-
PDF
tlv320aic23b.pdf
ACTIVE TSSOP PW 28 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) TLV320AIC23BIRHD ACTIVE QFN RHD 28 73 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) TLV320AIC23BIRHDG4 ACTIVE QFN RHD 28 73 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) TLV320AIC23BIRHDR
in „Mit welcher Frequenz muss jetzt der Muxer laufen?“ · FPGA, VHDL & Co. ·
-
PDF
uaf42.pdf
(6) (3) (4/5) UAF42AP ACTIVE PDIP N 14 25 Green (RoHS CU NIPDAU N / A for Pkg Type UAF42AP & no Sb/Br) UAF42APG4 ACTIVE PDIP N 14 25 Green (RoHS CU NIPDAU N / A for Pkg Type UAF42AP & no Sb/Br) UAF42AU ACTIVE SOIC DW 16 40 Green (RoHS CU NIPDAU Level-3-260C-168 HR -25 to 85 UAF42AU & no Sb/Br) UAF42AUE4
in „Rechteck Sinus“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
Datei
Chapter_9_Tests_-_Passed_-_2021-02-22_15-02-42.html
SYSTEM: </STRONG> Windows 10 Home (Build 17134.1.amd64fre.rs4_release.180410-1804)<BR></DIV> <DIV><STRONG>WORKSTATION: </STRONG> USBMANLAP<BR></DIV> <DIV><STRONG>DATE: </STRONG> Monday, February 22, 2021<BR></DIV> <DIV><STRONG>TIME: </STRONG> 03:03:44 PM<BR></DIV> <DIV><STRONG>OPERATOR: </STRONG> Thomas<BR></DIV> <DIV><STRONG>NUMBER OF TESTS: </STRONG> 15<BR></DIV> <DIV><STRONG>LOG NAME: </STRONG> Chapter 9 Tests - 2021-02-22 15-02-42<BR></DIV> <DIV><STRONG>RESULT: </STRONG> passed<BR></DIV> <HR> </DIV
in „STM32 USB Übertragungsproblem mit Code von S.F.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Si4320.pdf
2 180 200 225 BW Base-band bandwidth kHz mode 3 240 270 300 mode 4 300 350 375 mode 5 360 400 450 BR FSK bit rate With internal digital filters 115.2 kbps BRA FSK bit rate With analog filter 256 kbps -3 P Receiver Sensitivity BER 10 , BW=67 kHz, BR=1.2 kbps -109 -100 dBm min (Note 1) AFC range AFC locking
in „RF01 und RF02 433 MHz Funkmodul“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Bild
Tabelle der elektrischen Kennwerte des MPSA18
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 2) V(BR)CEO 45 Vdc (IC = 10 mAdc, IB = 0) Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 45 Vdc (IC = 100 µAdc, IE = 0) Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO 6.5 Vdc (IE = 10 µAdc, IC = 0) Collector Cutoff Current
in „Stromfolger für Spannungssteuerung von OTAs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
-
PDF
irlr120n.pdf
Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V GS= 0V, D = 250µA V(BR)DSSJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.12 ––– V/°C Reference to 25°C,DI = 1mA ––– ––– 0.185 V GS= 10V, D = 6.0A RDS
in „was ist denn da los.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
MOSFET.pdf
otherwise specified) Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA (BR)DSS GS D ΔV (BR)DSSΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.09 ––– V/°C Reference to 25°C,DI= 5mA d R DS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 2.0 2.6 mΩ
in „LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
opa541.pdf
DENSITY TOTAL HARMONIC DISTORTION + NOISE vs FREQUENCY vs FREQUENCY 1k 10 z H / n ) 1 y ( s e PO= 100mW n i D100 N 0.1 e + PO= 5W o D N H PO= 50W e T A V –5 t 0.01 o V 10 0.001 1 10 100 1k 10k 100k 10 100 1k 10k 100k Frequency (Hz) Frequency (Hz) OPA541 4 www.ti.com SBOS153A TYPICAL CHARACTERISTICS
in „High-Power OPV mit mehr Bandbreite“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irlu024n.pdf
