Liebe Leute Bei zahlreichen gängigen Optokopplern (cny17, 4n3x,...) ist die Basis des Empfangstransistors ja herausgeführt. Teilweise habe ich festgestellt, reagiert die sehr giftig auf die Annäherung meiner Hand und erst recht natürlich bei Berührung. Wenn die Basis schaltungstechnisch nicht benötigt wird, wie wird die eigentlich dann normalerweise beschaltet? Die einfach offen in der Luft hängen zu lassen, kann es ja wohl nicht sein, oder? Gruss Jochen Müller
Gast
#828504
Früher haben wir einen Widerstand von ca. 1 MOhm zum Emitter hin eingefügt. Bei kleineren Widerständen sinkt das Stromübertragungsverhältnis von Leuchtdiode zu Fototransistor.
Gast
#829410
Macht sich der Widerstand bei der Schaltgeschwindigkeit positiv bemerkbar? Theoretisch sollte doch die BE-Diode des Transistors schneller sperren, oder?
Gast
#829472
Wenn man das Datenblatt gelesen hätte, würde man wissen, dass die Schaltgeschwindigkeit erhöht wird durch einen Widerstand.
... wrote: > Macht sich der Widerstand bei der Schaltgeschwindigkeit positiv > bemerkbar? Theoretisch sollte doch die BE-Diode des Transistors > schneller sperren, oder? Sooo isses, Transistor schaltet wenig bis gar nicht schneller ein und um einiges schneller aus. Da es (fast) nichts ohne Gegenleistung gibt, nimmt dafür der Stromübertragungsfaktor ab.
Gast
#829626
Eine der spärlichen Infos zur Optokoppler-Beschaltung die ich kenne: http://www1.jaycar.com.au/images_uploaded/optocoup.pdf
Gast
#829634
Habe schon seid Jahren 4x6N136 ohne Basisbeschaltung als ISP Adapter laufen und das ohne Probleme. Vielleicht habe ich nur Glück.
Izmir Übel wrote: > Früher haben wir einen Widerstand von ca. 1 MOhm zum Emitter hin > eingefügt. > Bei kleineren Widerständen sinkt das Stromübertragungsverhältnis von > Leuchtdiode zu Fototransistor. Hm... ich habe gerade das selbe naja "Problem" mit einem MOC206. Und ich frage mich ob der Emitter des Fototransistors gemeint ist oder zu dem IR-Emitter. Wohl eher das Erstere, da sonst die galvanische Trennung futsch wäre. Gruß Michael
Gast
#955505
> Wohl eher das Erstere, da sonst die galvanische Trennung futsch > wäre. So ist es. Diesen Widerstand zwischen Basis und Emitter verwendet man auch oft bei gewöhnlichen Transistorschaltungen, um beim Sperren des Transistors die Ladung aus dem PN-Übergang zwischen Basis und Emitter schneller herauszubekommen. Dabei fließt aber bei leitendem Transistor ein Teil des Eingangsstroms über den Widerstand ab, so dass der Basisstrom und damit die Stromverstärkung der gesamten Anordnung geringer ist. Entsprechend wird beim Fototransistor ein Teil des Fotostroms abgeleitet, wordurch die Empfindlich sinkt.
okay, danke für die gute erklärung und die schnelle hilfe :)