Masking und Banks bei SDRAM

[Patrick (Gast)]

Hallo,

ich beschäftige mich gerade mit SDRAMs. Mit den Signalen DQM, LDQM wird 
das Masking der In/Out Pins durchgeführt. dies ermöglicht das gezielte 
Sperren der Datensignale während eines Bursts für einen Teil der IO-Pins 
- was bedeutet das?

Und ein SDRAM ist intern in Banks unterteilt - z.B. 4 Stück... dadurch 
kann ich nacheinander 4 zeilen anwählen, diese bereits laden und ohne 
große zeitliche verzögerung nacheinander direkt rauslesen oder 
beschreiben?

Patrick

[Christoph db1uq K. (christoph_kessler)]

http://www.micron.com/support/designsupport/documents/technotes
da hats mehrere Applikationsschriften zu SDRams

Komisch, dass plötzlich alle sich mit SDRAM befassen...
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