Vier Stück ist ja noch überschaubar. Die Pläne der Elektrotanya zeigen einen STF24NM60N, einen BSS12, STF24NM65N und einen MMBT3906. Die Daten und Beschaffungsquellen finden Google & Co.: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stf24nm60n.pdf https://www.diodes.com/datasheet/download/MMBT3906.pdf "bss12" findet nur bss123 und der hat SMD-Gehäuse https://www.st.com/resource/en/datasheet/stp24nm65n.pdf Den Grund des Kurzschlusses sollte man vor dem ersten Einschalten noch herausfinden, sonst kommt
PCINT23) C C 3 C PB0(ICP1/CLKO/PCINT0) 12 PB1(OC1A/PCINT1) 13 5 T6 21 AGND PB2(SS/OC1B/PCINT2) 14 + BSS123 2 4 PB3(MOSI/OC2A/PCINT3) 15 X6 R 2 3 GND PB4(MISO/PCINT4) 16 1 2 5 17 3 4 VCC GND PB5(SCK/PCINT5) 5 6 C C MEGA328-AU T2 C 2 E ISP V 2 B T BSS123 S 2 2 R R10 E / / A R D D _ 1M B B P SW1 S S U U
Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein > Störstrahlungsreduzierwiderstand. Nicht in Verbindung mit dem gezeigten BSS123. Und auch mit einem fetten MOSFET bewirkt der Widerstand nur dann etwas, wenn der MOSFET niederohmig (also über einen Gate-Treiber) angesteuert wird. Wenn die Steuerung hingegen über einen CMOS-Ausgang
BSS123 durch ESD kaputt. Das passiert bei so kleinen MOSFETs ratzfatz.
Die sind von Mouser und wurden letzten Monat extra für dieses Projekt gekauft. Mouser Nummer: 726-BSS123NH6327 https://www.mouser.ch/ProductDetail/Infineon-Technologies/BSS123N-H6327?qs=XxWtqqdu%2F9GP0hYRwMx53Q%3D%3D
wegen Unterspannung wegstirbt. Konrad S. schrieb im Beitrag #8044320: > Z.B. IRLML2502PbF statt BSS123 Perfekt. > IRLML6302PbF statt BSS84. Der ist immerhin ab 2,7V Gatespannung spezifiziert, aber gibt es denn nichts niederohmigeres? Für solche Basteleien setze ich NDP6020P ein, der aber
P-FET nicht > niederohmig genug wird und der µC wegen Unterspannung wegstirbt. Seh ich auch so. BSS123 oder BSS138 tun es da wunderbar. >> IRLML6302PbF statt BSS84. > > Der ist immerhin ab 2,7V Gatespannung spezifiziert, aber gibt es denn > nichts niederohmigeres? Für solche Basteleien setze
· 1 + J BS C B for BS> F CΦ B (1 − C )J ΦB· (1 − C ) VBS −M JSW CBSS · 1 − forBS ≤ FC·Φ B C BSS = ΦB dep C BSS M JSW· (BS − FC·Φ B MJSW · 1 + forBS > FC·Φ B (1 − C ) Φ B (1 − C ) (11.203) The diffusion capacitances of the bulk-drain and bulk-source junctions are determined by the transit time
3 4 D L115 G G J136 DGND J130 DGND N DGND N N 1 9 6 D D 1 1 1 D D D 1 1 GND1 J 9 1 4 1 9 N C J J J123 J119 1 DGND DGND 1 C R R R R R R D 1 1 D D D E J J146 3 1 1 8 8 8 8 2 7 G G J118 OH D C # R O O DGND DGND 2 3 4 0 7 5 3 1 D D J122 NVC S _ _ R , 01 C S S N E D D ILS 6 V C R D D J117 N D + VL 7 6 5
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