VTEMP Parameter in pspice modell von Fairchild FET FDV301N

Hochpass Gast #828643
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Wenn ich mir das Symbol in für pSpice erstelle, sind 4 Pins am Modell 
vorhanden. Der vierte Pin inst VTEMP. Was macht man mit diesem Pin, wie 
kann ich mit dem Pin die Temperatur vorgeben.

Auszug aus dem Modell:

*FDV301N at Temp. Electrical Model
*-------------------------------------
.SUBCKT FDV301N 20 10 30 50
*20=DRAIN 10=GATE 30=SOURCE 50=VTEMP
Rg 10 11x 1
Rdu 12x 1 1u
M1 2 1 4x 4x DMOS L=1u W=1u
.MODEL DMOS NMOS(VTO=0.9 KP=4.12E-1
+THETA=0.25 VMAX=1.5E5 LEVEL=3)
Cgs 1 5x 78p
Rd 20 4 1.5E-1
Dds 5x 4 DDS
.MODEL DDS D(M=3.61E-1 VJ=8.34E-1 CJO=12.08p)
Dbody 5x 20 DBODY
.MODEL DBODY D(IS=7.78E-9 N=1.946325 RS=0.023193 TT=15.97n)
Ra 4 2 1.5E-1
Rs 5x 5 0.5m
Ls 5 30 0.5n
M2 1 8 6 6 INTER
E2 8 6 4 1 2
.MODEL INTER NMOS(VTO=0 KP=10 LEVEL=1)
Cgdmax 7 4 75p
Rcgd 7 4 10meg
Dgd 6 4 DGD
Rdgd 6 4 10meg
.MODEL DGD D(M=0.270882 VJ=4.24E-6 CJO=75p)
M3 7 9 1 1 INTER
E3 9 1 4 1 -2
*ZX SECTION
EOUT 4x 6x poly(2) (1x,0) (3x,0) 0 0 0 0 1
FCOPY 0 3x VSENSE 1
RIN 1x 0 1G
VSENSE 6x 5x 0
RREF 3x 0 10m
*TEMP SECTION
ED 101 0 VALUE {V(50,100)}
VAMB 100 0 25
EKP 1x 0 101 0 .1
*VTO TEMP SECTION
EVTO 102 0 101 0 .003
EVT 12x 11x 102 0 1
*DIODE THEMO BREAKDOWN SECTION
EBL VB1 VB2 101 0 .08
VBLK VB2 0 25
D 20 DB1 DBLK
.MODEL DBLK D(IS=1E-14 CJO=.1p RS=.1)
EDB DB1 0 VB1 0 1
.ENDS FDV301N
*FDV301N (Rev.B1) 5/15/02 **ST

Danke schon mal ein etwas genervter Hochpass.
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sous Gast #984235
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Ich stehe vor genau dem selben Problem:
Möchte FDN342P von Fairchild mit SwCad simulieren bekomme es nicht zum 
Laufen.
Naheliegende Sachen habe ich probiert:
- Pin mit einem der anderen Anschlüsse (G,D,S) verbunden,
- mit GND verbunden,
- mittels einer Spannungsquelle auf 20, 300, 0.3, auch mal negative 
Werte oder mit einer Rampe von -200 bis +200,
das FET-Model tut bei mir nix.

Also: Was GENAU macht man mit dem Anschluss vtemp?
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Norgan Gast #984493
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> Also: Was GENAU macht man mit dem Anschluss vtemp?

Frag Fairchild oder "male" dir den folgenden Teil im Detail raus:

> *TEMP SECTION
> ED 101 0 VALUE {V(50,100)}

Spannungsgesteuerte Spannungsquelle zwischen 101 und GND, gesteuert von 
der Spannungsdifferenz an Node 50 (VTEMP) und 100.

> VAMB 100 0 25

Konstante Spannung von 25V an Node 100. AMB vermutlich für "ambient". 
25V repräsentieren vermutlich 25 Grad C. Damit wird obige ED 
Spannungsquelle zur Differenz von VTEMP und 25.

> EKP 1x 0 101 0 .1

Noch eine spannungsgesteuerte Spannungsquelle. 1/10 von ED wird irgendwo 
im Subcircuit (als Offset?) eingespeist. Wo musst du selber nachsehen, 
halt da wo im anderen Teil Node 1x verwendet wird.

> *VTO TEMP SECTION
> EVTO 102 0 101 0 .003

Und noch eine. 1/333 von ED an einen neuen Node 102 gegnen GND.

> EVT 12x 11x 102 0 1

Noch eine. Jetzt wird EVTO (= 1/333 ED) an den Nodes 12x und 11x 
eingespeist. Wo das ist darfst du selber nachsehen,

> *DIODE THEMO BREAKDOWN SECTION
> EBL VB1 VB2 101 0 .08

Wie gehabt, noch eine spannungsgesteuerte Spannungsquelle. 1/12.5 von ED 
gehen diesmal an VB1 VB2.

> VBLK VB2 0 25
> D 20 DB1 DBLK
> .MODEL DBLK D(IS=1E-14 CJO=.1p RS=.1)

Konstante Spannung an VB2 (25V) und eine Diode (was man nach dem 
Kommentar "*DIODE THEMO BREAKDOWN SECTION" erwarten konnte), vom Drain 
zu DB1.

> EDB DB1 0 VB1 0 1

Und an DB1 liegt mal wieder eine spannungsgesteuerte Spannungsquelle 
gegen GND, abhängig von der Spannung an VB1. Und VB1 wird von EBL auf 
1/12.5 ED gegen VB2 gehalten, wobei VB2 konstante 25V gegen GND sind.

Kurz und gut, VTEMP steuert indirekt diverse kleine Offsetspannungen im 
Subcircuit. Vermutlich um unterschiedliche Temperaturen relativ zu 25 
Grad Celsius zu simulieren. Für den Anfang würde ich VTEMP auf 0V legen, 
eine ganz einfache Schaltung drumherum zusammenklicken 
(Eingangsspannungsquelle und ein Ausgangswiderstand gegen Vcc) und mir 
dann mal ansehen, wie diverse Simulationsausgaben mit den Daten im 
Datenblatt für einen dort angegebenen Temperaturbereich übereinstimmen. 
Dann VTEMP auf 100V und nochmal sehen was rauskommt.
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