between R G 25 , IAS= 11A. (See Figure 12) lead and center of die contact SD ≤ 11A, di/dt ≤ 290A/DD,≤ V(BR)DSS Uses IRLZ24N data and test conditions. T J 175°C 2 www.irf.com IRLR/U024N 100 VGS 100 VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V 8.0V 8.0V A 6.0V A 6.0V ( 4.0V ( 4.0V n BOTTOM 2.5VV n 3.0V e e BOTTOM 2.5V u 10
in „Konstantstromquelle mit JFet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irlu024N.pdf
between R G 25 , IAS= 11A. (See Figure 12) lead and center of die contact SD ≤ 11A, di/dt ≤ 290A/DD,≤ V(BR)DSS Uses IRLZ24N data and test conditions. T J 175°C 2 www.irf.com IRLR/U024N 100 VGS 100 VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V 8.0V 8.0V A 6.0V A 6.0V ( 4.0V ( 4.0V n BOTTOM 2.5VV n 3.0V e e BOTTOM 2.5V u 10
-
Datei
webpage_backup.h
"<br><br>\r\n" "<p>Du hast es geschafft: Der Webserver läuft!</p>" "<br><hr><br>\r\n" "<div style=\"width:200px;margin: 0 auto;\">\r\n" "<div style=\"float:left;width:100px\">\r\n" "<form method=\"post\"
in „AVR ETH_M32_EX von Ulrich Radig“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Datei
i2c.c
UCSYNC; // I2C Master, synchronous mode UCB0CTL1 = UCSSEL_2 + UCSWRST; // Use SMCLK, keep SW reset UCB0BR0 = 12; // fSCL = SMCLK/12 = ~100kHz UCB0BR1 = 0; UCB0I2CSA = address; UCB0CTL1 &= ~UCSWRST; // Clear SW reset, resume operation UCB0I2CIE |= UCNACKIE; IE2 |= UCB0TXIE; // Enable TX interrupt } void i2cSetupRx
in „Hilfe beim Auslesen eines Sensors“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Datei
i2c.c
UCSYNC; // I2C Master, synchronous mode UCB0CTL1 = UCSSEL_2 + UCSWRST; // Use SMCLK, keep SW reset UCB0BR0 = 12; // fSCL = SMCLK/12 = ~100kHz UCB0BR1 = 0; UCB0I2CSA = address; UCB0CTL1 &= ~UCSWRST; // Clear SW reset, resume operation UCB0I2CIE |= UCNACKIE; IE2 |= UCB0TXIE; // Enable TX interrupt } void i2cSetupRx
in „I2C timing problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
buz30a.pdf
= 32 A GS D puls 500 16 mJ V E AS 400 V GS 12 350 300 10 0,2V 0,8V DS max DS max 250 8 200 6 150 4 100 50 2 0 0 20 40 60 80 100 120 ˚C 160 0 10 20 30 40 50 60 70 80 nC 100 T j Q Gate Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS = (T) j 240 V 230 V (BR)DSS 225 220 215 210 205 200 195 190 185 180 -60 -20 20 60 100 ˚C 160 T j Data Sheet 8 06.99
in „Elektronische Last mit 2 MOSFETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
20101214_Solare_Kuehlung.pdf
°C 100°C . w w Siededruck (10 °C) 6,2 bar (abs) 0,012 bar (abs) w Kondensationsdruck (40 °C) 15,6 bar (abs) 0,074 bar (abs) Dampfdichte (10 °C) 4,876 kg/m³ 0,0094 kg/m³ Volumetrische Kälteleistung (10 °C)
-
Datei
DeviceList.txt
) BR25L320(FJ) BR25L320(FV) BR25L320(FVM) BR25L640 BR25L640(F) BR25L640(FJ) BR25L640(FV) BR25L640(FVM) BR9010 BR9010F BR9010FV BR9010RFV BR9010RFVM BR9020 BR9020F BR9020FV BR9020RFV BR9020RFVM BR9040 BR9040F BR9040FV BR9040RFV BR9040RFVM BR9080 BR9080F BR9080FV BR9080RFV BR9080RFVM BR9160 BR9160F BR9160FV BR9160RFV BR9160RFVM BR93C46 BR93C46(F) BR93C46(FJ) BR93C46(FV) BR93C46(RF) BR93C46(RFJ) BR93C56 BR93C56
in „[V] Genius G540 EPROM/Flash/uC Programmer (USB)“ · Markt ·
-
PDF
441.pdf
135 10,0 530 129 137 82 K = 10 135 25,0 950 130 138 82 K = 10 135 50,0 1800 132 139 82 K = 10 135 100,0 3800 133 140 100 K = 10 165 5,0 250 128 136 100 K = 10 165 10,0 480 129 137 nicht spezifiziert 200 45,0 480 129 – 100 K = 10 165 25,0 870 130 138 100 K = 10 165 50,0 1650 132 139 100 K = 10 165 100,0
in „Fehlersuche bei Elektronischer Motorbremse: Phase vertauscht. Bauteile identifizieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IOR__IRFR6215.pdf
