Hallo, Im Datenblatt zum IRF 630 gibt es drei Kapazitätswerte: Ciss Coss und Crss. Ich möchter gerne mal wissen, wo diese Kapazitäten auftreten. Und was viel wichtiger ist: Welche Kapazität muss am Gate (mit Ugs) geladen werden, damit ein N-Kanal-MOSFET durchschaltet. Sorry für die verkorkste Frage! LM
Hi, LM, Eingangs- und Ausgangskapazität in Source-Schaltung bereiten allgemein weniger Probleme als die Rückwirkungskapazität von Drain auf Gate. Insbesondere beim Schalttransistor. Du meinst, Dein Treiber schickt Ladung in das Gate und hebt es über die Schwellspannung, und schon sinkt die Drainspannung, saugt Dir Ladung vom Gate durch die Drain-Gate-Kapazität Crss, und Dein Power-FET stirbt den Hitzetod. Deshalb muß der Treiber Ampere liefern und aufnehmen. Ciao Wolfgang Horn
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.