Hi,
Ich suche einen N-Mosfet für 300V.
Das Problem ist, daß ich nicht so viel Abwärme loswerden kann und daher
30-40mOhm RDSon die Schmerzgrenze wären.
Über Farnell habe ich den IXFR140N30P (TO-247 isoliert) gefunden, 26mOhm
und mit 185nC eine grade noch erträgliche Qg. Das läuft mit etwa 8kHz
und der Treiber macht 200mA, beides nicht zu ändern.
Es würde auch ein Modul mit zwei Fets (Halbbrücke) gehen, wenn es denn
so bei Streichholzschachtelgrösse bleibt.
Der Preis ist erstmal zweitrangig.
Problem: Ich weiß langsam nicht mehr, wo ich suchen soll.
IR, Fairchild, ST-Micro, Vishay, RS und Farnell durch.
Über Farnell habe ich IXYS entdeckt (kannte ich nicht).
Was gibt es noch für Hersteller oder vielleicht Distributoren wo ich
suchen kann?
Gruß,
Norbert
Wenn's einer nicht tut, nimm mehrere parallel. Die ueblichen Hersteller
haste schon. IR, Vishay, Fairchild, ST sind die Grossen, dass noch Ixys,
und Supertex als Exoten. 200mA vom Treiber sind etwas wenig.
Wenn du mehrere Parallel schaltest dann ist es das selbe als ob du einen
gut gekühlten hättest. Ist ja nicht so, dass die Abwärme weniger wird,
die verteilt sich halt einfach (mehr oder weniger gut).
Nimm nen APT30M17JFLL (wo auch immer du den her nimmst) dann hast du was
ordentliches mit Dampf ;-)
Oh doch, die Abwaerme wird weniger. Wenn man 1 A ueber einen Fet mit
100mOhm runterlaesst entsteht 100mW Waerme. Bei zwei Fets laesst man 1 A
ueber 50mOhm runter, macht 50mW, resp 25mW auf jedem. Bei 3 Fets sind's
noch 33mW, resp je 11mW. Zugegeben, die Flanke wird flacher.
> noch 33mW, resp je 11mW. Zugegeben, die Flanke wird flacher.
Und genau da liegt der Hund begraben. Während des Überganges vom
Nichtleitenden zum Leitenden Zustand (und umgekehrt) wird kurzzeitig
mehr Energie in den Mosfets verbraten als im voll durchgesteuerten
Zustand.
Gruß,
Magnetus
genau, wieso steht der 200mA Treiber fest da gibts bestimmt was
ähnliches von der Bauform um diesen zu ersetzen. Ich versuche immer die
maximale Gatespannung auszunutzen, selbst wenn der Treiber nur 200mA
Dauerstrom liefern getaktet wird der auch mehr mitmachen vorrausgesetzt
man nutz eine höhere Spannung
Hi,
das mit Parallelschalten wurde schon mal getestet. Bei einem Fet mit Qg
= 150nC ist das schon kontraproduktiv, die Schaltverluste sind da schon
zu hoch.
Der Treiber ist ein IR2130, es sind also 200mA push / 420mA pull.
Wer da was Besseres aus dem Ärmel ziehen kann - nur zu!
Gatewiderstand ist 33Ohm und das Ganze wird mit 15V befeuert.
Durch einige Versuche stellte sich auch heraus, daß bei einem Fet die
Schaltverluste etwa in der Grössenordnung der statischen Verluste sind.
Es könnte also auch ein etwas höherer Rdson gehen, wenn die Gateladung
schön klein ist bzw. dann könnte auch Parallelschaltung funktionieren.
APT30M17JFLL: Der sieht prima aus, frage ich mal an.
Der Hersteller hat auch noch einige andere die gut passen würden, auch
im TO247 oder ähnlich.
Danke, prima Tip!!!
Gruß,
Norbert
Hi,
Schade, anderes Gehäuse, das kann ich nicht ändern.
Ich habe jetzt den einen von Ixys und verschiedene von APT, alle im 247
oder kompatibel. Das sollte erstmal gehen.
Gruß,
Norbert
Schau doch mal bei Infineon vorbei. Die haben ziemlich schnelle FETs mit
verdammt geringem Rdson. Habe mal für einen 230V Sperrwandler einen
Schalttransistor gesucht mit geringem Rdson. Da waren die von Infineon
MIT ABSTAND die Besten.
Bsp. aus meiner Suche IPA60R125CP mit einer maximalen
Drain-Source-Spannung von 600V glaube ich.
Oder wie wärs mit Microsemi APT30M17JFLL mit 17 mOhm. (schnell mal
geschaut
nach 300V und Rdson < 25 mOhm)
Schon bei ON-Semi oder Freescale gewesen?
