stromfluss zwischen µC und speicher

Gast #635779
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Hallo,

welcher wert gibt mir an, wieviel strom über die einzelnen Leitungen 
(Datenbus, Adressbus und RAS, CAS Leitungen vom µC an diesen Speicher 
maximal fließen können? Bzw. wie stark wird mein µC durch so einen 
Speicher strom-mäßig belastet?

bei dem speicher handelt es sich um einen sdram-baustein.

Bernd
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Gast #635786
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warum werden dann bei manchen applikationen bustreiber vor 
speicher-bausteine geschaltet? Obwohl die Leitungen auch so kurz sind 
(2-3cm) dass auch die Kapazität auf der Leiterbahn eigentlich noch nicht 
so eine rolle spielen kann.

Bernd
Gast #635801
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d.h. bei z.B. 66MHz und 9pF Lastkapazität ergibt sich ein Widerstand von 
ca. 270 Ohm pro Leitung... bei 30 Leitungen ungefähr (ganz grob)
ist man bei ca. 8kOhm

und wie rechnet man das beim µC um? µC hat 10pF pro Pin Lastkapazität 
--> ist ein höherer Blindwiderstand --> braucht man dann keinen 
Bustreiber?

Bernd
Gast #635802
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wenn an einem Bus mehrere ICs dranhängen muss man die Blindwiderstände 
addieren --> man braucht doch eigentlich so gut wie immer einen 
Bustreiber, da ein Display, ein Flash, ein SRAM mit vielleicht jeweils 
10pF + Kapazität der Leiterbahnen dranhängen...


Ein Bustreiber an sich hat aber auch eine Lastkapazität z.B. von 7.5pF 
pro Eingangspin -> da würde man nicht soviel gewinnen, wenn es ansonsten 
9pF sind.

Hans
Gast #635817
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@H.W.

stimmt natürlcih... d.h. aber im umkehrschluss, dass der Blindwiderstand 
vom µC stets größer sein sollte, als von den ICs die angeschlossen sind 
über den Datenbus?

D.h. aber auch das ein Bustreiber mit einem kleineren C-Wert eine 
größeren Blindwiderstand aufweist. Versteh noch nicht ganz warum dass 
dann besser ist?

Bernd
Gast #635863
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je höher die LAstkapazität (braucht man gar keinen widerstandswert 
ausrechnen) verlangsamt das system - die risetime

mit welchem Widerstand muss man die lastkapazität multiplizieren, damit 
man die verzögerung herausbekommt?

ist das die spannuing vcc oder spannugn bei low output?

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