-4.5V -4.5V 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH Tc= 25°C TC= 175°C 1 A 1 A 1 10 100 1 10 100 -V , Drain-to-Source Voltage (V) DS -VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.5 e ID = -11A n ) t ( i t s 2.0 n R
in „wie 24V-Busspannung mit 3,3V schalten?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
BC107.pdf
Typ. Max. Unit CBO Collector Cut-off VCB = 40 V 15 nA Current (E = 0) VCB = 40 V T C 150 Co 15 A V(BR)CBO Collector-Base C = 10 A 50 V Breakdown Voltage (IE= 0) V(BR)CEO∗ Collector-Emitter C = 10 mA 45 V Breakdown Voltage (IB= 0) V(BR)EBO Emitter-Base E = 10 A 6 V Breakdown Voltage (IC= 0) VCE(sat) Collector-Emitter C = 10 mA IB= 0.5 mA 70 250 mV Saturation Voltage C = 100 mA IB= 5 mA 200 600 mV VBE(sat) Base-Emitter C = 10 mA IB= 0.5 mA 750 mV Saturation Voltage I = 100 mA I = 5 mA 950 mV C B VBE(on) Base-Emitter On C = 2 mA V CE= 5 V 550 650 700 mV Voltage C = 10 mA
in „Berechnung Transistorschaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
BC107.pdf
Typ. Max. Unit CBO Collector Cut-off VCB = 40 V 15 nA Current (E = 0) VCB = 40 V T C 150 Co 15 A V(BR)CBO Collector-Base C = 10 A 50 V Breakdown Voltage (IE= 0) V(BR)CEO∗ Collector-Emitter C = 10 mA 45 V Breakdown Voltage (IB= 0) V(BR)EBO Emitter-Base E = 10 A 6 V Breakdown Voltage (IC= 0) VCE(sat) Collector-Emitter C = 10 mA IB= 0.5 mA 70 250 mV Saturation Voltage C = 100 mA IB= 5 mA 200 600 mV VBE(sat) Base-Emitter C = 10 mA IB= 0.5 mA 750 mV Saturation Voltage I = 100 mA I = 5 mA 950 mV C B VBE(on) Base-Emitter On C = 2 mA V CE= 5 V 550 650 700 mV Voltage C = 10 mA
in „Transistor ; Definition von r(BE)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irlb3034pbf-Datasheet.pdf
u 2.7V r 2.7V C 1000 BOTTOM 2.5V C BOTTOM 2.5V c e u r 1000 o o - 100 - - - i i r r 100 , 10 , ID ID 2.5V 2.5V 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output
-
PDF
IRLB3034PbF.pdf
u 2.7V r 2.7V C 1000 BOTTOM 2.5V C BOTTOM 2.5V c e u r 1000 o o - 100 - - - i i r r 100 , 10 , ID ID 2.5V 2.5V 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output
in „Aufwärtsschaltregler bauen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRLB3034.pdf
u 2.7V r 2.7V C 1000 BOTTOM 2.5V C BOTTOM 2.5V c e u r 1000 o o - 100 - - - i i r r 100 , 10 , ID ID 2.5V 2.5V 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
IRFB3006_IR.pdf
IRFB3006PbF 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V A 10V A 8.0V t 6.0V t 6.0V e 5.0V e 5.0V r 4.5V r 4.5V C 100 4.0V C 4.0V e BOTTOM 3.5V e BOTTOM 3.5V r r o o 100 - - - - i 10 i r r 3.5V D , ,D I I 3.5V ≤ 60μs PULSE WIDTH ≤ 60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source
in „Motor PWM Steuerung, Mosfet Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Datei
Models.txt
model BC327 PNP( + IS=2.69972e-13 BF=255 NF=1.02306 VAF=10 IKF=1.61069 + ISE=1.54904e-10 NE=2.52512 BR=2.08944 NR=1.06916 VAR=100 + IKR=10 ISC=8.82272e-11 NC=3.4075 RB=5.73192 IRB=0.1 + RBM=0.1 RE=0.0874431 RC=0.437216 XTB=0.614751 XTI=1 + EG=1.206 CJE=3.79878e-11 VJE=0.4 MJE=0.428861 TF=7.72055e-10 +
in „Diskreter DC/DC-Wandler in LtSpice“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
MMS8550.pdf
