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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik IR2113 Probleme


Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!!

ich baue einen Halbrückenwandler auf und verwende für die beiden 
Mosfet's den Halbbrückentreiber IR2113. Als PWM-Ansteuerung dient mir 
der MC34067. Der MC34067 macht keine Probleme.

Die Dimensionierung der Bootstrap-Diode und des Bootstrap-Kondensators 
hab ich nach dem "Design Tip 98-2" vorgenommen. Wenn ich meine Schaltung 
in Betrieb nehme brennt mir der IR2113 durch.

Die Halbbrücke besteht aus den beiden Mosfets (FDC5612) und zwei 330uF 
Kondensatoren. An den Ausgang der Brücke ist ein 1kOhm Widerstand, an 
dem ich ein, nach der Theorie, alternierendes Rechtecksignal messen 
sollte. So weit kommt es jedoch nicht.! Brauch unbedingt 
Hilfe!Projektarbeit!

Die Transistoren hab ich nach dem Datenblatt des IR2113 aufgebaut. In 
der dazugehörigen Application Note "an 978" ist eine Beispielschaltung 
vorhanden die meiner Schaltung entspricht. Statt der "100uF" !!!!!! 
Spule ist mein 1kOhm Widerstand drin.

danke!!!
Flo

Autor: Pölzleithner Reinhard (Gast)
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Ich nehme an dass soll ein Wechselrichter werden ...

Mit welcher Spannung betreibst du das ganze? Ich denke nicht, dass du 
wirklich mit 160V arbeitest?!?

1. Möglichkeit: Mosfet kaputt

2. Aktuelles Datenblatt:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf

3. Auf ausreichende Deadtime achten: wenn beide Mosfets gleichzeitig 
durchschalten knallts.

3. Kleineren Lastwiderstand nehmen (ca 100 - 500 Ohm je nach 
Betriebsspannung). Das Ding lebt nämlich von der Last. zumindest der 
"High Side" Teil.
Der Bootstrap Kondensator wird über die Last aufgeladen.

Das läuft folgendermaßen ab:

Die "Low Side" wird eingeschalten. Das lädt den C-boot auf. Wenn dieser 
genug Spannung hat dann gibt die UVLO den "High Side" Teil frei und der 
obere Mosfet wird eingeschalten.

eine Duty Cycle von 100% kann damit nicht erreicht werden. Denn durch 
die Innenbeschaltung des IR fließt ein bischen Strom und der C-boot 
entlädt sich langsam.
Wenn seine Spannung soweit abgefallen ist, dass die UVLO anspricht dann 
schaltet die "High Side" ab. Sobald das geschen ist wird natürlich 
C-Boot wieder aufgeladen, aber nur solange bis die ULVO wieder freigibt. 
Dieses Spiel führt dann zu unkontrollierten Schwingungen die den IR2113 
zerstören.

In der AN-Schaltung ist ein kleiner Fehler: es fehlen zwei 
"Verbindungspunkte": zum einen wo die beiden 50µ Kondensatoren auf das 
eine Spulenende treffen und zum anderen wo das andere Spulenende auf 
Source und Drain der beiden Mosfets trifft.

4. Den IR2113 vergessen und auf der "High Side" einen P-Kanal Fet 
verwenden.

5. Antiparallel zu den Mosfets noch eine schnelle Schottkydiode einbaun.

Autor: Pölzleithner Reinhard (Gast)
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Was vergessen:

mit welcher Frequenz arbeitet dein MC34067?

wenn die Frequenz zu hoch ist kommt der IR2113 nicht mehr mit dem 
Schalten hinterher und heizt nur noch.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Pölzleithner Reinhard wrote:

> In der AN-Schaltung ist ein kleiner Fehler:

Es sind sogar 2:
Induktivitäten werden üblicherweise nicht in Farad angegeben.


Wenn der IR2113 kaputt geht, würde ich auf einen groben Fehler tippen. 
Irgendwo fließt in den eine Spannung rein, die da nicht hingehört.
Also entweder ein Gate-Drain Kurzschluss, oder eine viel zu langsame 
Bootstrapdiode.

