BSS123 durch ESD kaputt. Das passiert bei so kleinen MOSFETs ratzfatz.
Die sind von Mouser und wurden letzten Monat extra für dieses Projekt gekauft. Mouser Nummer: 726-BSS123NH6327 https://www.mouser.ch/ProductDetail/Infineon-Technologies/BSS123N-H6327?qs=XxWtqqdu%2F9GP0hYRwMx53Q%3D%3D
wegen Unterspannung wegstirbt. Konrad S. schrieb im Beitrag #8044320: > Z.B. IRLML2502PbF statt BSS123 Perfekt. > IRLML6302PbF statt BSS84. Der ist immerhin ab 2,7V Gatespannung spezifiziert, aber gibt es denn nichts niederohmigeres? Für solche Basteleien setze ich NDP6020P ein, der aber
P-FET nicht > niederohmig genug wird und der µC wegen Unterspannung wegstirbt. Seh ich auch so. BSS123 oder BSS138 tun es da wunderbar. >> IRLML6302PbF statt BSS84. > > Der ist immerhin ab 2,7V Gatespannung spezifiziert, aber gibt es denn > nichts niederohmigeres? Für solche Basteleien setze
Vier Stück ist ja noch überschaubar. Die Pläne der Elektrotanya zeigen einen STF24NM60N, einen BSS12, STF24NM65N und einen MMBT3906. Die Daten und Beschaffungsquellen finden Google & Co.: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stf24nm60n.pdf https://www.diodes.com/datasheet/download/MMBT3906.pdf "bss12" findet nur bss123 und der hat SMD-Gehäuse https://www.st.com/resource/en/datasheet/stp24nm65n.pdf Den Grund des Kurzschlusses sollte man vor dem ersten Einschalten noch herausfinden, sonst kommt
Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein > Störstrahlungsreduzierwiderstand. Nicht in Verbindung mit dem gezeigten BSS123. Und auch mit einem fetten MOSFET bewirkt der Widerstand nur dann etwas, wenn der MOSFET niederohmig (also über einen Gate-Treiber) angesteuert wird. Wenn die Steuerung hingegen über einen CMOS-Ausgang
PCINT23) C C 3 C PB0(ICP1/CLKO/PCINT0) 12 PB1(OC1A/PCINT1) 13 5 T6 21 AGND PB2(SS/OC1B/PCINT2) 14 + BSS123 2 4 PB3(MOSI/OC2A/PCINT3) 15 X6 R 2 3 GND PB4(MISO/PCINT4) 16 1 2 5 17 3 4 VCC GND PB5(SCK/PCINT5) 5 6 C C MEGA328-AU T2 C 2 E ISP V 2 B T BSS123 S 2 2 R R10 E / / A R D D _ 1M B B P SW1 S S U U
3 4 D L115 G G J136 DGND J130 DGND N DGND N N 1 9 6 D D 1 1 1 D D D 1 1 GND1 J 9 1 4 1 9 N C J J J123 J119 1 DGND DGND 1 C R R R R R R D 1 1 D D D E J J146 3 1 1 8 8 8 8 2 7 G G J118 OH D C # R O O DGND DGND 2 3 4 0 7 5 3 1 D D J122 NVC S _ _ R , 01 C S S N E D D ILS 6 V C R D D J117 N D + VL 7 6 5
· 1 + J BS C B for BS> F CΦ B (1 − C )J ΦB· (1 − C ) VBS −M JSW CBSS · 1 − forBS ≤ FC·Φ B C BSS = ΦB dep C BSS M JSW· (BS − FC·Φ B MJSW · 1 + forBS > FC·Φ B (1 − C ) Φ B (1 − C ) (11.203) The diffusion capacitances of the bulk-drain and bulk-source junctions are determined by the transit time
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