ElectricalCharacteristics@25CUnlessOtherwiseSpecified C Symbol Parameter Min Max Units C B OFFCHARACTERISTICS V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage 40 --- Vdc (C =100uAdc, E =0) B E F E V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 25 --- Vdc (C =0.1mAdc, B =0) V Emitter-Base Breakdown Voltage 5.0 --- Vdc (BR)EBO (E =100uAdc, C =0) CBO Collector Cutoff Current --- 0.1 uAdc G H J (V =40Vdc, I =0) CB E CEO Collector Cutoff Current --- 0.1 uAdc (VCE20Vdc, I B0) DIMENSIONS IEBO Emitter Cutoff Current --- 0.1 uAdc INCHES
in „Transistor Schalter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
ISO124P_datasheet.pdf
Response Figure 4. Step Response 160 Max DC Rating 2.1k 140 e t o 1k 120 V Degraded ) i Performance d l R100 o M I I a 100 80 P Typical Performance 60 0 40 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M 1 10 100 1k 10k 100k 1M Frequency (Hz) Frequency (Hz) Figure 5. Isolation Voltage vs Frequency Figure 6. IMR vs Frequency 6
in „Schaltungsaufbau Isolierverstärker für Analogsignal mit Texas Instr. ISO124“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
irfb3077pbf.pdf
use R is measured at T approximately 90°C G AS GS θ J above this value. ISD≤ 75A, di/dt ≤ 400A/DD,≤ (BR)DSS J ≤ 175°C. 2 www.irf.com IRFB3077PbF 1000 1000 VGS VGS TOP 15V ) TOP 10V A 8.0V ( 8.0V t 6.0V t 6.0V e 5.5V e 5.5V r 5.0V u 5.0V C 4.8V C BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V e 4.5V r u o 100 o 100 - 4.5V -
in „Suche nach Treiber für Power-Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
pcm1803.pdf
i −95 e 105 o n Dynamic Range m −96 R 104 a i H m t −97 n 103 o y SNR − −98 D 102 N + −99 101 H T −100 100 −50 −25 0 25 50 75 100 −50 −25 0 25 50 75 100 T − Free-Air Temperature − °C T − Free-Air Temperature − °C A G007 A G008 Figure 7. Figure 8. TOTAL HARMONIC DISTORTION + NOISE DYNAMIC RANGE and SIGNAL-TO-NOISE
in „PCM1803 Audio ADC ewige Einschwingzeit“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
pcm1803.pdf
i −95 e 105 o n Dynamic Range m −96 R 104 a i H m t −97 n 103 o y SNR − −98 D 102 N + −99 101 H T −100 100 −50 −25 0 25 50 75 100 −50 −25 0 25 50 75 100 T − Free-Air Temperature − °C T − Free-Air Temperature − °C A G007 A G008 Figure 7. Figure 8. TOTAL HARMONIC DISTORTION + NOISE DYNAMIC RANGE and SIGNAL-TO-NOISE
in „ADC (PCM1803) rauscht bei hoher Abtastrate“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
ZXMHC6A07T8.pdf
otherwise stated) PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS STATIC Drain-Source Breakdown Voltage V (BR)DSS 60 V D =250µA, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current I 1 µA V =60V, V =0V DSS DS GS Gate-Body Leakage IGSS 100 nA VGS =±20V, VDS=0V Gate-Source Threshold Voltage V GS(th) 1 3.0 V D =250µA, VDS=
in „DCC Decoder“ · Projekte & Code ·
-
PDF
A100_ZXMHC6A07T8.pdf
otherwise stated) PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS STATIC Drain-Source Breakdown Voltage V (BR)DSS 60 V D =250µA, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current I 1 µA V =60V, V =0V DSS DS GS Gate-Body Leakage IGSS 100 nA VGS =±20V, VDS=0V Gate-Source Threshold Voltage V GS(th) 1 3.0 V D =250µA, VDS=
in „H-Brücke ohne Mosfet-Treiber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
bq51051B.pdf
ACTIVE DSBGA YFP 28 250 Green (RoHS SNAGCU Level-1-260C-UNLIM BQ51050B & no Sb/Br) BQ51051BRHLR ACTIVE VQFN RHL 20 3000 Green (RoHS CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR BQ51051B & no Sb/Br) BQ51051BRHLT ACTIVE VQFN RHL 20 250 Green (RoHS CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR BQ51051B & no Sb/Br)
in „BQ51051B Beschaltung Widerstand Ros“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
tpd4s012_USB_ESD.pdf