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!

Danke für die schnelle Antwort!!

Mit dem MC34067 will ich die PWM-Frequenz im Bereich von 10kHz bis 
200kHz steuern können, um die Übertragungsfunktion zu messen.

Die Totzeit steuere ich auch mit dem MC34067, hab ihn so dimensioniert, 
dass sie nicht unter 100ns sinkt.

Das Schaltbild entspricht nur meiner Schaltung. Die Eingangsspannung 
sollte 30V betragen. Später nehm ich dann natürlich andere Transistoren 
für eine Eingangsspannung von 325Vdc bzw 240Vac. Dafür kommen auch 
andere Kondensatoren zum Einsatz. Den Fehler habe ich mitberücksichtigt.

Für die Variante mit 30Vdc Eingangsspannung verwende ich die 1PS79SB31 
als Bootsrapdiode. Für den Bootsrapkondensator komme ich auf einen Wert 
von
ca. 100nF. Vielleicht hab ich diese Bauteile falsch dimensioniert!!

Ich werde meine Schaltung nochmal überprüfen und den Widerstand 
verkleinern. Du hast Recht, einen kleinern Widerstand zu verwenden, da 
statt meines Widerstandes sonst eine Induktivität vorhanden ist, die 
sowieso nie einen ohmschen Widerstand von 1kOhm hat!

Ich will mit der Halbbrückenschltung einen ZVS-Resonanzwandler aufbauen. 
Bevor ich die Kondensatoren und eine Spule (später, statt des 
Widerstandes) abstimme, will ich erst die Funktion des 
Halbbrückenwandlers überprüfen (alternierendes Rechtecksignal).

Den IR2113 will ich verwenden, da ich das Bootstrap-Verfahren in meiner 
Projektarbeit mit drin haben will. Soweit hab ich die Funktion 
verstanden des IR2113 verstanden. Der duty-cycle von 100% ist deswegen 
nicht erreichbar, was ich durch meine Recherche verstanden habe, weil 
sonst beide Mosfet's leitende werden und somit ein Kurzschluss entsteht. 
Die Überlegung zur Schwingungsneigung ist gut!! Danke

Danke
Florian

Autor: Udo Z. (Firma: keine) (udoz)
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Moin,

Flo S. wrote:
> Die Eingangsspannung sollte 30V betragen.

Auch an VCC?
Laut Datenblatt liegt das erlaubte Maximum bei 25V.


Udo

Autor: Flo S. (Gast)
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Hi,

der MC34067 und der IR2113 werden mit 15V versorgt.
cu
Florian

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Soweit schon alles gesagt.
Mini Korrektur (bin mal so frech ;) :
In einer Brücke lädt sich der Boostrap C nicht über die Last, sondern 
über den geschlossenden Lowside Fet.
Daher müssen auch die 15V und der Laststromkreis die selbe Masse 
verwenden.
Zur Frequenz, bis 300kHz kann man mit dem IR2113 gut arbeiten (bei 
Modulation 5-90%), nur wird er wie schon erwähnt etwas warm. Das liegt 
aber weniger daran, dass der IR2110 nicht mehr mit kommt, sondern ist 
ein einfacher Effekt mit dem Namen Schaltverluste ;). Der Treiber muss 
bei jedem Schaltvorgang das Gate (~Kondensator) umladen. Das führt bei 
"stärkeren" Fets (i.d.R. grosse Gate Kapazität) zu einer nicht 
unerheblichen Verlustleistung (im Treiber sowie im Fet).
Falls das mal zu einem Provlem werden sollte, es gibt kleine Kühlkörper 
für DIL Gehäuse (IC Gehäuse) zusammen mit selbstklebender Wärmeleitfolie 
(wie beim PC Kühler) einfach zu montieren.
Die Boostrapdiode ist nicht ohne, schnelle robuste Typen müssen dahin. 
Sehr gut machen sich MUR120 (oder 160, Spanung beachten) oder im 
Datenblatt auf trr achten, die Sperrverzugszeit sollte nicht viel 
grösser als 50ns sein.

