Mos Fet oder doch Bip Transistor

einsteiger Gast #655520 
Hallo,

ich bin totaler Elektronik Newbee, deswegen eine vielleicht dumme Frage:

Es soll einer ohmscher Verbraucher über einen µ Controller Ausgang 
geschaltet werden (PWM). Es wird ein Laststrom im Bereich von 1...2A 
angepeilt.
Das Gerät wird von einem Akku versorgt.

Ist es nun sinvoller einen Mos Fet oder einen bip. Transistor 
einzusetzen?

Reicht beim normalen Transistor etwa der Stromverstärkungsfaktor nicht, 
so dass man eine weitere Stufe davor schalten muss?

Ein Mos Fet hat ja wohl keinen Stromverstärkungsfaktor und schaltet 
(fast) Stromlos. Liegt also hier der Vorteil, dass die Beschaltung sehr 
minimal gehalten werden kann?

Ich danke euch schon mal für eure Antworten!

Liebe Grüße
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Gabriel Gast #655523 
grundsätzlich geht beides, je nachdem was für einer...
schlussendlich macht es sinn den zu verwenden, welcher billiger ist... 
so einfach ist das...
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Horst Gschwandtner Gast #655530 
Hängt von der PWM Frequenz ab, wenn die niedrig ist dann kannst Du 
problemlos einen BD651 o.ä. verwenden (beta=750). Sonst eher Mosfet, die 
Ansteuerung ist aber nicht so trivial wie oft vermutet wird, es gibt 
ganze Bücher die sich nur diesem Thema widmen. Grund = Gatekapaziäten 
und Rückwirkung auf das Gate. Gut geeignet sind 
Komplementäremitterfolger o.ä, etwa auch ein 4049 wenn Du zwei bis drei 
Gatter parallel schaltest.
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Horst Gschwandtner Gast #655531 
> grundsätzlich geht beides, je nachdem was für einer...
> schlussendlich macht es sinn den zu verwenden, welcher billiger ist...
> so einfach ist das...

nicht wirklich ein Argument, denn sonst wäre teure Mosfets nicht am 
Markt. Eher wichtig sind Verlustleistung und Schaltzeiten (meiner 
Meinung nach).
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einsteiger Gast #655532 
Ich bin zwar noch nicht schlauer.

Aber danke erst einmal.

Da es sich um ein Batteriebetriebenes Gerät handelt, ist wohl auch 
wichtig, was am elektronische Schalter "hängen" bleibt.
Zur PWM Frequenz: Die Frequenz soll im 1kHz Bereich liegen.
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Horst Gschwandtner Gast #655536 
Ein typischer Darlington wie der BD649 hat laut DB 2V Vcesat (ist meiner 
Meinung etwas hoch gegriffen aber wird wohl vorkommen wenn es im 
Datenblatt steht), ergibt

P = U*I = 2V * 2A = 4 Watt


ein Mosfet wie z.B. Si4410DY im SO-8 Gehäuse hat Rdson = 0,02 Ohm, 
ergibt

P = I*I*R = 2*2*0,02 = 0,08W  d.h. der wird nicht mal warm


Mein Tipp: Nimm einen Mosfet
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einsteiger Gast #655585 
Bleibt dann Vce sat quasi am Transistor hängen?
Also im o.g. Beispiel 2V.

Bei dem MosFet mit einem Rdson von 0,02 Ohm bleiben dann bei einem Strom 
von 2A nur 0,04V hängen?

Wäre ja ein klares k.o. Kriterium für den Transistor. Gerade bei einem 
Batteriebetriebenem Gerät, wo es wichtig ist eine möglichst hohe 
Spannung am Verbraucher zur Verfügung zu haben (z.B. Taschenlampe).


Liebe Grüße
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einsteiger Gast #655587 
Noch ein Punkt:

Mir geht es nicht darum einfach ein Teil zu verbauen, sondern eher auch 
darum zu wissen warum ich dieses Teil eingesetzt habe.

Danke ;-)
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