(Verständnis) Problem: MOSFET

>Muss ich das Gate etwa erst mit negativer
>Spannung ansteuern??

Es reicht, das Gate zu entladen (mit Widerstand, z.B.).

Okay, aber warum hat der Kanal im gesperrten Zustand nur 1k?

Wenn die Gate-Source-Spannung (UGS) 0 V ist, sollte  der Drain-Source-
Widerstand sehr hoch sein (höher als das, was man mit einem Standard-
multimeter messen kann). Wenn du statt dessen nur 1 kOhm misst, hat
das evtl. einen der folgenden Gründe:

- UGS ist doch nicht 0, weil bspw. das Gate offen liegt. Gute
  0-V-Quellen sind Drahtstücke oder nicht allzu große Widerstände :-).
  Wie sieht das Ergebnis der Messung also aus, während Gate mit Source
  über einen Widerstand oder Draht verbunden ist?

- Du hast Drain mit Source verwechselt. Schließst du dein Ohmmeter
  falsch herum an (Plus and Source), kann der Messstrom über die
  Substratdiode des Mosfets fließen, was dann je nach Messspannung des
  Ohmmeters einen mehr oder weniger großen Widerstand ergibt. Wirklich
  sperren tut der Mosfet nur Ströme von Drain nach Source.

- der Mosfet hinüber ist.

Also nachdem ich seit 10 Jahren mit dem BS170 arbeite kann ich ein 
"wenig" infors drüber geben.

Stand der Technik = 1Mohm zwischen Gate & Source, du hast eine Gate 
Kapaztät von ca. 10~30pF ( auch wenn im daten blatt ein wenig was 
anderes für Typical steht ). einige schenken ihm auch noch einen 10 ~ 
100 Ohm vorwiderstand, den spar ich mir recht gerne, mit R*C kannst dir 
das TAU austechnen um die Anstiegszeit zu ermitteln, Messungen am BS170 
mit dem Multimeter bringen genau garnix, sobald du mit dem Multimeter am 
Gate die Spannung messen willst wirst du nichts bis eine schnelle E 
Potent gegen 0 sehen weil das gate sich so schnell entlädt, du kannst 
des BS170 übrigens auch als "Taster" verwenden da der Hochohmische 
Widerstand der Finger zum Durchschalten reicht. Drain Source Messungen 
mit dem Multimeter in der hand hat etwas von einem Russischen Roulette, 
je nach aufladung kann es sein das er aufmacht, zumacht oder irgendwo in 
der Mitte hängenbleibt.

Der BS170 ist Gate Seitig sehr empflindlich gegen Statische entladung 
weil er ein VMOS Fet ist, dh.: um die Gate Fläche zu erhöhen hat er in 
der OxidWanne ein "V" drinnen.