Lebensdauerverlängernd sind zudem kleine Schutzdioden zwischen Gate und 
Source. Entweder spezielle Transil-Dioden oder Zenerdioden mit 15-18V 
Zenerspannung. Diese dann mit der Kathode ans Gate und der Anode an 
Source.
Hat zwei Funktionen, erste Offensichtliche es begrenzt die maximale 
Spannung am Gate (welches extrem überempfindlich auf Überspannung 
reagiert), zweite Funktion schützt den Treiber vor negativen 
Spannungspeaks auf der Gate Verbindung (diese tretten als Transienten 
wärend des Schalten auf, gerade bei Belastung)

Paar allgemeine Tipps zu Experimenten mit SNTen :

- Immer erst den Treiber (IR2113) und den PWM Regler mit Spannung 
versorgen.
- Nach Umbauten bzw. anderen Modifikationen immer erst mit dem Oszi die 
Gatesignale ansehen (jeweils gemessen Gate-Source).
Mitunter sieht man schon das dort etwas faul ist (Spannung zu gering, 
<10V).
- Auch bei den ersten Versuchen mit Laststrom, wenigstens das Gatesignal 
am Lowside Fet im Auge behalten.
- Ist dort alles Ok, am besten mit Labornetzteil oder Stelltrafo den 
Laststromkreis langsam hochfahren. Wenn irgend etwas bei der Ansteuerung 
schief geht, ist die Energie nicht gleich tödlich, für die Fets. Am 
besten natürlich mit einer Strombegrenzung (Glühlampe in der Zuleitung 
reicht mitunter schon).
- Immer Stück für Stück die Funktionalität eines Schaltungsteiles 
sicherstellen und dann weiter zum nächsten.
- Am besten in der Anfangsphase den Regler "tod" legen, also so 
beschalten, dass er immer mit voller Pulsweite taktet. Geht alles gut, 
erstmal einen einfachen P-Regler realisieren (Vorsicht mit Kp, nicht zu 
hoch ansetzen). Funktioniert dieser stabil (aber erst dann) kann man 
sich an einem PI-Regler probieren.

Und mein letzter Tipp, Schutzbrille aufsetzen !
Kein Scherz, wenn etwas Energie hinter den Fets steht (bsp. 160V und 
4700µF Siebung) und diese einen Kurzschluss erstellen, knallts heftig. 
In der Regel platzt der Mosfet am Plastik auf und die Teile fliegen 
durch die Gegend. Auch der IR2113 verlieren gelegentlich seinen Kopf.

Viel Erfolg....

Autor: Pölzleithner Reinhard (Gast)
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Für die Versorgung des IR2113 würd ich max 18V wählen. Die meisten 
Mosfets halten nur 20V Gatespannung aus. Wenn die überschritten wird 
dann schlägt der FET durch und mach einen satten Kurzschluß vom Gate 
nach Source und Drain. Das überlebt der IR2113 dann sicher nicht.

Die 1PS79SB31 ist zu knapp bemessen. Die Sperrspannung der Diode sollte 
auf jeden Fall mindestens 50% höher als die maximal auftretende Spannung 
im System.

In deinem Fall:
für die 30V Version: min 45V und für die 325Vdc minimal 600V.

Gleiches gilt für die Mosfets übrigens auch. (900V Type wäre für 325Vdc 
empfehlenswert)

Meiner Erfahrung nach darf der Bootstrapkondensator schon gut 1-2µF 
haben.

Der Duty Cycle auf der High Side von 100% kann deshalb nicht erreicht 
werden weil der IR2113 mit seinem Level Shift Strom aus dem C-boot zieht 
und ihn entlädt.

ach ja: für den C-boot unbedingt einen Kerko verwenden!!!

Autor: Pölzleithner Reinhard (Gast)
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da war wohl einer oder zwei schneller mit Tippen als ich ...

