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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Inverter mit Transistor der Quelle nicht belastet?


Autor: gast (Gast)
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Hallo,

suche eine Möglichkeit ein Steuersignal zu invertieren, dass Problem 
liegt darin dass es die Quelle nicht belasten soll und wenn möglich 
diskret aufgebaut werden soll.
Also quasi Inverter U1 ersetzen, dachte da an eine Basisschaltung oder 
der Gleichen.

Autor: ab-cd (Gast)
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ein BS170 ...ein fetchen mit einem R vor dem Gate in klassischer 
Grundschaltung...bildet einen Inverter,der Dein Signal nicht belastet.

Autor: Christoph Kessler (db1uq) (Gast)
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ich hatte die Frage auch erst so verstanden, dass links weniger Strom 
fließen soll, aber es geht um den Inverter rechts. Ist das tatsächlich 
ein Standart-TTL-Inverter?

Autor: alfsch (Gast)
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sag doch erst, wozu das ganze sein soll...
- der 9520 bekommt zuviel spg am gate
- input ttl? kein widerstd ?

Autor: gast (Gast)
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@christop ne habe den nur mal symbolische rein gemacht

aber Basis geht eh nich, habe dass mit der Kollektroschaltung 
verwechselt

Autor: gast (Gast)
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@alsch

jein ich will den Ausgang sicher auf Masse ziehen, aber die Masse (GND) 
ist nicht die gleiche wie die der Gate-Treiber-Beschaltung (GND2), weil 
Ugs nicht größer 20V werden darf, ansonsten könnte ich einen einfachen 
N-Kanal FET in Verbindung mit dem P-Kanal (Q1) zusammenschalten

Autor: Matthias (Gast)
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Beim Verwenden der Schaltung geht Q1, Q4 und U1 kaputt....

Autor: gast (Gast)
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aber nur wenn GND2 = GND

Autor: Matthias (Gast)
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sonst auch

Autor: Peter Dannegger (peda)
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Immer diese Ratespielchen und alles aus der Nase ziehen müssen.


Wie wärs denn einfach mal mit Spannungsangaben, um die Raterei zu 
beenden.

Und worauf bezieht sich der TTL-IN und der 7404 ?
Und was soll hinter dem 7404 rankommmen ?


Peter

Autor: matthias (Gast)
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Elektronik funktioniert mit Rauch. Ist dieser raus, geht sie (meist) 
nicht mehr.

Autor: Axel R. (axelr) Flattr this
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einfach das Signal an Q4/R5 abgreifen.?

Autor: Feadi (Gast)
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Eine Lösung im Anhang

Autor: Feadi (Gast)
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Für mich sieht es so aus also sollten Q2 & Q3 sicherstellen dass das 
Gate scharfkantig angesteuert wird, erreichen aber genau das Gegenteil.

Autor: Feadi (Gast)
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Das wäre vielleicht mal ein Versuch wert, ist jedenfalls scharfkantiger 
als das andere.

Autor: Peter Dannegger (peda)
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Feadi wrote:
> Das wäre vielleicht mal ein Versuch wert, ist jedenfalls scharfkantiger
> als das andere.

Was hast Du denn für ein lahmes Oszilloskop (fmax = 1kHz) ?

Bei riesigen 2kOhm Entladewiderstand für die Gatekapazität hast Du ne 
super lahme e-Funktion, die bei ner PWM mit Sicherheit den FET 
zerschießt (analog-Betrieb).

Die Komplementärstufe (ohne die Basiswiderstände) nehme ich auch, ist 
super steilflankig und der FET bleibt schön kühl.


Peter

Autor: Matthias (Gast)
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leute leute leute...

Die Basis von Q4 wird mit TTL-Pegel (5/0V) angesteuert.  Was wird wohl 
passieren, wenn die Basis-Emitter-Strecke (pn-Übergang) 5V bekommt...

Das ein FET keine 40V Gate-Source Spannung veträgt, wurde ja erkannt, 
allerdings ist die Lösung nach letztem Anhang 
gate_ansteuern2-feadis_loesung.png) nicht wirklich gut, wegen 
flankensteilheit. Es sollte schein eine Gegentaktschaltung sein. Diese 
sollte gleich so konzipiert sein, dass die bereitgestellte Gatespannung 
einmal Ub und einmal Ub-Ux ist. Wobei Ux kleiner max. 20V sein sollte...
Dazu gibt es mehrere Schaltungsmöglichkeiten

bleibt die EIngangsspannung dauerhaft über (je nach Schaltungsauslegung 
zB15V), dann zB so:
http://www.mikrocontroller.net/attachment/19987/PMOS.PNG

kann die Eingangsspannung auch weiter sinken, dann hat eben genannte 
Schaltung Probleme und es könnte zB so gemacht werden:
http://www.mikrocontroller.net/attachment/19963/netzteil.png
(siehe hier nur den Teil der FET-Ansteuerung)

Autor: Feadi (Gast)
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@Peter Dannegger:

> Was hast Du denn für ein lahmes Oszilloskop (fmax = 1kHz) ?
Mein Oszi hat 100 MHz Bandbreite, reicht doch oder?

