Hallo zusammen, ich bin noch recht unerfahren was Hardware betrifft. ich suche einen Transistor in SMD. Er soll als Schalter fungieren(NPN) und inklusive genügend Sicherheit ca. 1A treiben können. Versorgungsspannung sind 5V. Bei Farnell habe ich ein paar gefunden.... aber welcher ist der richtige??? nach welchen Kriterien muss ich den Transistor auswählen? welches Gehäuse soll man nehmen? SOT223 oder SOT23?? gibt es große Unterschiede in der Schaltgeschwindigkeit?? Danke schonmal für die Antworten. Gruß Michael
Michl S. wrote: > Hallo zusammen, > > ich bin noch recht unerfahren was Hardware betrifft. > ich suche einen Transistor in SMD. Er soll als Schalter fungieren(NPN) > und inklusive genügend Sicherheit ca. 1A treiben können. > Versorgungsspannung sind 5V. > Bei Farnell habe ich ein paar gefunden.... aber welcher ist der > richtige??? Irgendeiner. Er muss halt auf die Anforderungen passen (Siehe unten). > nach welchen Kriterien muss ich den Transistor auswählen? - Maximaler Strom (1A) - Maximale Verlustleistung (Im Schaltbetrieb normalerweise recht niedrig) - Maximale Spannung (5V und etwas Reserve) - Benötigte Stromverstärkung - Passendes Gehäuse für die Platine - Benötigte Geschwindigkeit (Eher bei FETs wichtig) > welches Gehäuse soll man nehmen? SOT223 oder SOT23?? > gibt es große Unterschiede in der Schaltgeschwindigkeit?? SOT23 könnte bei einem bipolaren Transistor mit der Verlustleistung knapp werden, ausserdem lässt sich da schlecht ein KüKö dranpappen. Aber meistens ist das Gehäuse eh vorgegeben wenn du den entsprechenden Typ hast. Für den Schaltbetrieb wäre aber wohl eher ein FET angebracht.
also ich hab da mal einen MOSFET rausgesucht und den hier gefunden: http://de.farnell.com/jsp/search/productdetail.jsp?sku=1214269 muss da zusätzlich noch ein kühlkörper drauf???
rein von der Leistung her dürfte der das packen, denn bei 0,8 Ohm Rds(on) und 1 Ampere hast du 0,8 Watt Verlustleistung. P = R * I^2 Nur könntest du bestimmt einen besseren finden, der BSP296 ist für 100 Volt Drain-Source ausgelegt... ein Transistor der nur zB 30 Volt D-S kann wird in der regel einen niedrigeren Rds(on) haben und damit weniger Verlustleistung. Du musst auch darauf achten, dass er bei 5 Volt Ansteuerung schon weit genug durchschaltet (bei der Rds(on) Angabe steht meistens auch dabei für wieviel Volt Gate-Source Spannung die Angabe gilt)
Danke für die Antwort... Wenn ich mir nun einen MOSFET im SOT 23 gehäuse auswähle, brauche ich dann erfahrungsgemäß einen Kühlkörper drauf oder kann der das auch ohne?
Ich hab' hier einen IRLML6302 im SOT23, der kann laut Datenblatt bei 25°C 540mW verbraten. Das wird wohl bei allen Transis in dem Gehäuse in einem ähnlichen Bereich liegen. Ob das reicht hängt im Wesentlichen vom Rdson und von der Schaltzeit ab. Für 540mW (bei 1A) dürfte der Widerstand max. 0.54 Ohm betragen. Etwas Reserve wäre aber nicht schlecht. Ausserdem: Hast du dir das SOT23-Gehäuse mal angesehen? Da einen Kühlkörper dranzubasteln dürfte relativ kompliziert werden.
genau das habe ich mir auch gedacht.... Also lautet die Empfehlung eher ein SOT223 Gehäuse zu verwenden und dabei ein wenig Reserve zu haben? Gruß
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