Autor: Pölzleithner Reinhard (Gast)
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@snt-opfer: hast ´Recht ... in diesem Fall wird der Bootstrap über den 
Low Side geladen ...

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Pölzleithner Reinhard wrote:
> da war wohl einer oder zwei schneller mit Tippen als ich ...

;)
Staune auch immer, da setzt man sich hin überlegt ne Weile und haut in 
die Tasten was einem so einfällt und schickt das ab, plötzlich sind 
schon die hälfte der Sachen besprochen.
Naja, haupsache es wird/wurde geholfen.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Pölzleithner Reinhard wrote:

> Gleiches gilt für die Mosfets übrigens auch. (900V Type wäre für 325Vdc
> empfehlenswert)

900V für 325V ist ein wenig übertrieben und unnötig. 500 oder 600V 
reichen bei weitem aus, da die Spannung an einem Mosfet nie höher werden 
kann als die Spannung in den Elkos.

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Benedikt K. wrote:
> Pölzleithner Reinhard wrote:
>
>> Gleiches gilt für die Mosfets übrigens auch. (900V Type wäre für 325Vdc
>> empfehlenswert)
>
> 900V für 325V ist ein wenig übertrieben und unnötig. 500 oder 600V
> reichen bei weitem aus, da die Spannung an einem Mosfet nie höher werden
> kann als die Spannung in den Elkos.

Ehm, jein....theoretisch können sie nicht, ABER bei der Geschwindigkeit 
der Schaltvorgänge können sich lokal schon Überspannungen aufbauen !
Bedingt durch den Stromfluss und der parasitären Induktivität der 
Leiterbahnen zwischen Elko und Fet, das schaukelt sich schön hoch.

Zwei Sachen helfen da, ein durchdachtes Layout und kleine Folien Cs nahe 
bei den Fets (0,1-1µF). Diese Cs können dann die induktiven 
Spannungsspitzen abfangen, selbst LowESR Elkos sind da zu langsam für.

Autor: Benedikt K. (benedikt) (Moderator)
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Snt Opfer wrote:

> Ehm, jein....theoretisch können sie nicht, ABER bei der Geschwindigkeit
> der Schaltvorgänge können sich lokal schon Überspannungen aufbauen !
> Bedingt durch den Stromfluss und der parasitären Induktivität der
> Leiterbahnen zwischen Elko und Fet, das schaukelt sich schön hoch.

Stimmt auch wieder. Allerdings verkraften die Mosfets in der Regel 
solche Spikes da die meisten Mosfets Avalanche rated sind, so dass 
zumindest die Leitungsgebunden Spitzen den Mosfets in der Regel nichts 
ausmachen.

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Aber nicht in einer Brückenschaltung !

Gedankenspiel :
Highside schaltet ab -> Spannungspeak wächst -> Todzeit um -> Lowside 
schaltet ein -> Spannungspeak höher als Uds break -> Avalanche -> 
Stromfluss von + nach GND -> Spannung aus, Lötkolben an ;)

Das Problem ist halt das der Fet zwar nur aufmacht, aber der dann 
fliessende Querstrom bringt ihn (bzw. beide) ganz schnell um.
Ist genauso sinnvoll wie Überspannungsschutz Elemente in einer Brücke, 
sie erfüllen ihre Aufgabe (Kurzschliessen bei Ü-Spannung), aber es gibt 
kaputte Fets.

Gut die 900V sind bei Netz Brückenschaltungen wirklich übertrieben, 600V 
sind schon recht sicher. Aber bei Flybackwandlern brauch man schon die 
Spannungsfestigkeit, sonst klappts nicht richtig (die leben ja von der 
aufgeschaukelten Spannung).

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!

Vielen Danke für die Antworten!!!

Ich werde jetzt einen Testaufbau mit flogenden Bauteilen vornhemen:

Eingangsspannung 20V:
   MOSFET: FDC5612
   Bootstrap-C: 1uF
   Bootstrap-D: 1PS79SB31

Ich geh von 30V auf 20V runter, weil die Diode wieder mit macht.
Werde euch berichten!!

