Kleines Update: 2N5109, 2N3866, MRF525. Das war's, die drei hab ich. Und eine KF-164D, aber die wollt ich zum basteln erst Mal nicht Schlachten.
Parallelkapazität von 6p beträgt die Impedanz bei 100 MHz 265 Ohm. Die Induktivität müßte also bei 420 nH liegen (2•pi•f•420nH = 265 Ohm). Eine Luftspule mit 5mm Durchmesser, 10mm Länge und 15 Windungen hat ca. 450 nH. 1-2 mm auseinanderziehen ergibt 420 nH.
100pF vor der Ferritantenne), hat über 30min am 11 Jahre alten Laptop gebraucht; die FFT zeigt den 17,2kHz-Peak mit 3.2µV (da mit ca. 50kHz total verstimmt), alle weiteren Peaks unter 0.15nV - das ist nicht das, was man am realen Aufbau beobachtet.
selektiv schmalbandig verstärken. Das ist sicher nicht "mal eben" aufgebaut. Von Schaltungen mit 2N5109-OP27-MC1350-TL084- BC237-BC547 bin ich zumindest im Haus abgekommen. Außer an einer Ferritantenne, das klappt recht gut mit 2x BC547 . Mit Ferritantennen werd ich mich noch weiterbeschäftigen (wenn
H Fall time t — 0.15 — s I = 6A, I = 1.5A f CP B1 H = 64kHz 2 2SC5449 Main Characteristics Collector Power Dissipation vs. Temperature Area of Safe Operaion 80 50 ) ( 20 c ) P 60 (C 10 n t I 5 i n i 40 e 2 D u e r 1 w t P 20 e 0.5 L = 180 µH t o e C I B2= –1 A
Verstärkung reicht bei 40MHz ja selbst so ein ultimativer Breitbandverstäker ala W7ZOI. BFR96 oder 2N5109 o.ä. ..fertig. Aber Randy möchte ja nicht basteln. @ Randy Das Tiefpassfilter ist Kinderkram! 5-polig Tschebyscheff und fertig. Ich muss mal ein bisschen rechnen, ob man bei ca. 45MHz das besser
Am Ausgang des TP ist die 3.Oberwelle auch weg. Sieht wirklich gut aus. Sobald ich den MMIC mit 10nF ankoppele, wird eingangseitig(!) die 2. Oberwelle stark sichtbar. Ein 470Ohm in Reihe mit dem 10nF macht das schön erkennbar. Irgendwo im Eingang des MMIC wird die 2.Oberwelle eingestreut. Die Abblockung
–10 –10 V Pulse Test –5 V Tc = 25 °C –4.5 V –3.5 V A–8 –4 V ) –8 ( ( –25 °C 75 °C D I D –6 I –6 n e –3 V n u e C–4 u –4 VDS = –10 V i C Pulse Test r i D r –2 –2.5 V D –2 V = –2 V GS 0 –2 –4 –6 –8 –10 0 –1 –2 –3 –4 –5 Drain to Source Voltage VDS (V) Gate to Source Voltage V GS (V) 3 2SJ333(L), 2SJ333
ra s( i C O il o 1s D n n( ho l 20 a C tp n r 0.3 = ul n D Ta = 25°C 25 se) a C C ) 0.1 2SK1402 0.05 2SK1402A 0 50 100 150 1 3 10 30 100 300 1,000 Case Temperature T (°C) Drain to Source Voltage V (V) C DS Typical Output Characteristics
Characteristics 100 100 VGS = 10 V Pulse Test V DS = 10 V 5 V ) 80 ) 80 Pulse Test ( 4 V ( D 3 V D I 60 I 60 t n n r e u 40 r C u 40 i C r i D r 25°C 20 2.5 V D 20 75°C Tc = –25°C 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 Gate to Source Voltage V GS (V) Drain to Source Voltage VDS (V) 4 2SK3142 Drain to Source Saturation Voltage
von Elsie leicht nachvollziehen: 160m, 80m ... Z = 50 Ohm 40m, 10m ... Z = 100 Ohm (112 Ohm mit N = 2:3) 30m ... Z = 300 Ohm (312 Ohm mit N = 2:5) 20m, 17m, 15m, 12m ... Z = 200 Ohm (N = 1:2) Die dabei benötigten Induktivitäten für die Schwingkreise fallen klein aus. Schon beim Filter für das
6db kein Problem. Für so einen recht großsignalfesten Verstärker reicht eine Stufe, z.B. mit einem 2N5109. Phasenschieber S. schrieb im Beitrag #7317433: > Nein, einen Grund habe ich nicht, mir ist als aktiver Funker, nicht > Geräteknecht ;-) VSWR geläufiger, kann ich besser interpretieren.
