Ok. danke.
Aber wird die Schaltung auch ohne Z1 und D2 funktionieren. angenommen
ich würde einen MOSFET nehmen, der bis 100V Uds aushalten kann, kann man
dann Z1 weglassen? Denn laut Schaltung von oben ist Uin=36V. Maximale
Spannung an Drain-Source-Strecke wäre also 2xUin=72V.
Ich denke Z1 hat anderen Zweck als Uds zu begrenzen.
Außerdem habe ich mal gesehen, dass man statt Z1 einen R || C einsetzt.
Ich denke eher an folgenden Zweck von Z1:
Sobald MOSFET leitend, lädt sich die Spule mit Strom auf. Magnetisch
Feld wird aufgebaut.
Sobald MOSFET sperrt, bewirkt das magnetische Feld die
Polaritätumkehrung an der Induktivität (Lorenzsche Regel) - um den
Stromfluss beizubehalten.
Damit also der Strom weiterfließen kann, muss zur Induktivität parallel
ein Stromkreis gebildet werden (wo soll den der Strom hin?). Deshalb
setzt man parallel zur Induktivität Z1 ein. Würde man aber nur ein
Kurzschluss bauen - also nur D2 einsezten ohne Z1. So würde sich die
Spannungsdifferenz an der Induktivität schnell ausgleichen und
magnetische Feld würde in sehr kurzer Zeit zusammenbrechen -> keine
Übertragung. Weil die Spannung an der Induktivität während der
Sperrphase an der Induktivität andauern muss, setzt man hier eine Zener
oder TVS-Diode ein - die Zwar Stromfluss erlaubt und gleichzeitig die
Spannung hält. Das selbe macht ein R || C Netzwerk. Wobei hier muss R im
kiloohm bereich liegen, C dient dann einer "Entprellung".
Was meint ihr?
LM3478_Beschaltung.jpg
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