Werde die von euch vorgeschlagenen Grenzwerte beachten.
Die angestrebten 325V brauch ich wahrscheinlich nicht. Mir reichen ca 
100V. Hab einen Trafo von 230Vac auf 115Vac, ergibt ca.162Vdc, das 
müsste reichen. Meine Auswahl bei Farnell:

Eingangsspannung 160V:
   MOSFET: IRFR310 (400V; 1,8A)
   Bootstrap-C: 1uF
   Bootstrap-D: ES1F (100V; 35ns)

Werde euch von der 20V-Variante berichten.

Flo

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!
Die ES1F ersetze ich durch die BYG10D
Flo

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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NEIN !!!!!

Sperrverzugszeit (Reverse Recovery trr) 4µs !
Das wird Schaden geben....machs nicht, Bitte ;)

Edit:
Die Boostrapdiode muss die selbe Spannung sperren können wie dein Fet, 
bzw. deine Betriebspannung im Lastteil. Also bei 160V min. 200V Typen.

Autor: Flo S. (Gast)
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Oh, mist! falsch abgelesen!! ;-)
Nehme eine US1G, 50ns und 400V!!

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Ja die ist schön... ;)

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!

Hab noch ein Problem, kann ich denn überhaupt Keramikkondensatoren für 
die beiden Halbbrückenkondensatoren verwenden? Natürlich mit der 
geforderten Spannungsfestigkeit.

Danke
Flo

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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???

Ansich braucht man die nur als Puffer für den IR2113.
Obwohl dort auch Folie gut funktioniert.

Da Du ja später auf einen Resonazwandler raus willst, schau Dir mal 
folgende Seiten an, dort wird gut erklärt wie die Kondensatoren 
dimensioniert werden.
(Man braucht übrings nur welche von GND nach Drossel, die 
Reihenschaltung ist nur bei Doppelnutzung als Siebung sinnvoll, aber 
nicht bei Resonanzwandlern)

Basics:
http://www.trifolium.de/netzteil/kap10.html
Berechnung und Basics:
http://schmidt-walter.eit.h-da.de/snt/snt_deu/sntdeu4b.pdf


Und dort unbedingt hochwertige Folien Cs nehmen, min. MKP10 oder FKP 
(Wima).
Die Umschwingdrossel wird auch stark gefordert, niedrige Verluste lassen 
sich aber mit KoolMµ Kernen von Magnetics erzielen (Ringkerne).
Achja, bitte nicht die "Schutzdioden" vom Resonanz C weglassen, die 
machen das ganze erst stabil bei einem Kurzschluss am Ausgang.

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!

Danke für die Link's!
Ich bau den Resonanzwandler wie in meinen Schaltbild oben auf. Als 
Transformator habe ich kleine Spulen die zueinander eine Kopplung von 
ca. 10% besitzten (mit einem 0,22mm Draht). Somit könnte eine 
zusätzliche Induktivität entfallen. Mit vorgegebenen L*sigma hab ich 
dann den Wert der Streuinduktivität. Die Formel von SchmidtWalter 
sqrt(L/C)=... löse ich nach C auf.

C=[(PI*Pa*fr)/(Ue^2*fs)]^2*L

Die eine Primärinduktivität besitzt 754,8uH*0,9=680uH, mit fs=100kHz; 
fr=90kHz; Ue=20V und Pa=Ua*Ia=0,5W ergibt sich ein C von ca 34nF!!!.

Wie wird der Strom durch die Schutzdioden bemessen?
Diesen C als Folienkondensator. Ist der Ansatz so richtig???
Danke!!

