Gatekapazität (FET)

Gast #485494 
Hallo,

Im Datenblatt zum IRF 630 gibt es drei Kapazitätswerte:
Ciss
Coss und
Crss.

Ich möchter gerne mal wissen, wo diese Kapazitäten auftreten.

Und was viel wichtiger ist: Welche Kapazität muss am Gate (mit Ugs) 
geladen werden, damit ein N-Kanal-MOSFET durchschaltet.

Sorry für die verkorkste Frage!

LM
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Gast 
Hi, LM,

Eingangs- und Ausgangskapazität in Source-Schaltung bereiten allgemein 
weniger Probleme als die Rückwirkungskapazität von Drain auf Gate.

Insbesondere beim Schalttransistor. Du meinst, Dein Treiber schickt 
Ladung in das Gate und hebt es über die Schwellspannung, und schon sinkt 
die Drainspannung, saugt Dir Ladung vom Gate durch die 
Drain-Gate-Kapazität Crss, und Dein Power-FET stirbt den Hitzetod.

Deshalb muß der Treiber Ampere liefern und aufnehmen.


Ciao
Wolfgang Horn
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