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[S] SMD Induktivität für Schaltregler 470µH 9,7 x 9,7 x 4 mm
Sind 47uH aber vermutlich nicht dein einziges Problem, der Mosfet daneben scheint ein Loch zu haben.
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Badewannen Thermometer nur mit KI
LiIon-Zellen gebaut. Komponenten waren ein Arduino, ein LCD-Zeilendisplay, Fußpedal, Poti für die Zeit, Mosfets mit Treiber. Aufgrund einer Verpolung ist der Arduino abgeraucht und der alte Code war nicht mehr vorhanden. Der Chat hat mir in sehr kurzer Zeit und wenigen Fehlversuchen einen gut funktionierenden
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12V auf 325V Boost Converter mit LT3757
wissen, ob es irgendwo eine belastbare Aussage dazu gibt, welche Drain Gate Spannung der genannte MOSFET "überlebt"?
Dieter D. schrieb im Beitrag #8067367: > Wenn Du... In dem Falle waren das Wege ohne einen Mosfet höherer Spannungsfestigkeit zu verwenden zu können. Mit externen Mosfet hoher Spannungsfestigkeit ist das alles natürlich hinfällig.
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Bauteil identifizieren
Impact hat leider einige Komponenten auf der Platine beschädigt). Wir konnten bereits erfolgreich Mosfets identifizieren und ersetzen. Dadurch konnten wir auf dem Ring den Ausfall von 1/4 des Rings auf 1/8 reduzieren. Beim Tausch der Mosfets haben wir einen weiteren Bauteilschaden entdeckt: Vermutlich
das kein MOSFETs. Damit wird das defekte Bauteil wohl auch kein MOSFET-Treiber sein. Link zu dem ersten Thread: https://www.mikrocontroller.net/topic/585010#8044634
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BLDC Rasenmäher Controller gestorben
Schottkydioden parallel zu den Widerständen, Anode zum Gate. Edit: Die IRF3205 sind ja keine LL-MOSFET, da tuns auch 1N4148 o.ä.
Du könntest die bedrahteten Widerstände auch direkt von den MOSFETS zu den ICs löten, lang genug sind die ja.
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Textausschnitt zur MOSFET-Zuverlässigkeit
To improve the reliability of the MOSFET and hence the power supply, the designer could choose to increase the thermal derating of the part. By significantly cooling the part down and setting the working temperature of the MOSFET at 80°C
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Hilfe bei Identifikation eines SMD Bauteil (ggf.Transistor)
dann > kann man weiter sehen. Ja genau das war mein Plan bis ich festgestellt habe, dass der Mosfet an alle 3 Pins Durchgang hat. Habe Ihn jetzt von der Platine gelötet und nochmal gemessen. Gleiches Ergebnis. Leider ist der P-Kanal Mosfet SI2337ds nicht mehr so richtig lieferbar. Bezahlbar scheinbar
im Beitrag #8067426: > Ich würde da schamlos einen Tantal-Elko einlöten. Naja, da ist ein 80V MOSFET im Einsatz.
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Stromgenerator für Mitarbeit mit PV-Anlage und Wärmepumpe.
einem getakteten DC/DC-Wandler. Der Eingang sieht dann ungefähr so aus: PV+ | +------ MOSFET -------+ | | | L (Spule) | | +---------------------+ | PV- Der MOSFET schaltet typischerweise mit 20 bis 100 kHz. Er ist
glättet den Strom. Genau deshalb besitzen Schaltnetzteile immer eine Induktivität. Hat der MOSFET trotzdem Spitzenströme? Ja! Im MOSFET und in der Spule können deutlich höhere Momentanströme fließen als der gemittelte Modulstrom. Das ist aber eine interne Größe. Beispielsweise: Modul
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Display eines Multi-function Testers T7
M-Tester N-E-MOS 1 D 2 G 617mV Vt=2.20V Cg=691pF 3 S RDS=0.8 Multi-function Tester - T7
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H-Brücke mit defektem MOSFET - Bauteil und Ursache bestimmen
Mit den Markings kann ich leider auch nichts anfangen. Lediglich beim p-MOSFET käme Apec als Hersteller in Frage. 30V MOSFETs sind für einen 24V Motor allerdings zu knapp.
Natürlich knallts da bei gleichzeitiger Ansteuerung beider Kanäle. Es wären dann ja alle vier MOSFETs leitend.
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Display eines Transistor-Testers T7
M-Tester N-E-MOS 16 D 2 Vt=979mV G 667mV Cg=579pF 1 S 3 RDS=0.5 Multi-function Tester - T7
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Bauteil auf Lineal
Ruler shaped 0mm 418Y1 0 inch
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Display eines Multi-function Tester T7 mit Messwerten eines P-E-MOS
M-Tester P-E-MOS 32 D 1 Vt=1.78V G 2 671mV Cg=834pF RDS=0.7 S 3 Multi-function Tester - T7
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Probleme mit VCCS
Der MOSFET ist falschrum.
Arne R. schrieb im Beitrag #8065377: > Der MOSFET ist falschrum. Danke, das erklärt auch die Body connection. Habe nun Drain und Source geflipped.