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Flo S. wrote:
> Hallo!
>
> Danke für die Link's!
> Ich bau den Resonanzwandler wie in meinen Schaltbild oben auf. Als
> Transformator habe ich kleine Spulen die zueinander eine Kopplung von
> ca. 10% besitzten (mit einem 0,22mm Draht). Somit könnte eine
> zusätzliche Induktivität entfallen. Mit vorgegebenen L*sigma hab ich
> dann den Wert der Streuinduktivität. Die Formel von SchmidtWalter
> sqrt(L/C)=... löse ich nach C auf.
>
> C=[(PI*Pa*fr)/(Ue^2*fs)]^2*L
>
> Die eine Primärinduktivität besitzt 754,8uH*0,9=680uH, mit fs=100kHz;
> fr=90kHz; Ue=20V und Pa=Ua*Ia=0,5W ergibt sich ein C von ca 34nF!!!.

Naja bei einem halben Watt und 100kHz reichen die 34nF.
Dort kann man bestimmt noch Keramik einsetzen. Halbes Watt...niedlich ;)

> Wie wird der Strom durch die Schutzdioden bemessen?
Ansich müssen die nur den Maximalstrom der Primär möglich ist, tragen.
Also in Deinem Fall nicht viel, müsste die selben passen wie beim 
Bootstrap. Zum Einsatz kommen die eh nur im Überlastfall, da sich dann 
die Spannung am Reso C hochschaukelt (Resonanz halt). Umzu verhindern, 
dass dort Spannungen entstehen die "gefährlich" werden, kommen die 
Dioden als "Ableiter" zur Versorgungsspannung.

> Diesen C als Folienkondensator. Ist der Ansatz so richtig???
Ja, nee bei der Leistung muss man sich nicht so Kopf machen. Hauptsache 
es sind schnelle Typen.
Habe andere Leistungen* vor Auge gehabt.

> Danke!!
Bitte gerne, kenne das "Projektarbeitsproblem" ist aber schon 6 Monate 
her.
Viel Erfolg weiterhin....


*
Bastle selber an einem Resonanzwandler, nur in der Grössenordnung um 
3kW.
Da passiert im Resonanzkreis einiges, Drossel bzw. Kondensator 
Spitzenstrom rund 30A. Dort müssen schon "dicke Brocken" rein. Aber 
machen echt Spass die Resonanzwandler, sinusförmige Ströme, wenig EMV, 
kaum Schalterbelastung bzw. Verluste. Dort kann man sogar IGBTs bis auf 
160kHz hochziehen.

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!

:-)
hab jetzt die 30V-Variante ausprobiert mit zwei 47nF 
Brückenkondensatoren, einem 500-Ohm Widerstand fürs messen eines 
alternierendes Rechteck.

Die Low- und High-Side Ausgangssignale sind soweit ok. Ich kann bloß 
kein
alternierendes Rechteck messen. Die 47nF Kondenstoren vielleicht zu 
klein.

Na ja, so weit so gut. Hab jetzt eine Spule statt des Widerstandes rein. 
Jetzt mess ich zwar immer noch die Gate-Signale aber der IR2113 wird 
nach ner gewissen Zeit so heiß, dass ich die Versorgungspannung 
wegnehmen muss. Wahrscheinlich fehlen die Schutzdioden am Gate, oder?

Nach der Theorie wird ein Resonanzkreis mit fr=sqrt[1/(2*PI*L*2*47nF)] 
gebildet. Was mach ich bloß falsch verzweifel muss am Montag abgeben.

Danke!

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Montag ? ui...

mit dem Widerstand wird es einbrechen, versuchsweise könnte man die Cs 
mal vergrössern.
Sind die Fets in Ordnung ? Dem IR wird ansich nur bei hohen Frequenzen 
oder kaputten Fets warm am Kopf.
Von Wo nach Wo erwartest Du das Rechteck ?
Sollte zwischen den Kondensator Mittelpunkt und den beiden Fets sein.
Testweise mal mit dem Oszi Drain Source ansehen, dort müsste zumindest 
eine Schalthandlung zu erkennen sein (logischerweise invertiert).

Edith:
Testweise mal weder Widerstand noch Spule reinpacken, also ohne Last. 
Und mal messen, ist dort auch nix, Fet putt...

