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basiswiderstandGuten Tag, ich möchte einen Transistor BC337 verwenden und habe in eurem Forum dieses Beispiel gefunden. Ich möchte den Basiswiderstand Rb berechnen, aber ich verstehe nicht, wie man auf den Wert von 470 Ohm gekommen ist. Ich habe das Datenblatt gelesen, konnte jedoch keine Informationen dazu finden."
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Wenn du von einer Stromverstärkung von 50 (beta) ausgehst, brauchst du 10mA Basisstrom um 500mA zu schalten. R = (5V -0.7V) / 10mA = 430Ohm, 470Ohm ist der Nächste in der E-Reihe. https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor Falsches Forum -> Analogtechnik
Das hängt mit der Stromverstärkung des Transistors zusammen. Habe ich 500mA Ice, bei einer Verstärkung von z.B. 250, dann benötigt man 2 mA Basistrom. Mit der Formel :R=U/I wird dann der Basis-Widerstand berechnet. und da man den Transistor als Schalter in Sättigung betreiben möchte für geringste Uce nimmt man 3-5x den nötigen Basistrom gegenüber von normaler Verstärkung. aber gemäss datasheet Ube=1.2V et Hfe=100 Moin,
Tja, und wenn du die Wahl hast, wem glaubst du mehr - den Datenblaettern der Hersteller oder irgendwelchen Ostzonen-Rentner-Internet-Foren ;-)? (also ich glaube den Datenblaettern mehr und komme da zum Schluss, dass die 470 Ohm aus dem Artikel eher hochgegiffen sind. Und auch eine 1N4148 eher nicht sooo gut geeignet ist, um den Strom von 500mA im Ausschaltmoment zu uebernehmen). scnr, WK
+1 (ich wäre da sofort auf den nächst niedrigen 390 Ohm gegangen oder hätte neu gerechnet)
aber wie bist du auch auf disem wert gekommen ??
passendes Datenblatt, geringste hfe oder ß und Basisstrom 3x bis 5x für Sättigung und geringste Uce. Moin,
Um auf einen Wert zu kommen, wuerde ich mir mal z.B. das Datenblatt von On Semi hernehmen. Dort intensiv auf die Figure 4 (Saturation Region) und Figure 5 ("On" Voltages) starren. Dann feststellen, dass ich nach Fig.4 mindestens 20mA Basisstrom fliessen lassen sollte, damit das Dingens bei 500mA Ic so halbwegs in die Saettigung geht. Was nach Fig.5 so ungefaehr eine UBE von so um die 0.9V zur Folge haette. Damit also einen Basiswiderstand von (5-0.9)V / 20mA = 205 Ohm. Also eher 180 Ohm waehlen (und mich fragen, ob denn die Schaltung, wo die >20mA dann herkommen sollen das auch wirklich liefern kann). Eigentlich wuerde ich recht schnell feststellen, dass dieser Transistor nicht gerade das Nonplusultra fuer diese Aufgabe ist, und den dann nur hernehmen, wenn ich den hier schon massig rumfliegen haette und keinen anderen, besser geeigneten auftreiben koennte. Gruss WK Ein BC337 (Standard, ohne -16, -25 oder -40) hat eine minimale Stromverstärkung von 100 linear und bei 500mA Kollektorstrom noch 40. Dabei ist er noch nicht mal garantiert in der Sättigung, was man üblicherweise beim Schaltbetrieb haben will. Also dafür noch mal den Faktor z.B. 3-5 hinzurechnen. 500mA / 100 * 4 = 20mA - das wäre der richtige Basisstrom. Ansteuerung mit 5V, minus die UBE, gibt 4.3V. Wenn 20mA fließen sollen, ergibt das 215Ω. Jetzt kannst du den Übersteuerungsfaktor kleiner wählen (warum nicht, dem Relais fehlen dann halt noch einige zehn mV), z.B. nur den Faktor 2. Dann ergeben sich 430Ω. Also passen 390Ω oder auch 470Ω immer noch brauchbar. Und wenn es ein -40 ist, dann darf der Widerstand auch größer sein.
Na ja, man könnte eher sagen 220 passen wie berechnet brauchbar, 470 baut darauf dass der Transistor besser ist als das Datenblatt verspricht, Prinzip Hoffnung, widerspricht aber der Rechnung.
Was auch meistens der Fall ist. Am Ende der Salami kommt sowieso raus, dass der TE weniger als 500mA schalten will und ein 2k2 Basiswiderstand ausreichend ist.
