Optokoppler: herausgeführte Basis beschalten?

[Jochen M. (taschenbuch)]

Liebe Leute
Bei zahlreichen gängigen Optokopplern (cny17, 4n3x,...) ist die Basis 
des Empfangstransistors ja herausgeführt. Teilweise habe ich 
festgestellt, reagiert die sehr giftig auf die Annäherung meiner Hand 
und erst recht natürlich bei Berührung. Wenn die Basis 
schaltungstechnisch nicht benötigt wird, wie wird die eigentlich dann 
normalerweise beschaltet? Die einfach offen in der Luft hängen zu 
lassen, kann es ja wohl nicht sein, oder?

Gruss
Jochen Müller

[Izmir Übel (Gast)]

Früher haben wir einen Widerstand von ca. 1 MOhm zum Emitter hin 
eingefügt.
Bei kleineren Widerständen sinkt das Stromübertragungsverhältnis von
Leuchtdiode zu Fototransistor.

[... (Gast)]

Macht sich der Widerstand bei der Schaltgeschwindigkeit positiv 
bemerkbar? Theoretisch sollte doch die BE-Diode des Transistors 
schneller sperren, oder?

[Bensch (Gast)]

Wenn man das Datenblatt gelesen hätte, würde man wissen, dass die 
Schaltgeschwindigkeit erhöht wird durch einen Widerstand.

[Dieter W. (dds5)]

... wrote:
> Macht sich der Widerstand bei der Schaltgeschwindigkeit positiv
> bemerkbar? Theoretisch sollte doch die BE-Diode des Transistors
> schneller sperren, oder?

Sooo isses, Transistor schaltet wenig bis gar nicht schneller ein und um 
einiges schneller aus.
Da es (fast) nichts ohne Gegenleistung gibt, nimmt dafür der 
Stromübertragungsfaktor ab.

[Norgan (Gast)]

Eine der spärlichen Infos zur Optokoppler-Beschaltung die ich kenne: 
http://www1.jaycar.com.au/images_uploaded/optocoup.pdf

[Frankl (Gast)]

Habe schon seid Jahren 4x6N136 ohne Basisbeschaltung als ISP Adapter 
laufen und das ohne Probleme.
Vielleicht habe ich nur Glück.

[Michael E. (micde)]

Izmir Übel wrote:
> Früher haben wir einen Widerstand von ca. 1 MOhm zum Emitter hin
> eingefügt.
> Bei kleineren Widerständen sinkt das Stromübertragungsverhältnis von
> Leuchtdiode zu Fototransistor.

Hm... ich habe gerade das selbe naja "Problem" mit einem MOC206.
Und ich frage mich ob der Emitter des Fototransistors gemeint ist
oder zu dem IR-Emitter.

Wohl eher das Erstere, da sonst die galvanische Trennung futsch wäre.

Gruß

Michael

[yalu (Gast)]

> Wohl eher das Erstere, da sonst die galvanische Trennung futsch
> wäre.

So ist es. Diesen Widerstand zwischen Basis und Emitter verwendet man
auch oft bei gewöhnlichen Transistorschaltungen, um beim Sperren des
Transistors die Ladung aus dem PN-Übergang zwischen Basis und Emitter
schneller herauszubekommen. Dabei fließt aber bei leitendem Transistor
ein Teil des Eingangsstroms über den Widerstand ab, so dass der
Basisstrom und damit die Stromverstärkung der gesamten Anordnung
geringer ist.  Entsprechend wird beim Fototransistor ein Teil des
Fotostroms abgeleitet, wordurch die Empfindlich sinkt.

[Michael E. (micde)]

okay, danke für die gute erklärung und die schnelle hilfe :)