Gast
#484934
Darf man zwei Transistoren parallel schalten? Also B+B C+C E+E
Gast
#484940
Das wird doch häufig gemacht (Verstärker, Netzteile). Allerdings mußt Du dafür sorgen daß jeder den gleichen Strom erhält, z.B. durch gleiche Emitterwiderstände.
Gast
#484944
hi grundsätzlich nein. Das Problem ist, dass es kaum 2 absolut gleiche Transistoren gibt. Wenn du zwecks Leistungserhöhung 2 Transistoren paralleschaslten möchtest braucht jeder Transistor einen eignenen Basisvorwiderstand und in den Emitter kommt auch je ein eigener Widerstand. Ist ne Krücke, und bleibt eine. Einen dicken Transistor statt 2 dünne einzubauen bleibt die bessere Lösung. Gerhard
Gast
#484946
Natürlich für jeden Tr. getrennt. Also nicht E1+E2->R sondern E1-R und E2-R.
Gast
#484947
und die transistoren sollten auch beide gleich sein
Gast
#484953
Auf die Idee, daß einer zwei verschiedenen Typen nimmt wär ich garnicht gekommen, aber sicher ist sicher... ;)
Gast
#484967
Danke, soweit alles klar.
Gast
#485203
Alternativer Vorschlag: nimm 2 MOSFETs, da kannst du einige einfach Parallel hängen und die Gleichen sich dann selber aus Weil: Indem wenn einer Mehr Strom zieht, er dadurch sich selber mehr erhitzt (P=I*I*R), durch die stärkere erhitzung wird er selber höherohmiger und dadurch Regulieren sich die FET's gewissermasen untereinander.
Hallo Gerhard, > Das Problem ist, dass es kaum 2 absolut gleiche Transistoren gibt. Wenn > du zwecks Leistungserhöhung 2 Transistoren paralleschaslten möchtest > braucht jeder Transistor einen eignenen Basisvorwiderstand und in den > Emitter kommt auch je ein eigener Widerstand. Widerstände in Basis UND Emitter einzufügen, macht nicht so viel Sinn. Am häufigsten, weil am wirksamsten, werden Emitterwiderstände für die gleichmäßige Stromverteilung verwendet. Da kann man notfalls auch mit Exemplaren unterschiedlicher Chargen oder sogar Hersteller arbeiten. Nachteil der Emitterwiderstände ist ein zusätzlicher Spannungsverlust von einigen 100 mV im Lastkreis. Alternativ kann man mit Basiswiderständen arbeiten, um die Basisströme gleichmäßig aufzuteilen. Das bringt bei Darlington-Schaltung aber nicht mehr als kleinere Widerstände und hat den Nachteil, dass die Transistoren nach Stromverstärkung selektiert werden müssen. Wichtigste Maßnahme bei Parallelschaltung ist aber immer noch eine sehr gute thermische Kopplung auf dem gemeinsamen Kühlkörper. Dann können die Emitterwiderstände etwas kleiner ausfallen. Jörg
@ Jankey: > Indem wenn einer Mehr Strom zieht, er dadurch sich selber mehr erhitzt > (P=I*I*R), durch die stärkere erhitzung wird er selber höherohmiger und > dadurch Regulieren sich die FET's gewissermasen untereinander. Das ist zwar im Prinzip richtig, gilt aber nur für den RDSon. Bei voll durchgeschaltetem FET bewirkt der positive Temperaturkoeffizient des RDSon eine Gleichverteilung der Drainströme parallelgeschalteter MOSFETs. Im Linearbetrieb funktioniert das leider nicht so gut, da auch der Drainstrom im Sättigungsbetrieb einen positiven TK hat. Wegen ihrer relativ geringen Übertragungssteilheit kann man MOSFETs auch im Linearbetrieb parallelschalten. Um eine einigermaßen gleichmäßige Stromverteilung zu erreichen, muß man aber einiges beachten: 1. Gute thermische Kopplung 2. Möglichst Exemplare aus einer Charge verwenden 3. Gesamtleistung der Transistoren reichlich überdimensionieren, damit auch die am höchsten belasteten Exemplare noch im grünen Bereich liegen. Jörg
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