Gast
#522349
Hallo, Was passiert eigentlich wenn ein Transistor nicht genug Basisstrom ziehen kann (aufgrund eines entsprechenden Basiswiederstandes) um Ice sauber zu schalten?
Gast
#522353
Schwer zu verallgemeinern, ohne die Randbedingungen zu kennen. Klar ist: Uce steigt an. Der Rest ergibt sich aus P=U*I. Wird ihm dabei zu warm, löst sich das Problem und er leitet endlich wieder ganz (und endgültig).
Bei Analogschaltungen wird der entsprechende Analogwert ausgegeben. Bei Digitalschaltungen bedeutet das in der Regel den Hitzetot. Peter
@tim: > Was passiert eigentlich wenn ein Transistor nicht genug Basisstrom > ziehen kann (aufgrund eines entsprechenden Basiswiederstandes) um Ice > sauber zu schalten? Der Transistor geht dann in die Sättigung, d.h., er arbeitet als Konstantstromquelle (Ic=ß*Ib). An dem Lastwiderstand RL stellt sich dann eine Spannung U=Ic*RL ein. Jörg
Gast
#522672
Sättigung bedeutet, soweit mir bekannt, dass ein Transistor voll durchgesteuert ist. http://de.wikipedia.org/wiki/S%C3%A4ttigung_%28Elektronik%29
@Winfried: > Sättigung bedeutet, soweit mir bekannt, dass ein Transistor voll > durchgesteuert ist. Das ist wohl eine gängige Betrachtungsweise. Oft wird aber auch das Verhalten eines Transistors im Ausgangskennlinienfeld als Sättigung bezeichnet, wenn der Kollektorstrom bei weiterem Anstieg von UCE nicht weiter ansteigt. Mag aber sein, dass das eher bei FETs üblich ist. Jörg > http://de.wikipedia.org/wiki/S%C3%A4ttigung_%28Elektronik%29
Gast
#522965
>Mag aber sein, dass das eher bei FETs üblich ist.
Ja, so hab ich das zumindest mal gelernt. Sättigungsbereich beim
Bipoloar-Transistor bedeutet, dass die Basis mit Ladungsträgern
überschwemmt ist, also voll durchgesteuert. Was ganz anderes bedeutet
der Sättigungsbereich beim FET, nämlich die Unabhängigkeit des
Drainstroms von der Drain-Source-Spannung. Um solche Missverständnisse
zu vermeiden wird der Sätt.ber. beim FET im Tietze/Schenk
Abschnürbereich genannt.
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