3 ISO 9001: 2015 CERTIFIED Downloaded fromArrow.com. 2 5 0 Only One Name Means ProTek’Tion™ GBLC03 - GBLC24C TYPICAL DEVICE CHARACTERISTICS FIGURE 3 NORMALIZED TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE - BIAS VOLTAGE 2 F - e 1.5 n i a 1 a n ti n 0.5 J 0 0 0.5 1 1.5 2
MagLoop Jetzt wo ich das sehe, ich hatte in den 80ern einfach einen UKW-Leistungsgegentaktoszillator (2x2N3553 mit je einem Kühlstern) direkt an einen Ringdipol geschraubt. Den Dipol konnte man mit zwei ineinandergesteckten Besenstielen und drei Zeltseile mit Heringe Draußen aufstellen. Je nach Temperatur
Moin, Die Bilder zeigen eine aktive ferngespeiste JFET/2N5109 Kurzwellenantenne für 1.6-30Mhz. Ich baute sie für vor fast 40 Jahren für einen Freund (SK). Er hatte sie auf seinem als RV umgebauten Schulbus montiert und funktionierte gut. Leider habe ich keine
www.smlec.com/cb/rftransistors.htm Bipolar RF Power Transistors Transistor Power dB Gain Voltage Frequency 2N2876 10W dB 28V 50MHz 2N3137 0.4W dB 20V 250MHz 2N3375 10W 5dB 28V 175MHz 2N3553 2.5W 12dB 28V 175MHz 2N3632 20W 7dB 28V 175MHz 2N3733 10W dB 28V 400MHz 2N3924 4W dB 13.6V 175MHz 2N3926 7W dB 13.6V 175MHz
D Schottky GND A 3 1 2 4 3 1 2 4 5V A P I P52 03 4 P I6P 2 0 4 P I P53 0 3 4 P I6P 3 0 4 I0 01 I02 I1 21 P I P 2 05 6 P I P 2 0 6 P I P 3 0 7 6 P I P 3 0 8 GND D1 C11 CO33 C4C4 C2C2 ISP 9 7 8 10 M1OM D2D2 I2 02100nF I2 100nF
ungefähre Vorstellung was 400Bar Druck auf eine > derartige Fläche bedeuten? 400bar ~ 40MPa = 40e6N/m^2 = 4000N/cm^2 umgangssprachlich 400kg/cm^2. AUTSCH! > Die Titan was lausig konstruiert. Sportlich! > Aus guten Gründen ist das Metall Titan der bevorzugte Werkstoff. Man hat zumindest
between eight different TETRA test signals on the downlink while the • Test signals: T1 with TCH7.2, TCH2.4, SCH/F, with and without 2305 analyzes the incoming continuous TETRA carrier. Frame 18 • Paging sensitivity (for mobile stations) Future-Proof Interfaces The 2305 Stabilock has a full set of
i 1TSET m Y LD, RD a 2 2 M e 9 l 0 , 0 ) 2LC b . n 0 t 8 7 D ( 12V l l 4 s a 2 u , H 4V . n o 8 D × 6d 8 3V ) : a h 1 C 6 / 1 Y 1V k r p s 3 e L 1 1 R 0 i h 2 s H I N C E 1 d f 0 9 S E D G V V t o 6 r g VC 2 D n 6 h 2 s y
plastic dielectric trim cap (Sprague-Goodman GYD65000) C211—120 pF, silver mica or NP0 ceramic L201—57 nH; 5 turns of #22 wire wound on a 6-32 machine screw. Remove the screw before installing the coil. L202—1 H molded RFC; any value from 100 nH to 2.7 H is okay L203—0.3 H; 9 turns #24 enameled wire on a T-30-6 core Q201—2N5179 Q202—2N5109, 2N3866, 2SC1252, etc U201—Mini-Circuits MAV-11 T201—10 bifilar turns #28 on FT-37-43 ferrite toroid stray coupling between coils would have increased, which would have necessitated