Volts Figure 7. D+, D–, or ID Capacitance,AT = 27°C Figure 8. BUS Capacitance, TA= 27°C 140 40 120 20 100 0 80 ( ( –20 e e u 60 u l l –40 p 40 p A A –60 20 0 –80 –100 –20 –40 –120 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 Time (ns) Time (ns) Figure 9. IEC Clamping Waveform
-
PDF
EPJ_17_web.pdf
Init(struct <xsl:value- HTML zu einem Leerzeichen of zusammengepackt werden. select=“@name“/> *sm)<br/> Mit diesem Trick werden die {<br/> Einrückungen für den Sour-   sm->state=0;<br/> ce-Code realisiert, worunter   sm->nextstate=0;<br/> die Lesbarkeit der XSLT-Datei leidet.   sm->statetimer=0;<br/>   sm->timertick=0;<br/> <br/> Bei der Transformation wird zuerst mit <xsl:template <xsl:for-each select=“input“> match=“/statemachine“> ... </   sm->inputs.<xsl:value-of select
in „Embedded Projects Journal: 17. Ausgabe erschienen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irf7389.pdf
) Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%. N-Channel I SD≤ 4.0A, di/dt ≤ 74A/µs, DD ≤ V(BR)DSS, TJ≤ 150°C Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec. P-Channel I ≤ -2.8A, di/dt ≤ 150A/µs, V ≤ V , T ≤ 150°C SD DD (BR)DSS J N-Channel Starting TJ= 25°C, L = 10mH R =G25Ω, I AS = 4.0A. (See Figure
in „Treiber für Push-Pull 12V?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
irf7389.pdf
) Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%. N-Channel I SD≤ 4.0A, di/dt ≤ 74A/µs, DD ≤ V(BR)DSS, TJ≤ 150°C Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec. P-Channel I ≤ -2.8A, di/dt ≤ 150A/µs, V ≤ V , T ≤ 150°C SD DD (BR)DSS J N-Channel Starting TJ= 25°C, L = 10mH R =G25Ω, I AS = 4.0A. (See Figure
in „Brushless DC Motorsteureung Dysfunktion AVR444“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
RF12.pdf
Receiver mode 2 180 200 225 BW bandwidth mode 3 240 270 300 kHz mode 4 300 350 375 mode 5 360 400 450 BR FSK bit rate With internal digital filters 0.6 115.2 kbps BRA FSK bit rate With analog filter 256 kbps Receiver BER 10 , BW=67kHz, BR=1.2kbps -109 -100 Pmin dBm Sensitivity (Note 2) AFC AFC locking range
-
PDF
RFM12.pdf
Receiver mode 2 180 200 225 BW bandwidth mode 3 240 270 300 kHz mode 4 300 350 375 mode 5 360 400 450 BR FSK bit rate With internal digital filters 0.6 115.2 kbps BRA FSK bit rate With analog filter 256 kbps Receiver BER 10 , BW=67kHz, BR=1.2kbps -109 -100 Pmin dBm Sensitivity (Note 2) AFC AFC locking range
in „RF12 Funkmodul“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
RF12.pdf
Receiver mode 2 180 200 225 BW bandwidth mode 3 240 270 300 kHz mode 4 300 350 375 mode 5 360 400 450 BR FSK bit rate With internal digital filters 0.6 115.2 kbps BRA FSK bit rate With analog filter 256 kbps Receiver BER 10 , BW=67kHz, BR=1.2kbps -109 -100 Pmin dBm Sensitivity (Note 2) AFC AFC locking range
in „RFM 12 Wake-Up und start nach POR“ · HF, Funk und Felder ·
-
PDF
surrpressordiode.pdf
SMBJ85 NU NU 94.4 115 1.0 85 1.0 4.0 151 (+SMBJ85A NV NV 94.4 104 1.0 85 1.0 4.4 137 (+) SMBJ90 NW NW 100 122 1.0 90 1.0 3.8 160 (+SMBJ90A NX NX 100 111 1.0 90 1.0 4.1 146 (+SMBJ100 NY NY 111 136 1.0 100 1.0 3.4 179 (+) SMBJ100A NZ NZ 111 123 1.0 100 1.0 3.7 162 (+SMBJ110 PD PD 122 149 1.0 110 1.0 3.1 196
in „DC Geräteeingang“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
FB180SA10P.pdf
SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNITS Drain to source breakdown voltage V( V = 0 V, I = 250 μA 100 - - V BR)DSS GS D Breakdown voltage temperature V(BR)DSS/TJ Reference to 25 °C, ID= 1 mA - 0.093 - V/°C coefficient Static drain to source on-resistance R (1) V = 10 V, I = 180 A - 0.0065 - DS(on
