Frage zu Vgs(th) bei N-Mosfets bei Vds>>Vgs

[Arnulf Haas (Gast)]

Hallo,

in den Datenblättern geben die Hersteller Vgs(th) - die
kleinste Gate-Spannung, bei der der N-Mosfet durchschaltet immer
unter der Randbedingung Vgs = Vds und einem nur sehr geringen Strom
(meist 1mA) an.

Kann mir jemand sagen, wie sich Vgs(th) verhält,
wenn Vds >> Vgs ist bzw. der Strom Is ein bissel größer wird.

Beispiel:

N-MOSFET BSP295 mit lt. Datenblatt Vgs(th)<2,0V bei Is=1mA im Auto, 
schaltet 12V-Last, 200mA gegen Masse und soll von einem
AVR direkt angesteuert werden, der mit 3,3V läuft.

Geht Vgs(th) drastisch nach oben unter diesen Randbedingungen?
Rds(on) wird jedenfall nicht zu groß.

Googlen zu Vgs(th) und Datenblätter, Appnotes von Infineon,
Zetex und IRF liefern keine Antwort.

Grüße
Arnulf

[Hubert G. (hubertg)]

Im Infineon Datenblatt Seite 6 im Diagramm Typ.output caracteristics 
ist der Zusammenhang von Vds und Vgs sehr schön ersichtlich.