Hallo Leute! Ich steh grad voll auf der Leitung, wie ich einen Vollbrückentreiber baue, der bei 30kHz noch schön schaltet. Die Versorgungsspannung sind 12V und meine IGBTs schalten auch bei 12V Uge schön durch. Bestellen will ich den nicht (Treiberbaustein), ausser jemand hat einen wirklich guten Treiber parat der auch billig ist und über die üblichen Verdächtigen beziehbar. Sollte eher eine Low-Cost Version werden, also lieber mit Gatter & Transistoren. Kleine Anmerkung: Es wird ein Wechselrichter für 1~ und 1kW von 12Vdc auf 230Vac. Angesteuert wird das ganze per Sinusbewerteter PWM, welche aus einem SAB80C535 (Schulboard - sry... ich halts auch für Mist xP) kommt.
Ich hätt mir auch den HIP4082 angeschaut... Der IR2110 ist auch nicht schlecht... den würd ich sogar über RS bekommen... liegt auch preislich in meiner Kategorie... Aber vllt hat noch jemand eine eigene Schaltung? Mit diskreten Bauteilen?
@JÜrgen G.: > Ich steh grad voll auf der Leitung, wie ich einen Vollbrückentreiber > baue, der bei 30kHz noch schön schaltet. Die Versorgungsspannung sind > 12V und meine IGBTs schalten auch bei 12V Uge schön durch. Die Verwendung von IGBTs bei 12V finde ich wegen der hohen C-E-Restspannung etwas unsinnig. Mit MOSFETs geht das viel besser. > Bestellen will ich den nicht (Treiberbaustein), ausser jemand hat einen > wirklich guten Treiber parat der auch billig ist und über die üblichen > Verdächtigen beziehbar. Sollte eher eine Low-Cost Version werden, also > lieber mit Gatter & Transistoren. Hier findest Du ein paar Beispiele für diskrete MOSFET-Brückentreiber (geht natürlich auch mit IGBTs, auch wenn es keinen Sinn macht): http://www.trifolium.de/netzteil/kap5.html Jörg
Hallo, > Kleine Anmerkung: Es wird ein Wechselrichter für 1~ und 1kW von 12Vdc > auf 230Vac. Angesteuert wird das ganze per Sinusbewerteter PWM, welche > aus einem SAB80C535 (Schulboard - sry... ich halts auch für Mist xP) > kommt. soll der Übertrager primär mit sinusbewerteter PWM angesteuert werden ???, um den Sinus (50 Hz ??) direkt ohne sekundärseitige Vollbrücke zu erzeugen. wenn ja, wäre es toll, wenn du die Schaltung veröffentlichen könntest...wäre für mich sehr interessant, wie man den Übertrager bei unsymmetrischer primärer Vollbrücken-Ansteuerung aus der Sättigungszone heraushält... Gruß, otti234
Jörg R. wrote: > Die Verwendung von IGBTs bei 12V finde ich wegen der hohen > C-E-Restspannung etwas unsinnig. Mit MOSFETs geht das viel besser. Ja, ist es auch XD allerdings hab ich die IGBT Halbbrückenmodule bereits in der Schule. MOSFETs müsste ich extra bestellen und das geht dann ganz schön ins Geld... Ich soll das Schulbudget nicht zu viel belasten (max. 20 Euronen) und daher, wenn ich sie schon mal hab... Ahja, danke für den Link... Genau sowas hab ich mir vorgestellt!
Nochmal zu den IGBTs - 1 kW bei 12 Volt sind ganz dicke Ströme, mal UCE auch richtig viel Leistung, ein paar hundert Watt wollen da insgesamt abgeführt werden. Vielleicht habt ihr ja auch billig große Kühlkörper in der Schule. Ansonsten guck mal den IRF 1404 an, der schaltet 100 A bei weniger als 0,4 V. Kostet 1,65€ hier http://www.reichelt.de/?ARTICLE=41598
Tom wrote: > Ansonsten guck mal den IRF 1404 an, der schaltet 100 A bei weniger als > 0,4 V. Kostet 1,65€ hier http://www.reichelt.de/?ARTICLE=41598 Aber nur bis der Bonddraht verdampft ist.... ;) Ich habe das schon probiert, 80A hält er rund 10 min, dann qualmt er. Witzig war das geschmolzene Zinn auf der Rückseite, obwohl er OHNE Isomaterial direkt mit Wärmeleitpaste auf einem grossen KK saß. Sofern die 1kW nicht ewig gefordert werden, geht es aber.
@Snt Opfer: > Tom wrote: > >> Ansonsten guck mal den IRF 1404 an, der schaltet 100 A bei weniger als >> 0,4 V. Kostet 1,65€ hier http://www.reichelt.de/?ARTICLE=41598 > > Aber nur bis der Bonddraht verdampft ist.... ;) > Ich habe das schon probiert, 80A hält er rund 10 min, dann qualmt er. > Witzig war das geschmolzene Zinn auf der Rückseite, obwohl er OHNE > Isomaterial direkt mit Wärmeleitpaste auf einem grossen KK saß. Diese Angaben im Datenblatt beziehen sich meistens auf eine Gehäusetemperatur von 25°C. Du mußt das Teil also direkt auf einen riesigen Kühlkörper löten, der auf deutlich unter 25°C gehalten werden muß, damit diese Gehäusetemperatur nicht überschritten wird. Sobald die Gehäusetemperatur überschritten wird erhöht sich Rdson, die max. Verlustleistung wird überschritten und es kommt zur "Kernschmelze". Jörg
Im Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf1404.pdf ) steht "Package limitation current is 75A". Ich gehe mal davon aus, dass in der Brücke jeder FET maximal die halbe Zeit eingeschaltet ist. OK, ein dickeres Gehäuse wäre besser, aber dann wirds auch schnell teuer. Die Bonddrähtchen kann man auch schmelzen, ohne die Verlustleistung oder die Temperatur zu überschreiten.
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