2 Transistoren parallel?

[Maxim (Gast)]

Darf man zwei Transistoren parallel schalten? Also B+B C+C E+E

[jack (Gast)]

Das wird doch häufig gemacht (Verstärker, Netzteile).
Allerdings mußt Du dafür sorgen daß jeder den gleichen Strom
erhält, z.B. durch gleiche Emitterwiderstände.

[Gerhard (Gast)]

hi

grundsätzlich nein.
Das Problem ist, dass es kaum 2 absolut gleiche Transistoren gibt. Wenn 
du zwecks Leistungserhöhung  2 Transistoren paralleschaslten möchtest 
braucht jeder Transistor einen eignenen Basisvorwiderstand und in den 
Emitter kommt auch je ein eigener Widerstand. Ist ne Krücke, und bleibt 
eine. Einen dicken Transistor statt 2 dünne einzubauen bleibt die 
bessere Lösung.

Gerhard

[jack (Gast)]

Natürlich für jeden Tr. getrennt. Also nicht E1+E2->R sondern
E1-R und E2-R.

[FRAGENSTELLER (Gast)]

und die transistoren sollten auch beide gleich sein

[jack (Gast)]

Auf die Idee, daß einer zwei verschiedenen Typen nimmt wär ich
garnicht gekommen, aber sicher ist sicher... ;)

[Maxim (Gast)]

Danke, soweit alles klar.

[Jankey (Gast)]

Alternativer Vorschlag:

nimm 2 MOSFETs, da kannst du einige einfach Parallel hängen und die 
Gleichen sich dann selber aus

Weil:
Indem wenn einer Mehr Strom zieht, er dadurch sich selber mehr erhitzt 
(P=I*I*R), durch die stärkere erhitzung wird er selber höherohmiger und 
dadurch Regulieren sich die FET's gewissermasen untereinander.

[Jörg R. (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)]

Hallo Gerhard,

> Das Problem ist, dass es kaum 2 absolut gleiche Transistoren gibt. Wenn
> du zwecks Leistungserhöhung  2 Transistoren paralleschaslten möchtest
> braucht jeder Transistor einen eignenen Basisvorwiderstand und in den
> Emitter kommt auch je ein eigener Widerstand.

Widerstände in Basis UND Emitter einzufügen, macht nicht so viel Sinn. 
Am häufigsten, weil am wirksamsten, werden Emitterwiderstände für die 
gleichmäßige Stromverteilung verwendet. Da kann man notfalls auch mit 
Exemplaren unterschiedlicher Chargen oder sogar Hersteller arbeiten. 
Nachteil der Emitterwiderstände ist ein zusätzlicher Spannungsverlust 
von einigen 100 mV im Lastkreis. Alternativ kann man mit 
Basiswiderständen arbeiten, um die Basisströme gleichmäßig aufzuteilen. 
Das bringt bei Darlington-Schaltung aber nicht mehr als kleinere 
Widerstände und hat den Nachteil, dass die Transistoren nach 
Stromverstärkung selektiert werden müssen.
Wichtigste Maßnahme bei Parallelschaltung ist aber immer noch eine sehr 
gute thermische Kopplung auf dem gemeinsamen Kühlkörper. Dann können die 
Emitterwiderstände etwas kleiner ausfallen.

Jörg

[Jörg R. (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)]

@ Jankey:

> Indem wenn einer Mehr Strom zieht, er dadurch sich selber mehr erhitzt
> (P=I*I*R), durch die stärkere erhitzung wird er selber höherohmiger und
> dadurch Regulieren sich die FET's gewissermasen untereinander.

Das ist zwar im Prinzip richtig, gilt aber nur für den RDSon. Bei voll 
durchgeschaltetem FET bewirkt der positive Temperaturkoeffizient des 
RDSon eine Gleichverteilung der Drainströme parallelgeschalteter 
MOSFETs. Im Linearbetrieb funktioniert das leider nicht so gut, da auch 
der Drainstrom im Sättigungsbetrieb einen positiven TK hat. Wegen ihrer 
relativ geringen Übertragungssteilheit kann man MOSFETs auch im 
Linearbetrieb parallelschalten. Um eine einigermaßen gleichmäßige 
Stromverteilung zu erreichen, muß man aber einiges beachten:
1. Gute thermische Kopplung
2. Möglichst Exemplare aus einer Charge verwenden
3. Gesamtleistung der Transistoren reichlich überdimensionieren, damit 
auch die am höchsten belasteten Exemplare noch im grünen Bereich liegen.

Jörg