Hi zusammen ! Mein Problem bis vor kurzen war das ich Relais direkt von einem µc aus steuern wollte ... Nach einigen Recherchen habe ich herausgefunden das das nicht so einfach möglich ist. So weit so gut ... nun will ich eine kleine simple Schalten an den Ausgang hängen: Ein MOSFET BS170 (bei CONRAD zu finden) soll das Relais schalten. Zwischen GATE und SOURCE habe ich gehöhrt soll man einen 470kOhm Widerstand schalten um einen definierten "Off-Zustand" oder so zu bekommen, dann noch eine Sperrdiode parall zur Spule und FERTIG! Nun habe ich leider keine Ahnung von MOSFET´S. Ich bitte euch mir das im Anhang gezeigt Schema eines MOSFET´S BS170 zu erläutern. In euren Informationen sollte wenn möglich Grundlegendes vorhanden sein (also wo lege ich eine Spannung an um zu schalten, und vor allem was wird geschalten ?), was diese Diode zwischen "S" und "D" soll und was dieser "Off-Zustand" ist bzw. ob man den Widerstand überhaupt unbedingt braucht. DANKE AN ALLE bereits im Voraus !!!
S (Source) kommt, weil das ein N-Mosfet ist an Masse. An G (Gate) schließt du den Ausgang des uC an. Wenn an G ein High-Potential angelegt wird, dann wird die Drain-Source Strecke niederohmig, d.h. es kann Strom von D nach S fließen. Die Diode ist die sogenannte Body-Diode, die bei der Herstellung des MOSFETs entsteht. Sie ist im MOSFET drin. Allerdings solltest du beachten, dass der BS170 erst bei ca. 10V am Gate komplett durchschaltet, die 5V des uC werden dafür nicht reichen. Für ein Relais (sofern das nicht mehr als vlielliecht 200mA zieht) sollte es laut einem Blick auf das Datenblatt aber reichen. ^ Relais-Versorgung | .----* | | --- .-. Relais / \ '-' --- | | | '----* | D ||-' uC G ||<- o-----'|-* | S --- Tipp: Für kleine Ströme, wie in diesem Fall, und wenn keine Steuerspannung für das Gate, die groß genug ist zur Verfügung steht, bist du mit einem Bipolar Transistor (z.B. BC337) meist besser beraten. Zu diesem Thema gibts auch zig Foreneinträge. Wiesi
BS170/2N7000/2N7002 sind auch bei 5V geeignet, um ein Relais sicher zu schalten (max. 200mA). Der RDSon wird zwar mit höherer Spannung noch kleiner, aber dies ist bei den geringen Strömen nicht von großer Bedeutung. Einen Widerstand (hochohmig) zwischen Gate und Source sollte man machen, wenn es Zustände gibt, wo das Gate offen ist. (z.B. Microkontroller gesockelt) Die Mosfets gehen bei offenen Gate schnell kaputt, Berührung kann schon ausreichen.
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