Eine e Funktion hat man da, das stimmt, aber ich glaube Du unterschätzt 
das.

> Die Komplementärstufe (ohne die Basiswiderstände) nehme ich auch, ist
> super steilflankig und der FET bleibt schön kühl.

Ich habe mit dieser Art Transistoren zu verschalten sehr schlechte 
Erfahrungen gemacht.

Peter, ich würde gerne Deine Meinung zu der Sache im Anhang hören.

Gruß, Feadi

Autor: Matthias (Gast)
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"Ich habe mit dieser Art Transistoren zu verschalten sehr schlechte
Erfahrungen gemacht."

Da machst du es einfach nicht richtig...

Autor: Feadi (Gast)
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Bei 4 kHz ist meine Schaltung recht steilflankig. Und hat zusätzlich den 
Vorteil dass die Spannungsbegrenzung für das Gate schon mit drinn ist.

> Da machst du es einfach nicht richtig...

So kann man das auch ausdrücken. Um ein bischen konkreter zu werden: Ich 
hatte mal so eine Schaltung gebaut und habe gemerkt dass sie manchmal 
mit ca. 50 MHz schwingt. Da ist die Verwunderung doch beachtlich, oder 
nicht? Seit dem meide ich solche Schaltungen.

Gruß, Feadi

Autor: Matthias (Gast)
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@Feadi:

Nicht zwingend. Sowas lag mit ziemlicher Sicherheit an ungeeignetem 
Aufbau.
Und ja, bei 4kHz sieht alles steil aus. Ok-ich weiß nicht mit welchen 
Frequenzen der Threaderöffner arbeitet. Aber 4kHz ist doch nix, für ein 
Schaltnetzteil.(falls es sowas werden soll)
Und falls es eine Motorbrücke wird, mit hohen Strömen, dann freut euch 
auf die Umschaltverluste..
Und 300pF als Gatekapazität, das ist für "normale" FET's wie der im 
Schaltplan angegeben utopisch. Realistischer ist wohl die Größenordnung 
10nF...

Gruß Matthias

Autor: Feadi (Gast)
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> Realistischer ist wohl die Größenordnung 10nF...

Oha... Dann gebe ich mich hiermit geschlagen ;)

Aber im Datenblatt steht doch 300 pF Gatekapazität, warum weicht das 
dann in der Praxis so stark ab?

Gruß, Feadi

P.S. acho so, ich nehme zurück dass die PushPullStufe nicht scharfkantig 
seie. Das hatte ich mit etwas anderem verwechselt.

Autor: Matthias (Gast)
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Nun, 300pF ist die EIngangskapazität.
Ich rechne, zur Dimensionierung von Ansteuerschaltungen, immer mit der 
"total-gate-charge". Da diese Ladung dem Gate zum Durchsteuern zugeführt 
werden muss. In den meisten Datenblättern gibt es ein Diagramm wo die 
total-gate-charge als Funktion der (End)Gate-Sourcespannung aufgetragen 
ist.
Diese Nehme ich immer, multipliziere sie mit der Schaltfrequenz und habe 
den mittleren Strom der als Verbraucher in die Dimensioneirung der 
Ansteuiersachaltung eingeht.

Im Dblatt des IRF9520 steht zB:
total gate charge: 22nF
bei Ugs = -10V
das ergibt etwa 2,2nF....
Pauschal gilt: Je geringer der RDSon, desto höher notwendige 
Gateladung..
Leuchtet ja auch ein...

Autor: Arno H. (Gast)
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Hallo Matthias,
Gateladung sind doch bestimmt nC, oder?
Arno

Autor: Matthias (Gast)
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oh.. ja 22nC
Danke

Autor: Peter Dannegger (peda)
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Anbei mal ein Schaltungsauszug.

T101 ist die Potentialverschiebestufe.

R133 legt die Gatespannung auf etwa 12V fest (bei DVCC = 5V).

Ohne T100/T103 sah die Gatespannung scheußlich aus und der FET fing 
schon an zu rauchen.


Die wirksame Kapazität, die man umladen muß, ist die 
Gate-Drain-Kapazität multipliziert mit der Spannungsverstärkung. Daher 
kommt man auf mehrere nF.


Peter

Autor: Matthias (Gast)
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T101 & R105 würde ich eher als Stromquelle bezeichnen, will aber nicht 
rummaulen...
Sieht sehr gut aus die Schaltung...

Autor: Peter Dannegger (peda)
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Matthias wrote:
> T101 & R105 würde ich eher als Stromquelle bezeichnen, will aber nicht
> rummaulen...
> Sieht sehr gut aus die Schaltung...

Stimmt auch und der Strom erzeugt dann an R133 die Gatespannung.

Man könnte aber auch sagen, es ist ne Basisschaltung.

Alle 3 Transistoren arbeiten im Analogbetrieb (ungesättigt) und sind 
daher schön schnell.


Peter

Autor: studi (Gast)
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@matthias wie funktiniert den diese Snubber Beschaltung?, dient um 
kapzitive oder induktive Störungen zu eleminieren oder nicht?

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