hi zusammen, eigentlich eine Anfängerfrage, aber ich brüte schon entliche Tage darüber: Ich habe einen N-MosFet den ich von einem uC ansteuern möchte. Da ich mir aber wünsche, dass der MosFet möglichst niederohmig wird, möchte ich am Gate mehr als die 5V vom uC anlegen können (Sourche liegt auf GND). Die Versorgungsspannung der Schaltung selber beträgt 12V. Wie muß eine Schaltung zum Treiben des Fets aus diskreten Bauteilen aussehen? Durch so eine Schaltung dürften sich auch die Schaltzeiten verkürzen? Brauche nur einen Tip, ich welche Richtung ich denken muß... Vielen Dank! Felix
Einen NPN an den Ausgang, am kollektorwiderstand das Gate. Falls das Gate viel Kpazitaet hat, resp. Schneller geschaltet werden muss, nach dem Kollektowiderstand ein Emitterfolger an das Gate.
hi, danke für die Antwort. Das ist natürlich eine Möglichkeit, allerdings fließt zumindest in einem Zustand immer ein Strom, und je schneller man schalten will, um so größer muß der sein. ich hatte eher gehofft, dass es einen Schaltungsansatz mit zwei Transistoren gibt, von denen einer immer sperrt. gruß
>ich hatte eher gehofft, dass >es einen Schaltungsansatz mit zwei Transistoren gibt, von denen einer >immer sperrt. Gegentaktendstufe: NPN und PNP mit gemeinsamem Emitter und Basis- anschluß. Collector NPN an 12V, C von PNP an GND.
Diese Gegentaktstufe braucht zwar keinen Dauerstrom, aber einen Pegelwandler vorneweg. Üblicherweise ist das dann ein NPN-Transistor mit Kollektorwiderstand - und damit ist in einem Zustand der Dauerstrom wieder da.
Vielleicht mehrere CMOS-Inverter parallel? Die haben glaube ich eine Totem-Pole-Ausgangsstufe (Gegentaktstufe mit MOSFETs). Die Pegelschieberschaltung kannst du mit einem Kleinsignal Digital-MOSFET und einem großen Widerstand am Drain aufbauen. So fließen nur noch ein paar uA. Gruß Mandrake
Was haelts du von dieser Schaltung. Q2 ist in Kollektorschaltung und sorgt fuer den Einschaltstrom. Wenn Q1 leitend wird dann sperrt er Q2 und endlaedt gleichzeitig mittels der Diode die Gatekapazitaet. Gruss Helmi
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