in „MOSFET wird sehr heiß“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
P2804BDG.pdf
Enhancement P2804BDG Mode Field Effect Transistor TO-252 (DPAK) Lead-Free D PRODUCT SUMMARY 1. GATE V (BR)DSS RDS(ON) D G 2. DRAIN 40V 28mƸ 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 CC Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage V DS 40 V Gate-Source Voltage V GS ±20 V Continuous Drain Current T C 25 °C I 10 T = 100 °C D 8 C A Pulsed Drain Current I 40 DM T = 25 °C 32 Power Dissipation C P W T = 100 °C D 22 C Operating Junction & Storage Temperature Range Tj Tstg -55 to 150 °C Lead Temperature ( 16” from case for
in „Suche Ersatz für SMD Sicherung K“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
mps-mp1010bef_2016abaf5e.pdf
noted. Parameter Symbol Condition Min Typ Max Units Brightness Control Sense Full Brightness VIL_MAX V BR= 2.0V 360 379 400 mV Sense Full Dim VIL_MIN V BR= 0V 105 117 130 mV Lamp Current Regulation 7V < V < 23V 2 5 % IN Burst Oscillator Peak Voltage VBOS 1.70 1.78 1.86 V Digital Brightness Offset V -50 5
in „Laptop LCD inverter board frage“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
1-buz171.pdf
90.0µs A 100 µs I Z D D thJC 100 S/ -101 VD 1 ms )= So RD 10 -1 10 ms D = 0.50 0.20 0 -10 0.10 DC 0.05 10 -2 0.02 single pulse 0.01 -10-1 0 1 2 10 -3 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 -10 -10 V -10 10 10 10 10 10 10 10 s 10
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
diode-ds31634.pdf
- G 0.1 T T = 25°C R T TA= 85°C N A T O R C V TA= 25°C R TA= -55°C L N U L I T = -55°C C O TA A D 100 ,) R0.01 ,E A U hF ( A C S - 10 0.001 1 10 100 1,000 10,000 1 10 100 1,000 10,000 -C , COLLECTOR CURRENT (mA) -C , COLLECTOR CURRENT (mA) Fig. 3 Typical DC Current Gain vs. Collector Current Fig. 4
in „Transistor als Schalter beim Akkuladen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
loa3serie.pdf
.240 V - Umgebungstemperatur 23 °C Messschaltung zur 11 12 1 LOA... Legende Fühlerstrommessung bl sw br 7118v02/0102 + µA DC DC-Mikroampèremeter mit Innenwiderstand Ri = max. 5 k bl Blau µA DC br Braun sw Schwarz QRC1... Der QRC1... ist speziell für blau brennende Flammen konzipiert. Lichteinfall frontal
-
PDF
DS_IRFB7430.pdf
startingJT = 25°C, L = 0.15mH This value determined from sample failure population, RG= 50, IAS= 100A, VGS =10V. starting J = 25°C, L= 0.15mH,GR = 50,AS= 100A, VGS =10V. I 100A, di/dt 990A/μs, VV , T 175°C. SD DD (BR)DSS J 2 www.irf.com IRFB7430PbF Dynamic @ T = 2J°C (unless otherwise specified
in „MOSFET Steuer vs Hauptkreis“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
TPS40060_TPS40061.pdf
kW 2p R3 C3 2p 470 pF 73.3 kHz (73) 1 1 fC+ 2p R1 C2 G N C2 + 2p 100 kW 3.29 1.46 kHz+ 109 pF, choose 100 pF (74) fP1+ 1 N R2 + 1 + 21.7 kW, choose 21.5 kW 2p R2 C2 2p 100 pF 73.3 kHz (75) 1 1 fZ1+ 2p R2 C1 N C1 + 2p 21.5 kW 3.7 kHz+ 2000 pF, choose 1800 pF (76) Calculate
in „Parameter-Berechnung für Schaltregler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
datasheet.pdf
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Drain- source breakdown voltage V(BR)DSS V V GS = 0 V,DI = 0.25 mA,jT = 25 °C 100 - - Gate threshold voltage V GS(th) V GS=VDS, D= 1 mA 2.1 3 4 Zero gate voltage drain current IDSS µA V DS= 100 V, VGS= 0 V, j = 25 °C - 0.1 1 V DS= 100 V
