Die Idee mit dem MOSFET als Verpolschutz ist mir vorher kurz nach dem
Abschicken meines letzten Posts in deinem anderen Thread auch
gekommen.
Mit 250mA etwas kräftiger als der BS107 (150mA) ist der BS108.
Allerdings würde ich den MOSFET für deine Anwendung lieber kräftig
überdimensionieren. Der BS108 hat ein RDSon von 8 Ohm, was bei einem
Strom von 50mA einen Spannungsabfall von 0,4V bedeutet. Beim BS107 ist
er noch ein ganzes Stück höher. Gegenüber der Diode hast du also
nichts gewonnen. Bei höheren Strömen schneiden diese kleinen MOSFETs
gegenüber der Diode noch schlechter ab.
Aber warum kein BUZ11 o.ä.? Zu groß oder zu teuer? Es gibt auch kleine
MOSFETs mit geringem RDSon, allerdings sind die praktisch alle SMD
(z.B. SO-8).
Noch einmal zurück zu den Dioden: Du könntest auch zwei davon nehmen,
eine für den stromfressenden Teil, wo der Spannungsabfall keine Rolle
spielt und eine für den Teil, der die Programmierspannung schaltet. Da
letzterer höchstens ein paar mA benötigt, sinkt auch der Spannungs-
abfall an der Diode.
Ich habe übrigens gerade gesehen, dass sich die 0,26V bis 0,33V im
Datenblatt der BAT43 auf ein IF von 2mA beziehen. Bei IF=200mA steigt
die Durchlassspannung auf max. 1V. Vielleicht ist diese Diode doch
nicht so geschickt.
Eine Alternative wäre die 1N5818. Die verträgt 1A und hat eine
Durchlassspannung von unter 0,3V bei 200mA und unter 0,2V bei 10mA.
Nimm wie oben geschrieben zwei davon, dann bist du dem Ideal schon
sehr nahe :)
