Hallo, habe mir eine Schaltung mit einigen MOSFET's gebaut (als Schalter geschaltet). Die sind für meine Schaltung eigentlich komplett überdimensioniert (Ids_max, Uds_max,...), jetzt tat dic Schaltung nicht das, was sie sollte, da habe ich den Durchgang einfach mal mit einem Ohmmeter gemessen (Rds). Jetzt erhalte ich ein Rds von einigen 100 bis 1000 kOhm. Der Widerstand müsste aber doch viel größer sein (die nicht verbauten liegen bei mehreren 10 MOhm). Was denkt ihr?
also durch Ohmmeter sicherlich nicht. Aber wenn Du die D-S Strecke mißt, dann am besten das Gate mit S verbinden, damit das G einen definierten Pegel gegenüber S hat (nämlich 0V). Auserdem immer richtigherum messen, damit du nicht die parasitäre Diode darin mißt (also + an D, when N-Kanal)
Erst ja, habe ihn dann aber wieder herausgelötet und nochmal gemessen, mit dem selben Ergebnis. Habe leider auch einige Male flasch herum gemesssen (also - an D), aber davon geht doch der MOSFET nicht kaputt. Ich habe keine Ahnung, warum die nur solch geringe Rds haben.
Nee, falsch herum gehen die nicht beim Messen kaputt. Was hatten die denn zu schalten? Irgendwas induktives? Vielleicht sind die dadurch etwas hopps gegangen. (Schaltplan wäre vielleicht gar net so schlecht, um es einschätzen zu können)
Nee, nix wildes, sollte ne Widerstandskaskade werden. Ganz einfach 5 Widerstände parallel, jeweils pro Strang ein MOSFET unterm Widerstand. Jetzt sollten die MOSFET's einfach angesteuert werden, um mehrere Widerstände durchzuschalten.
Überbrück mal G-S mit nem 1k Widerstand und mess dann noch einmal...vll ist auf dem Gate noch Ladung was dafür sorgt, dass der MOSFET noch ein bisschen leitend ist. Gruß Christian
Und welche Werte hatten die R's? Vielleicht wurden die Mosfets nicht komplett durchgeschaltet, was bei relativ niederohmigen R's dann zu relativ hoher Verlustleistung im Mosi führt - irgendwann könnte er dann verglühen, wenn Du es zu tolle treibst.
@Christian Hat leider nicht funktioniert, lasse es aber mal über N8 liegen. @JensG Habe 3 V angelegt und die R's waren in der Tat sehr klein (15 Ohm - 180 Ohm), aber dafür habe ich ja auch extra einen starken Transistor geholt (IRLZ34NPBF), der hält bis zu 68 W max. aus. In meinem Falle wäre die max. Verlustleistung 15 Ohm / (3 V)² = 0,6 W. Die muss der locker aushalten. Ich verstehe es nicht. Hab mal das Datenblatt noch angehängt, vllt. habe ich was übersehn. PS.: Rds bei 3 V = 0,2 Ohm, also der schaltet schon genug durch.
na gut wenn gerade mal 3V überm Mosi liegen, bei R=15Ohm, dann ist wohl der Hitzetod relativ unwahrscheinlich. Die Gleichung muß aber lauten (3 V)² / 15 Ohm = 0,6 W, und nicht 15 Ohm / (3 V)² = 0,6 W ;-) Ansonsten fällt mir aber leider nix weiter ein.
Marc, in der Zeile Drain-Source-Leakage-Current steht ein Wert wie 25 µA. Da Leckströme nicht proportional von der angelegten Spannung abhängen, sondern bereits bei sehr geringen Spannungen schon ihren Wert erreichen, würdest Du bei einer Messspannung von z. B. 1 V einen Widerstand von 40 kOhm messen. Power-MOSFETs werden leider nicht besonders hochohmig im OFF-State. Gruß Dieter
Könnte natürlich daran liegen, das ist aber ein max. Wert, und wird wohl in der Regel weit unterschritten. Auserdem erklärt es nicht, daß dieser Durchgang erst nach Einsatz der Transis festgestellt wurde. Aber vielleicht waren die Mosis noch warm vom Einsatz, so daß dieser Leckstrom ohnehin höher ist als im kalten Zustand, und damit vielleicht auch in den meßbaren Bereich kommt. Haste bis jetzt nur den Rds gecheckt? Oder auch mal in einer Testschaltung deren Schaltfähigkeit (evtl. bei höheren Spannungen) getestet?
@ Marc Was ist es eigentlich für ein Mosfet? ( N oder P-Kanal? ) Ich hab hier meinen P-Kanal (Rdson = 40mOhm) vermessen, wenn der zu ist messe ich ca. 3 Mega Ohm und im Datenblatt steht 1.0 µA Zero Gate Voltage. Sind irgend welche Messfehler ... mit dem Multimeter. Wie groß sind die Ströme die du schaltest und wie groß sind deine zu schaltenden Widerstände? Gibt es da keine billigen N oder P-Kanal Mosfets in SMD-Form die dafür ausreichen? lg
also um selbst mal ein Gefühl dafür zu bekommen, habe ich auch mal ein paar Mosis vermessen (BUZ12 (42A) und IRF3205 (110A) - keiner zeigt unter 20MOhm an (was die Bereichsgrenze meines Digitalmultimeters ist). Dann habe ich noch mein altes analoges Multimeter rausgeholt (bei denen ist der Ohmmeßbereich ja sozusagen unendlich), welches generell eine höhere Meßspannung hat (1,5V) - nur beim besten Willen erkenne ich da einen hauchfeinen Ausschlag - ich schätze mal mindestens 100MOhm. Beim p-Kanal IRF9540 siehts nicht anders aus. Und bei denen werden auch einige 10 bis einige 100µA (je nach Temp.) als Leckstrom angegeben. Wenn deine also plötzlich unter 1MOhm liegen, würde ich diese doch etwas als angeschlagen betrachten.
Leute, das ist bestimmt der Typ, der einen mikroprozessorgesteuerten Widerstand sucht, mal wieder unter neuem Namen. Da ist jeder Erklärungsversuch vergeblich. Er hat keinen Plan von gar nichts. Leute mit viel Langeweile können sich bestimmt noch lange an Marcs aka Peters (vielfrass) Unwissen die Zähne ausbeißen. Habt Spaß dabei!
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