n-Kanal <-> p-Kanal MOSFET ?

Der N-Mosfet leitet durch Elektronen, und der P-Mosfet leitet durch 
Löcher. Da die Mobilität der Löcher nur bei 471 (Im Vergleich, die 
Mobilität der Elektronen liegt bei 1417) in Silizium ist, sind P-kanal 
Mosfets immer schlechter.
N-Mosfets leiten bei positiver Gate-Source Spannung und P-Mosfets 
leiten bei negativer Gate-Source Spannung.

>2) Es wird ja immer noch irgendwie die Spannung UDS, die Einfluss auf
>den Strom ID hat angegeben. Nun verstehe ich aber nicht warum UDS
>überhaupt einen Wert anders als null anhemen kann. Ich meine wenn der
>Schalter (MOSFET) geschlossen (->Kurzschluss) ist, ist dort ja auch kein
>Sapnnungsabfall, also UDS = 0V ???
Weil der Mosfet eine spannungsgesteuerte Stromquelle ist, aber wie 
alles: nichtideal? Man muss den FET ja nicht immer nur als Schalter 
betreiben.
Bei einer gegebenen UGS kann ein bestimmter Strom IDS fließen, der sich 
nur unwesentlich ändert, wenn die UDS verändert wird.

ja, man kann ohne p-Kanal auskommen. Man kann auch ohne pnp-Transistoren 
auskommen. Aus gutem Grund gibts aber beide Typen :-)
Stell dir eine Schaltung vor, die nur mit 5V versorgt wird. Und du 
willst die 5V schaltbar nach aussen geben. Mit einem n-Kanal hast du ein 
Problem, braucht ne Gatespannung von min. 8V. Levelshift dementsprechend 
ebenfalls. Also nimmt man einen p-Kanal, und schaltet das Gate nach 
Masse. Der FET "sieht" eine Gatespannung von -5V, ist sehr zufrieden 
damit und schaltet brav durch.