit Sicherheit den FET
zerschießt (analog-Betrieb).
Die Komplementärstufe (ohne die Basiswiderstände) nehme ich auch, ist
super steilflankig und der FET bleibt schön kühl.
Peter
leute leute leute...
Die Basis von Q4 wird mit TTL-Pegel (5/0V) angesteuert. Was wird wohl
passieren, wenn die Basis-Emitter-Strecke (pn-Übergang) 5V bekommt...
Das ein FET keine 40V Gate-Source Spannung veträgt, wurde ja erkannt,
allerdings ist die Lösung nach letztem Anhang
gate_ansteuern2-feadis_loesung.png) nicht wirklich gut, wegen
flankensteilheit. Es sollte schein eine Gegentaktschaltung sein. Diese
sollte gleich so konzipiert sein, dass die bereitgestellte Gatespannung
einmal Ub und einmal Ub-Ux ist. Wobei Ux kleiner max. 20V sein sollte...
Dazu gibt es mehrere Schaltungsmöglichkeiten
bleibt die EIngangsspannung dauerhaft über (je nach Schaltungsauslegung
zB15V), dann zB so:
http://www.mikrocontroller.net/attachment/19987/PMOS.PNG
kann die Eingangsspannung auch weiter sinken, dann hat eben genannte
Schaltung Probleme und es könnte zB so gemacht werden:
http://www.mikrocontroller.net/attachment/19963/netzteil.png
(siehe hier nur den Teil der FET-Ansteuerung)
@Peter Dannegger:
> Was hast Du denn für ein lahmes Oszilloskop (fmax = 1kHz) ?
Mein Oszi hat 100 MHz Bandbreite, reicht doch oder?
Eine e Funktion hat man da, das stimmt, aber ich glaube Du unterschätzt
das.
> Die Komplementärstufe (ohne die Basiswiderstände) nehme ich auch, ist> super steilflankig und der FET bleibt schön kühl.
Ich habe mit dieser Art Transistoren zu verschalten sehr schlechte
Erfahrungen gemacht.
Peter, ich würde gerne Deine Meinung zu der Sache im Anhang hören.
Gruß, Feadi
Bei 4 kHz ist meine Schaltung recht steilflankig. Und hat zusätzlich den
Vorteil dass die Spannungsbegrenzung für das Gate schon mit drinn ist.
> Da machst du es einfach nicht richtig...
So kann man das auch ausdrücken. Um ein bischen konkreter zu werden: Ich
hatte mal so eine Schaltung gebaut und habe gemerkt dass sie manchmal
mit ca. 50 MHz schwingt. Da ist die Verwunderung doch beachtlich, oder
nicht? Seit dem meide ich solche Schaltungen.
Gruß, Feadi
@Feadi:
Nicht zwingend. Sowas lag mit ziemlicher Sicherheit an ungeeignetem
Aufbau.
Und ja, bei 4kHz sieht alles steil aus. Ok-ich weiß nicht mit welchen
Frequenzen der Threaderöffner arbeitet. Aber 4kHz ist doch nix, für ein
Schaltnetzteil.(falls es sowas werden soll)
Und falls es eine Motorbrücke wird, mit hohen Strömen, dann freut euch
auf die Umschaltverluste..
Und 300pF als Gatekapazität, das ist für "normale" FET's wie der im
Schaltplan angegeben utopisch. Realistischer ist wohl die Größenordnung
10nF...
Gruß Matthias
> Realistischer ist wohl die Größenordnung 10nF...
Oha... Dann gebe ich mich hiermit geschlagen ;)
Aber im Datenblatt steht doch 300 pF Gatekapazität, warum weicht das
dann in der Praxis so stark ab?
Gruß, Feadi
P.S. acho so, ich nehme zurück dass die PushPullStufe nicht scharfkantig
seie. Das hatte ich mit etwas anderem verwechselt.
Nun, 300pF ist die EIngangskapazität.
Ich rechne, zur Dimensionierung von Ansteuerschaltungen, immer mit der
"total-gate-charge". Da diese Ladung dem Gate zum Durchsteuern zugeführt
werden muss. In den meisten Datenblättern gibt es ein Diagramm wo die
total-gate-charge als Funktion der (End)Gate-Sourcespannung aufgetragen
ist.
Diese Nehme ich immer, multipliziere sie mit der Schaltfrequenz und habe
den mittleren Strom der als Verbraucher in die Dimensioneirung der
Ansteuiersachaltung eingeht.
Im Dblatt des IRF9520 steht zB:
total gate charge: 22nF
bei Ugs = -10V
das ergibt etwa 2,2nF....
Pauschal gilt: Je geringer der RDSon, desto höher notwendige
Gateladung..
Leuchtet ja auch ein...
Anbei mal ein Schaltungsauszug.
T101 ist die Potentialverschiebestufe.
R133 legt die Gatespannung auf etwa 12V fest (bei DVCC = 5V).
Ohne T100/T103 sah die Gatespannung scheußlich aus und der FET fing
schon an zu rauchen.
Die wirksame Kapazität, die man umladen muß, ist die
Gate-Drain-Kapazität multipliziert mit der Spannungsverstärkung. Daher
kommt man auf mehrere nF.
Peter
Matthias wrote:
> T101 & R105 würde ich eher als Stromquelle bezeichnen, will aber nicht> rummaulen...> Sieht sehr gut aus die Schaltung...
Stimmt auch und der Strom erzeugt dann an R133 die Gatespannung.
Man könnte aber auch sagen, es ist ne Basisschaltung.
Alle 3 Transistoren arbeiten im Analogbetrieb (ungesättigt) und sind
daher schön schnell.
Peter
gate_ansteuern.png
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