Problem mit MOSFET...

[Christoph S. (mcseven)]

Hi *,

ich hab eine kleine Schwierigkeit mit N-Channel Enhancement-Transistoren 
(IRLML2502, BSS123). Meine Schaltung ist:

+12.0 vcc ----+
       |      | Drain
       +---- FET
         Gate | Source
              +------- Last ----- GND

Wenn ich das Potential zwischen FET und Last (10kOhm) messe, komme ich
auf ca. 3,4V; wenn ich die Last entferne und Source floaten lasse,
bekomme ich 3,8V. Kann mir jemand erklären, warum ich nicht die vollen 
12V bekomme (R[ds] = 0.045 Ohm, wenn durchgeschaltet laut Db)?

Danke,
Christoph

[Lupin (Gast)]

du hast doch keine 12V gate-source spannung. Eher sowas um die 0 Volt :)

Stell dir mal vor der schaltet durch, dann liegt doch an source 12V an 
und am gate auch. also eine Gate-source spannung von fast 0 Volt.

Deshalb setzt man source direkt auf GND, dann hast du immer deine 12V 
G-S. Am Drain kommt dann die Last (deswegen heißt der Anschluss ja auch 
drain).

... so denk ich mir das zumindest

[Klaus Falser (Gast)]

Weil der FET nicht durchgeschaltet ist.
Der FET braucht eine positive Spannung zwischen Gate und Source. Gate 
hängt aber an 12 V. Wäre der FET durchgeschalten und auch auf ca. 12 V, 
dann bleibt aber keine Spannung zwischen Gate und Source.

Nimm einen P-Kanal, Source an 12 V, Drain an Last und Gate nach ca. 7 V 
(nicht  auf GND, sonst wird er wahrscheinlich kaputt, siehe Datenblatt).

Klaus

[Klaus Falser (Gast)]

Lupin war schneller, aber eine Gate-Source Spannung von 12 V macht den 
FET wahrscheinlich kaputt.

[Lupin (Gast)]

Vielleicht kannst du ja 5 Volt schalten wenn du 12V G-S spannung hast?

[Markus L. (markus147)]

Hallo Christoph,
im Anhang findest du eine Lösung für die Ansteuerung. Das Gate bei einem 
N-Kanal muss immer in Bezug auf Source angesteuert werden. Wenn du auf 
die zweite Spannungsquelle verzichten möchtest und deine Anwendung keine 
hohen Schaltfrequenzen benötigt, kann dir ein High-Side Schalter der BTS 
Serie von Infineon helfen. Alle Infos dazu findest du auf 
www.infineon.com.
Viel Erfolg.
Markus

[Christoph S. (mcseven)]

Hi,

vielen Dank für Eure Anregungen... Markus, ich find grad den Anhang 
nicht, könntest Du den nochmal posten?
Und könnte ich nicht einfach einen p-channel depletion FET nehmen?

Danke nochmal,
Christoph

[Mike (Gast)]

@  Christoph Söllner

Ein P-Kanal-Mosfet hat meist nicht so die Power, aber ja das geht.

Ist dann halt nur anders rum, da wo dein N-Drain ist, ist P-Source, wo 
dein N-Source ist, da ist P-Drain und das Gate bleibt da.

@  Klaus Falser
Ein N-Kanal-Mosfet verträgt meist 20 bis 25 Volt.

lg

[Markus L. (markus147)]

Hallo Christoph,

kein Problem. Ich hoffe, dass die pdf Datei nun geladen wird.
Wenn du noch Support brauchst, dann schreib einfach.

Markus