Kennlinie einer 1N4148

#786935
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Versuche die Kennlinie einer 1N4148 aufzunehmen.

Leider wird die Diode ab TBD Ampere zur Leuchtdiode.
Laut Datenblatt verträgt die Diode 75mA
Will aber die Kennlinie bis 100 oder mehr Ampere haben.

Da die Diode mit 4ns angegeben ist, könnte ich doch mit kurzen Impulsen 
im us Bereich arbeiten. Was spricht dafür? Welche Effekte sind zu 
erwarten?
Gibt es eine theoretische Grenze?
Moderator Persönliche Seite #786949
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Peter X. wrote:

> Will aber die Kennlinie bis 100 oder mehr Ampere haben.

Was für einen Sinn soll das haben?  Effektiv wirst du dort nur noch
die Bahnwiderstände messen.  Wenn du in den bereits genannten
Datenblättern von NXP mal guckst siehst du, dass die Kurve ab einem
bestimmten Strom praktisch eine Gerade wird, also ein ohmscher
Widerstand.

> Da die Diode mit 4ns angegeben ist, könnte ich doch mit kurzen Impulsen
> im us Bereich arbeiten.

Nur nebenbei: das schnelle Ein- und Ausschalten von 100 A will auch
erstmal gekonnt sein...
Gast #787578
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naja, falls die Diode an einer Stelle sitzt wo ev. mal jemand z.B. 
Netzspannung statt 12V anlegt, ist es nicht schlecht wieviel Energie die 
Diode aufnehmen kann bevor irgendwas anderes nachgibt...
will man sowas messen, sollte das allerdings schnell geschehen. Auch ist 
eine  gewisse Bevorratung mit Prüflingen sicherzustellen.

aeh, und die Schutzbrille nicht vergessen!
Gast #787832
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alternativ den motorraum mit uran ausstopfen und den kofferraum mit 
gerade noch gasförmigem helium füllen, dann richtet sich das auto 
nase-voraus aus.
wer eine KENNLINIE (der begriff kenn-werte darf einen da nicht stören) 
einer 1N4148 bei 100A messen will, bringt auch das locker zu stande.

p.s.: noch besser wäre ein neutronenstern-brocken im motorraum, die sind 
auch recht schwer!
Gast #788137
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also mit ein paar schnellen LeistungsMosfets sollten mann im Bereich 
einiger 10ns schon Impulse hinbekommen, wenn die Treiberstufe flott 
genug ist. Dabei reicht es sicherlich aus, einen Mosfet zu nehmen, der 
vielleicht nur 30A oder weniger Dauer aushält, denn bei Pulsen wird je 
in der Regel ungefähr das vierfache als Imax angegeben, und bei nur ein 
paar 10ns kann man wohl einen Mosfet weiter ausreizen. Da man also einen 
relativ schwachen Mosi benutzen kann, wird durch die damit verbundene 
allgemein kleinere Gatekapazität bzw. Ladung auch der Treiber weniger 
gefordert.
Man braucht aber schon eine etwas höhere Spannung, weil bei solch hohen 
Strömen auch die Spannungsabfälle schon reichlich werden bei solch 
"schwachen Bauteilen".
Gast #788877
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Setzen wir also eine maximale Verlustleistung von 200mW und einen 
Bahnwiderstand von 1 Ohm der Diode an.

Das macht also 10kW im Dauerbetrieb.

Ein Pulsen mit 1kHz sollte (tja, der Wert ist aus der Luft gegriffen) 
eine gute Mittelung der thermischen Belastung ergeben. Ein 
Tastverhältnis von 1:50000 begrenzt die Verlustleistung auf das gegebene 
Maximum. Es ergibt sich folglich eine Pulsdauer von 20ns.

Der Spannungsabfall an der Diode beträgt 100V (aua). Wir nehmen also 
einen Kondensator, der aus einem Netzteil gemütlich auf 100V aufgeladen 
wird.

Der ESR des Kondensators sollte klein sein gegenüber dem Bahnwiderstand 
der Diode und nun schalten wir mit einem MOSFET (klar, kleiner RDSon) 
die Diode an den Kondensator.

Für den  Kondensator reicht ein "relativ" kleiner Typ, z.B. 1uF (100A x 
20ns / 2V (dU)), der wohl am besten aus einigen keramischen 
Kondensatoren aufgebaut wird, sagen wir 100 Stück 10nF.

Der Knackpunkt dürfte die schnelle Ansteuerung des MOSFET sein, 
insbesondere, weil seine Drain(!)-Source-Kapazität sehr schnell 
umgeladen (100V!) werden muss.

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