Masking und Banks bei SDRAM

Gast #635139
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Hallo,

ich beschäftige mich gerade mit SDRAMs. Mit den Signalen DQM, LDQM wird 
das Masking der In/Out Pins durchgeführt. dies ermöglicht das gezielte 
Sperren der Datensignale während eines Bursts für einen Teil der IO-Pins 
- was bedeutet das?

Und ein SDRAM ist intern in Banks unterteilt - z.B. 4 Stück... dadurch 
kann ich nacheinander 4 zeilen anwählen, diese bereits laden und ohne 
große zeitliche verzögerung nacheinander direkt rauslesen oder 
beschreiben?

Patrick

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