Hi! Ich bekomme ein HF Digitalsignal über eine Fiberglasleitung, dessen Frequenz zwischen 1 und 5 GHz liegt. Nun will ich dieses Signal in ein Elektronisches Rechtecksignal umwandeln und damit einen selbstsperenden FET leitend machen, Spannung zwischen Drain und Source sollte nicht höher als 0,6 Volt sein also muss die Gatespannung an meinem im Schaltlan verwendetem FET ca. 10 Volt betragen. Der im Schaltplan verwendete OP arbeitet als nichtinvertierende Komparator. Er gibt also im falle von high ca. +10 V aus, das genügt um die source-drain strecke des 2SK1056 auf ca. 0,6 volt zu begrenzen also ungefähr soviel wie bei der momentanen spulenbeschaltung mit der diode. Wo ich nun meine größten bedenken habe ist die Rise time des OP... 10 Volt bei 5 GHz ist ein starkes wort... Kennt jemand einen FET der bei deutlich geringerer Gatespannung gleiche source-drain Spannung aufweist? Weiß jemand wie eine solche Schaltung wie sie von mir benötigt wird in der Praxis verwiklicht wird? Wird dort überhaupt ein OP verwendet? Wie kann ich die Schaltung schneller machen? Wie gesagt es muss nur eine schaltung sein die mir mit dem optischen signal bei jeder 1 (licht an) einen FET auf mindestens 0,6 Volt D-S durchschaltet. Mit dem was dazwischen ist um dies zu verwiklichen bin ich für jeden Vorschlag offen! Gruß Manu
OP und GHz schliessen sich aus. 10V hub kannste eh vergessen, mit 1V ist schon gut denk ich. Das Ganze soll ein Verstaerker sein ? Komparatoren gibt's bei dieser Frequenz eh nicht mehr, nur noch lineare Verstaerker. Ich seh was mit zwei, drei einzelnen Transistoren.
Schau mal bei Minicircuits. http://www.minicircuits.com/ Dort Amplifier, Surface mount, Monolithisch, listet eine menge Teile. Gewisse Teile der ERA & GALI serie gehen bis 8GHz.
ok, danke für den link! Der 6 GHz amp auf der seite schaut ja schonmal nicht schlecht aus. Aber wie kann ich eigentlich so ein optisches signal in ein elektrisches umwandeln bei einer so hohen frequenz? Gibt ja so vertige "TORX" von toshiba, aber die sind hauptsächlich für audio und gehen glaub ich nur bis ca. 6 MHz. @Zacc 1 Volt ist klar besser, aber gibt es den einen FET der bei 1 Volt schon sauber durchschaltet bzw. eine Drain-Source strecke von maximal 0,6 Volt hat?
Nein, ein FET kann das nicht. Etwas mehr Spannung muss schon sein. Bei diesen Frequenzen macht man vieles anders. zB au den Photoempfaenger. Ein TOSLink ist auch schon weit entfernt. Und eine Photodiode an einen Mikrowellen verstaerker klemmen braucht schon sehr viel Licht. Ich mach das zB wenn ich in einem Puls 10 Watt habe. Wenn man nur mW hat muss man das anders machen. Wieviel optische Leistung hast du denn, gemittelt und peak ? Bei welcher wellenlaenge ?
Oh, tut mir leid, ich kenn mich mit dem Optischen nicht so aus... Was meinst du mit gemittelt und Peak? Ich mache mich mal über die Wellenlänge schlau, aber es sind aufjedenfall NICHT mehrere verschiedene wellenlängen, gibts da sowas wie standart? Wenn nicht über eine Fotodiode und auch nicht über einen Toslink, wie dann? Soviele bauteile gibt es doch nicht die auf licht ansprechen oder? Und wenn ein durchschnittsfet mehr als 1 Volt braucht, ich aber in der Geschwindigkeit nur 1 Volt pulsen kann, wie soll ich das anstellen? Gibts für mein Problem überhaupt ne Lösung? Mir kommts grad vor als ob es unmöglich zu schaffen ist.
Also, wenn das licht von einer laserdiode kommt, so ist die pulsleistung gleich der CW leistung, mehr oder weniger. Ich komme von den modemgelockten lasern her, da hat man eine 10000 fache ueberhoehung aufgrund des duty cycles. Man arbeitet auf alle faelle mit einer photodiode, muss eben auf 1Vpp oder irgendwas verstaerken. Es gibt Schaltungen, die leisten das. Die schwierigkeit ist eine gute Balance zwischen Bandbreite und Impedanz und Versterkung. Die ADN2820 & ADN2821 kennst du ? Das sind 9GHz Transimpedanz Versterker. Beide bei digikey nicht lieferbar. allenfalls als Sample. Weshalb klebst du an diesem Fet, was soll der ? Was ist das Ziel ?