K C N C L L m n G R , O L M L Y B W G r o T g S 2 , , P D P S S S A o t H G C 2 , P , , e o 1 S D P V L P D M c H X A S F P C I e n - D 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 u i l l K K e C t i - t t _ C
a u ) r l c i C 8 8 n n s c ( C s O L 2 F r s C M t t l r ) ( A u ) i ) 6 d t s R M c D e D o n g C L o ( t ( M c r ( C D D 8 l C r l N n n O S C s P C n r t e ) t e ) t e t i f f a p i I t t i R c i )R i r C R D i e ( D
(max.) (nom.) (min.) Fig. BBR550 10.9 (0.43) 14.0 (0.55) 5.08 (0.2) 7.6 (0.3) 9 BBR750 11.9 (0.47) 15.5 (0.61) 5.08 (0.2) 7.6 (0.3) 9 5 S U R F A C E - M O U N T D E V I C E S F O R E L E C T R O N I C A P P L I C AT I O N S Figure 1 Figure 2 Figure 3 This product line
will maintain the proper mixer terminations. shown in Fig 5.33. This circuit has good be used. The 2N3866and 2N5109 are both An example might be the front end of a reverse isolation, so a crystal filter may be available at this writing and work well in spectrum analyzer, shown in Fig 5.35. The driven
13 48 COM4 SEG7 14 47 COM3 SEG6 15 46 COM2 SEG5 16 45 COM1 SEG4 17 44 DB7 SEG3 18 43 DB6 SEG2 19 42 DB5 SEG1 20 41 DB4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 D 1 2 1 2 3 4 5 1 2 L L C M D S W E 0 1 2 3 N S S V V V V V C C V R R D D D D G O O
13 48 COM4 SEG7 14 47 COM3 SEG6 15 46 COM2 SEG5 16 45 COM1 SEG4 17 44 DB7 SEG3 18 43 DB6 SEG2 19 42 DB5 SEG1 20 41 DB4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 D 1 2 1 2 3 4 5 1 2 L L C M D S W E 0 1 2 3 N S S V V V V V C C V R R D D D D G O O
13 48 COM4 SEG7 14 47 COM3 SEG6 15 46 COM2 SEG5 16 45 COM1 SEG4 17 44 DB7 SEG3 18 43 DB6 SEG2 19 42 DB5 SEG1 20 41 DB4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 D 1 2 1 2 3 4 5 1 2 L L C M D S W E 0 1 2 3 N S S V V V V V C C V R R D D D D G O O
13 48 COM4 SEG7 14 47 COM3 SEG6 15 46 COM2 SEG5 16 45 COM1 SEG4 17 44 DB7 SEG3 18 43 DB6 SEG2 19 42 DB5 SEG1 20 41 DB4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 D 1 2 1 2 3 4 5 1 2 L L C M D S W E 0 1 2 3 N S S V V V V V C C V R R D D D D G O O
13 48 COM4 SEG7 14 47 COM3 SEG6 15 46 COM2 SEG5 16 45 COM1 SEG4 17 44 DB7 SEG3 18 43 DB6 SEG2 19 42 DB5 SEG1 20 41 DB4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 D 1 2 1 2 3 4 5 1 2 L L C M D S W E 0 1 2 3 N S S V V V V V C C V R R D D D D G O O
