relaissteuerung per mc über transistor?

OP #812368
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hallo, ich möchte per microcontroller ein relais (spulenspannung 12V; 
spulenstrom 33mA) steuern. da muss ich wohl einen transistor 
zwischenschalten, denn der mc hält nur 10mA aus.
frage: welchen transistor kann ich nehmen, und wenn wo muss ich noch 
widerstände einbauen?
OP #812724
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vielen dank, und jetzt brauche ich noch fast das gleiche für die 
steuerung eines relais (spulenspannung 12V; spulenstrom 2A!), der mc 
hält nur 10mA aus.
frage: kann ich den 
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MJE700-D.PDF nehmen? DAS IST 
EIN NPN DARLINGTON; 4A; 80V; wieder mit 2k2 zwischen µC und Basis, 
Relais von Kollektor nach +12V,
Emitter auf GND, Freilaufdiode parallel zu Relais?
Gast #812765
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>Schau dir das Schaltbild vom Transistor an, selbst ohne Widerstand geht
>da nix kaputt, der Basistrom ist ja unter einem 1mA
????
Der Basisstrom wird ohne Widerstand so groß, was die Quelle hergeben 
kann.
Gast #812791
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Ein Standard Wert für Vorwiderstände am Gate des Mosfet wäre z.B. 470 
Ohm.
Damit wird ein Standard TTL Pegel Ausgang (5V) eines Mikrocontrollers 
maximal mit I = U / R = 5 V / 470 Ohm = 11 mA belastet, was zumindest 
die AVR´s abkönnen (20mA). Bei 8051ern ists natürlich schon zu viel.
Gast #812925
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>????
>Der Basisstrom wird ohne Widerstand so groß, was die Quelle hergeben
>kann.
Der MJE hat interne Basis-Emitter Widerstände. Also trifft deine Aussage 
nicht zu

>Ein Standard Wert für Vorwiderstände am Gate des Mosfet wäre z.B. 470
>Ohm.

So ein Quatsch. Es fließt doch gar kein Gatestrom (wie soll denn der 
Port belastet werden) also bringt ein Vorwiderstand nichts. Du kannst 
damit höchstens die Flankensteilheit verringern (10 -100Ohm). Ich denke 
aber nicht dass du hier hohe Schaltfrequenz hast. Du könntest höchtens 
einen Widerstand zwischen Gate und Source tun um ein definiertes 
Gatepotential bei hochomigen oder abgeschaltetem MC zu  haben, dann aber 
bitte ein paar kOhm, der Port braucht ja nict unnötig belastet zu 
werden.
Gast #812965
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Les dir mal die Funktionsweise der MOSFETs durch. Natürlich fließt da 
kurzzeitig ein Strom. Bei großen Typen können Ströme im Ampere-Bereich 
fließen! Halt nur sehr kurz - wie auf einen Kondensator eben.
Gast #812973
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>>Der Basisstrom wird ohne Widerstand so groß, was die Quelle hergeben
>>kann.
>Der MJE hat interne Basis-Emitter Widerstände. Also trifft deine Aussage
>nicht zu
So wie ich das Datenblatt gelesen habe, sind da die BE-Widerstände 
parallel zu den beiden Dioden des Darlington. Und da fließt viel 
Strom, wenn du eine konstante Spannung > 1.5V anlegst. Und dann trifft 
meine Aussage sehr wohl zu!

>>Ein Standard Wert für Vorwiderstände am Gate des Mosfet wäre z.B. 470
>>Ohm.

>So ein Quatsch.

Kein Quatsch!
MOSFETS haben im nF-Bereich Kapazitäten. Dynamisch fließt das sehr wohl 
Strom (beim Umschalten) und das kann einen treibenden Ausgang schon 
über Gebühr belasten. In bestimmten Anwendungen sind einige zig Ohm nahe 
dem Gate gut für die Stabilität.

>aber ich will doch nun den mje800 nehmen, benötige ich nun einen
>widerstand?
Ja, auf jeden Fall!
Mach 2,2kOhm, 5k oder 10k rein - was halt gerade zur Hand ist.

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