Ich habe einen Schwingkreis, der bei 60 MHz seine Resonazfrequenz hat. Der Schwingkreis muss "abschaltbar sein", dies funktioniert so das ein zweiter schwingkreis mit eingekoppelt wird, und somit die Resonanzfrequenz verschoben wird. Momentan funktioniert das so, das eine Diode mit DC bestromt wird, und somit im leitenden zustand den zweiten Schwingkreis schließt. Die ganze Zeit hat es genügt, wenn der schwingkreis ziemlich langsam vertrimmt wurde, also mit maximal 20 MHz in Resonanz und außer Resonanz von 60 MHz geschalten wurde. Doch nun muss das beträchtlich schneller gehen. Über die Fiberglasleitung bekomme ich das Signal zum vertrimmen der Resonanzfrequenz, und dies mit ca. 500 - 800 MHz, evtl. sogar noch schneller. Nun habe ich mir gedacht ich benutze statt der Diode die ich mit DC bestrome einfach einen FET um den zweiten Schwingkreis einzukoppeln. Aber wenn ein FET 10 Volt Gatespannung braucht um eine Drain Source Spannung von ca. 0,6 Volt zu erreichen wie sie die Diode hat, ist es vielleicht einfacher über einen normalen (ziemlich schnellen) Transistor zu lösen oder? Schau dir doch bitte mal den neuen Schaltplan an und sag mir was du davon hälst. Vor allem welche diode kannst du mir empfehlen?
Wie soll das gehen? Du hast einen binaeren Strom von 0/1 mit GBit/s und bei den Einsen willst du einen 60MHz Resonanzkreis verstimmen ? Das geht so nicht. Damit kann man allenfalls einen Schwingkreis bei 40GHz verstimmen, aber tiefer als der Datenstrom macht wenig Sinn. Technisch gesehen koennte man auch Kapazitaetsdioden zum Verstimmen verwenden, die machen schon was mit viel weniger Hub. Man kann auch einen FET, oder Bipolaren Transistor nehmen. Die muss muss man beide nicht voll aussteuern, sondern nur im linearen Bereich modulieren. U eberleg dir das Konzept nochmals. Weshalb hat der Schwingkreis 60MHz? Weshalb kommen die Informationen zum verstimmen so viel schneller daher ?
Es ist eine Empfangsspule für MRT. Das elektromagnetische Signal wird mit 60 MHz gesendet, und die Spule empfängt nicht das eigentliche Signal das gesendet wird, sondern nur die Resonanz davon. Also muss ich meine Spule in dem Moment in dem gesendet wird vestimmen, und nur zwischen dem sendeimpulsen auf 60 MHz stimmen um die Resonanz zu empfangen. Nun will ich aber die Resonanzschwingung nichtmehr im ganzen empfangen, sondern für zwei Empfangsspulen multiplexen, also mit spule eins die ersten 10 grad der Resonanz empfangen und dann mit der zweiten spuele von 10-20 grad empfangen. dann mit der ersten von 20-30 grad und so weiter. Daher ist die verstimmfrequenz soviel höher. Wieviel Spannung benötigt so eine Kapazitätsdiode um einigermaßen leitend zu werden?
Eine Kapazitaetsdiode wird nicht leitend. Sie veraendert die Kapazitaet. Sie ist eine spannungsgesteuerte Kapazitaet. Sie ist im Wesentlichen das steuernde Element in einem VCO. Wo hab ich meine her ... Zetex. Die Dinger nennen sich VariCaps, oder Varactoren. gibt's von einigen pF bis einige Duzend pF, mit einem dynamischen Bereich von bis 1:10. Damit koennte man alle Spulen durch eine Einzige ersetzen, die man in der Frequenz umschaltet. Andererseits, um Spulen umzuschalten... wuerde ich einen Bipolartransistor nehmen. Das Konzept muesste zuerst etwas ueberdacht werden. Schwingende Spulen unter Last umschalten... Das gibt Aerger, resp induktiv induzierte Spannungen. Durch passende Ansteuerung koennte man bei Null Strom, dh maximaler Spannung umschalten.
Danke, du hast mir unwarscheinlich weitergeholfen! So eine Kappazitätsdiode schafft einege Probleme aus der Welt! Werde mich unter umständen nochmal hier melden, muss das aber jetz erstmal verdauen ;) Gruß Manu
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