Mag sein. Für mich liest sich der Eröffnungspost aber so, dass er einfach wissen möchte, wie man das berechnet, er konnte es aus den gegebenen Daten nicht nachvollziehen. Gesucht war: Wissen. Nicht der konkrete Wert für irgend ein Bauteil in einer bestimmten Schaltung... Aus dem Datenblatt ergibt sich, dass UBE =1,2 V beträgt. Für ℎ𝐹𝐸=100 bei 𝐼𝐶=100 Ib = Ic/hFE=100/100 =1 mA, Ibü =Ib*ü=5mA mit(ü=2..5) Rb = 5-1.2/5 = 760 Ohm Können Sie bitte das Datenblatt überprüfen und mir sagen, ob meine Berechnungen richtig sind? Danke.
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Moin,
Ja, passt; kann man so rechnen. Gruss WK
Wenn du streng nach Dabla arbeitest, dann ist alles korrekt. Wobei ein UBE von 1,2V so gut wie nie eintreten wird. Meistens sind es bei mittlerer Belastung etwa 0,8V. Deshalb nimm ruhig den nächsthöheren Widerstand aus der E12-Reihe (820R).
im Transistor ,nähmen wir nicht den nächstkleinere wert also 750 Ohm oder !!!!
Ja, das kannst du auch machen. Wenn du einen ü-Wert von 4 annimmst, dann kannst du sogar 1k nehmen. Du merkst schon, dass man hier mit ein bisschen Fingerspitzengefühl hin- und her jonglieren kann.
Ja, und natürlich auch die Einschätzung, wie man im Praxisfall argumentieren kann und was alles Einfluss darauf hat. Und man muss auch unterscheiden, ob man für eine Großserie baut oder ein Einzelstück macht. Bei letzterem kann man mal nachmessen und nachkorrigieren, falls der Transistor mit seiner Verstärkung am unteren Ende liegen sollte oder man für die Last jedes mV braucht.
Und wenn du noch die im Datenblatt auch aufgeführten Varianten -16, -25 und -40 bez. hFE anschaust, dann kannst du auch den 'besseren' Transistor kaufen und dafür einen kleineren Basisstrom einstellen oder bei gleichem Basisstrom eine noch bessere CE-Sättigung (= kleinere Verlustleistung am T) erzielen. Mal ist das eine wichtiger, mal das andere ... Und oft reicht auch grobes Überschlagen: wenn die Steuerspannung auch den Wert der VCC hat (in deinem Bild), dann multipliziert man den Lastwiderstand durch den Stromverstärkungsfaktor und teilt dann durch den Übersteuerungsfaktor. Also: Last = 100Ω, hFEmin = 100, gibt 10kΩ, Faktor 3 -> Basiswiderstand 3k3 oder bei Faktor 4.x dann 2k2. Und nimmt man dafür einen MOSFET, dann erübrigt sich diese Betrachtung komplett. Beim Beispiel mit 500mA Laststrom sollte man das auch dringend in Erwägung ziehen. Dafür muss man schauen, dass die Gatespannung reicht.
Ähm, NEIN. hFE ist NICHT die Stromverstärkung im Schaltbetrieb, sondern die Stromverstärkung im Analogbetrieb bei der eine signifikante Spannung zwischen C und E nötig ist, damit der angegebene Strom fliesst. Üblicherweise 5V https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/BC546.pdf wobei in diesem Datenblatt ausnahmsweise 1V genannt wird. Im Schaltbetrieb möchte man den Transistor hingegen bis in die Sättigung (also UCE < UBE) aussteuern, damit er auch den im Datenblatt maximal zulässigen Strom schalten kann. Bei VCE(sat) steht dann man zum Schalten von 500mA lieber 50mA Basisstrom sehen will. Diese 1:10 Verhältnis ist üblich, schlechtere Transistoren haben 1:5, bessere 1:20 und nur Ausnahmen wie ZTX1047 auch mal 1:300 Sind meine Rechnungen falsch? können Sie bitte besser erklären mit datenblatt
Da du sie mit den falschen Annahmen beginnst: ja. hFE ist eben NICHT die Stromverstärkung im Schaltbetrieb. Ob man dann mit dem im Datenblatt garantierten Verhältnis 1:10 von IB zu IC weitermacht, oder mit hFE/3 wie manche sich hinwünschen, oder man sie gar aus der typischen Kurve IC zu IB im UCE Diagramm entnimmt (und weil dort nur typisch und nicht schlechtestenfalls steht zumindest den doppelten Basisstrom nimmt), ist Geschmackssache.
Bei Relaistreiberen kommt man normalerweise auch noch mit dem Wert 10...30 zurecht, wobei 500mA eigentlich schon deutlich höher liegt als bei Standardrelais.
Gast
#7655887
Die ist für 500 mA repetitive peak current spezifiziert. Wäre für 500 mA dennoch nicht meine erste Wahl. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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