Autor: Flo (Gast)
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Hallo!

Hab jetzt die Mosfets überprüft, deren Funktion ist soweit ok.
Der IR2113 steurt sie schön an :-)
Jetzt hab ich bloß das Problem, dass mir der MC34067 abbrennt. Überprüfe 
mal die Strombegrenzung.

Ich stelle mal folgende Überlagung an.
Die Brücke liefert mir ein alternierendes Rechtecksignal an die 
Mittelpunkte der Schaltung (Drain des High-Side-Mosfet + Source des 
Low-Side-Mosfet und zwischen den C's). Jetzt wird durch das 
Schaltelement an den Mittelpunkten die Rechteckspannung gefilter. Oder 
anders gesagt, die C's und mein L bilden einen Tiefpass, der die 
Oberwellen aus dem Rechteck filter. Stimmt das so??

Danke für die Tipps

Autor: Snt Opfer (snt-opfer)
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Flo wrote:
> Hallo!
>
> Hab jetzt die Mosfets überprüft, deren Funktion ist soweit ok.
> Der IR2113 steurt sie schön an :-)
> Jetzt hab ich bloß das Problem, dass mir der MC34067 abbrennt. Überprüfe
> mal die Strombegrenzung.

?
Wieso brennt der PWM Regler ab ? Jetzt wird merkwürdig...

> Ich stelle mal folgende Überlagung an.
> Die Brücke liefert mir ein alternierendes Rechtecksignal an die
> Mittelpunkte der Schaltung (Drain des High-Side-Mosfet + Source des
> Low-Side-Mosfet und zwischen den C's). Jetzt wird durch das
> Schaltelement an den Mittelpunkten die Rechteckspannung gefilter.

Naja, nee..nicht durch die Fets...

> Oder anders gesagt, die C's und mein L bilden einen Tiefpass, der die
> Oberwellen aus dem Rechteck filter. Stimmt das so??

Jein, du hättest einen Tiefpass 2.Ordnung auf der Spulenseite bei den 
Kondensatoren, auf der Fet Seite sollte das Rechteck bleiben...
Funktioniert den die Halbbrücke jetzt vernüftig ?
Also ohne irgendwas zwischen den Fets (ausser die Fets selber) sollte 
dort (gemessen gegen den Kondensator Mittelpunkt als GND) ein Rechteck 
mit +- 1/2 Ub zu sehen sein.

> Danke für die Tipps

Man tut sein Bestes...

Autor: Flo S. (Gast)
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Hallo!

so leider hats a bissl gedauert!! aber jetzt spinnt mein PWM-Controller
nicht mehr und der IR2113 steuert meine Transistoren an.

Hab jetzt ne Frage zu den Signalen! Im Anhang sind vier Signale 
vorhanden
U(GS)_high ist um die Eingangsspannung 30V höher als das PWM_MC34067, 
soweit funktioniert der IR2113. Meine Spannung am Fet-Mittelpunkt (U_Vs) 
ist für die gesamte Zeit t_on + Totzeit auf 30V. Stimmt das so, es 
müsste doch die Totzeit auf Null liegen und nur die Zeit t_on der 
PWM-high Signals.

Hab bestimmt irgendetwas übersehen.
Danke für die Hilfe im Voraus

Autor: flo (Gast)
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Hallo!

leider kann ich kein Rechtecksignal zwischen den Brückenmittelpunkten 
messen.  Die Mosfet's sind aber nicht kaputt, die funktionieren 
einwandfrei. Bin noch am grübeln was ich falsch mache. Könnt ihr mir 
vielleicht nen kleinen Tip geben.

Danke!!
Flo

Autor: flo s. (Gast)
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hallo,

so die schaltung funktioniert so weit! :-) freu
messe am mosfet mittelpunkt ein normales rechteck 0-30V, sollte
das nicht -15 bis +15 V sein, oder hab ich mich wieder blöd angestellt!

danke für eure hilfe, hab neben bei noch andere sachen erledigen müssen
cu
florian

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