presented with a highly OCXOforhighQ–goodphasenoiseperfor- wave generated is further amplified by Q2, a accurate 1 MHz comparison signal derived mance of the 84 MHz master reference. 2N5109 transistor. The signal is then filtered from the 10 MHz OCXO through another Looking at Figure 18, the Star-10
D G D D D D N P P D J D D D D R Q 4 4 3 / 4 4 / / 4 1 1 1 1 S S P P N N - N N M D D D L B S S R - L A V V V G D C D S C T R P H M H H H C O C C S E S A A A C463 0.01 N C C 4 2 5 0 470P 2 K 4 2 1 2 1 2 1 1 1 C 2 C
c a h t C .1 a 3 DNG 2 R 1 o d e n P 3 C e u a o o T V d 1. p n d t 9 C r 0 D pi 1 u B 1 2 T d d G r C . c S 4 1 O n a a d w e C I U r 2 U LT V t 2 2 2 S b a p V , b n f 4 M g u J 3 1 3 3 2 6 R s 1 N y C 3. 1 1 E e 0 n d R
Commands others than tagging or erasing abort a tag-erase cycle irregularly. 22 HB28E016/D032/D064/B128MM2 MultiMediaCard ERASE GROUP 0 Block 0 Block 1 Block 2 Block 3 Block n Sector 0.0 n g Sector 0.1 n a g r a c Sector 0.2 p e u S Sector 0.3 r G Sector 0.n ERASE GROUP 1 ERASE GROUP n Erase Tagging Hierarchy
Commands others than tagging or erasing abort a tag-erase cycle irregularly. 22 HB28E016/D032/D064/B128MM2 MultiMediaCard ERASE GROUP 0 Block 0 Block 1 Block 2 Block 3 Block n Sector 0.0 n g Sector 0.1 n a g r a c Sector 0.2 p e u S Sector 0.3 r G Sector 0.n ERASE GROUP 1 ERASE GROUP n Erase Tagging Hierarchy
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0D 0E 0F 10 11 12 shift right Figure 3 1-Line by 20-Character Display Example 17 HD66702/HD66701 • 2-line display (N = 1) (Figure 4) Case 1: When the number of display characters is less than 40 2 lines, the two lines are displayed from the head. Note that the first line end address and the second line
1 according to the I/D bit. When RDM = 1, the address is not updated. R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 1 1 RD7 RD6 RD5 RD4 RD3 RD2 RD1 RD0 Figure 14 Read Data from RAM Instruction 30 HD66740 Address: N set Start byte First byte Dummy read (invalid data) Address: N set Second byte Read (data of
1N5062 AMO MEDIUM POWER RECTIFIER 933076450163 N M 3 31-12-00 30-6-01 Ph:1N5062 133 NC Same Product Available in single ammopack - 2.5K MOQ. Consult Marketing. 2N5064 2N5064 AMO THYRISTOR 934002930126 N M 3 31-12-00 30-6-01 Ph:2N5064 112 NC Same Product Avail. in bulk pack - 5K MOQ. Conslt Mktg. 2N5550 2N5550 NPN high-voltage transistor 933144610412 N M 3 31-12-00 30-6-01 2N5550 126 See replacement. Consult Marketing. 74ABT16245DL
K 1 u _ 0 8 n R n R5130 R5131 n 8 u 5 P 1 8 R o o 5 no_use3 e +5DSP R L W 5 _ C 3 5 6 n 1 1 1 1 n C 1 s C5040 R5015 F F S NJM8065RB1(TE1) C n 3 R 1 1 1 1 C5038 2 IC502 _ no_use s no_use no_use e P E P E P 5 R5109