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SPICE Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
VDD V1 10 R4 3k R1 1 C1 1n U1 OP1177 .lib opamp.sub V2 {Vref} M1 IRLML6402 100 R3 R2 500 .tran 1u .STEP PARAM Vref 0 10 0.5
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PiPico zu langsame Flanken SPI-CLK
showthread.php?tid=2568 Belastet man einen CMOS Ausgang kapazitiv, entsteht ein dreieckiges Signal, weil MOSFET ganz natürlich einen begrenzten Strom abhängig von der Steuerpannung (UGS) liefern.
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LiFePO4 an Solarzelle mit zyklischem Unterbrecher und Folgen
Wenn du dir einen sparsamen Timer (z.B. mit CD4060 und MOSFET) baust, kann dieser direkt vom Akku versorgt werden. Dann hast du die geschilderten Probleme mit der Versorgungsspannung nicht.
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Einstecken eines USB-Adapter lässt µC abstürzen.
Fuses die Brownout-Detection eingestellt? Mit den SNTs bin ich vorsichtiger geworden, seitdem ich Mosfets damit gekillt hatte.(Leider ESD-Schutz 'mal nicht angewendet.) Habe mir für die offen fliegende Verdrahtung Trafo Netzeile gebastelt mit und ohne Stabilisierung. Oder arbeite ganz mit Batterien oder
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Datenblatt-Tabelle eines IRF3708 MOSFETs
IRF3708/S/LPbF International IOR Rectifier Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient 0.028 V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance 8 9.5 13.5 mΩ VGS = 4.5V, ID = 12A VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.6 2.0 V VGS = VGS, ID = 250µA IDSS Drain-to-Source Leakage Current 20 µA VGS = 24V, VGS = 0V IGSS Gate-to-Source Forward Leakage 100 µA VGS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C Gate-to-Source Reverse Leakage 200
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Nahaufnahme einer geätzten Leiterplatte mit Bauteilen
470 R47 R46 Q1 R5 103 R72 473 R31 СИД 332 M3
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[Leistungselektronik]: sicheres Schalten von Gleichspannung/Gleichstrom
im einstelligem KW Bereich loswerden.Ein Freund hat vor einiger Zeit seine PV-Module über einen MOSFET (weiss nicht, welcher Typ/Marke) als Schalter direkt mit einem Heizstab verbunden. Der MOSFET sollte bei einer bestimmten Temperatur die Module abschalten. Das tat das Bauteil lange auch. Dann ist
die Dinger als Schalter bei kleinen Leistungen allerdings selber schon verwendet). Durchgebrannter MOSFET --> Kurzschluss statt Unterbrechung :-( Sind in diesem Falle MOSFETs überhaupt das Mittel der Wahl oder wie schaltet ihr solche Leistungen, um auf der sicheren Seite zu sein? (Gleichstromsicherungen
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Datenblatt Ausschnitt AP2317A P-Channel MOSFET
AP2317A P-Channel Power MOSFET Description The AP2317A uses advanced trench techn excellent RDS(ON), low gate charge and ope voltages as low as 2.5V. This device is suit load switch or in PWM applications. General Features VDs =
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Thyristor für Induktionskochplatte
#8062836: > Was ist den der Unterschied? Der IGBT ist quasi eine Mischung aus Bipolartransistor und MOSFET und ein Thyristor ist wie ein Schalter, der aber nur eingeschaltet werden kann. Entweder schließt der Thyristor durch ein Absinken der Sinusspannung oder im Gleichstrombereich muss er aktiv gelöscht
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Forenbeitrag über ESP32 PWM Motorsteuerung
2,5V 130Ω = 0,8V 130Ω ≈ 0,00615A = 6,15mA Dreidreifachung der Schaltzeit: Bei 3,3 V benötigt der MOSFET mit rund 4,06 µs mehr als dreimal so lange zum Umschalten wie bei 5 V (1,25 µs). Hohe Verlustleistung: Während dieser 4 µs befindet sich der MOSFET im linearen Betrieb. Er wirkt wie ein variabler Widerstand
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Forenbeitrag über ESP32 PWM Motorsteuerung
2,5V 130Ω = 0,8V 130Ω ≈ 0,00615A = 6,15mA Dreidreifachung der Schaltung: Bei 3,3 V benötigt der MOSFET mit rund 4,06 µs mehr als dreimal so lange zum Umschalten wie bei 5 V (1,25 µs). Hohe Verlustleistung: Während dieser 4 µs befindet sich der MOSFET im linearen Betrieb. Er wirkt wie ein variabler Widerstand
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PV Simulator für Batteriebetrieb von Hoymiles & Co
..." meinte ich keinen klassischen ohmschen Widerstand. Ich meinte einfach einen PWM gesteuerten MOSFET als "Vorwiderstand" zwischen Batterie und HM. Ev könnte man damit die Leistungsaufnahme des HM verlustarm steuern (ev. verlustärmer als mit einem DCDC?). Der HM hat an den Solareingängen bereits Kondensatoren
meinte ich keinen > klassischen ohmschen Widerstand. Ich meinte einfach einen PWM > gesteuerten MOSFET als "Vorwiderstand" zwischen Batterie und HM. Das ungefähr hat Bernd ja gemacht, nur dass der noch eine Spulen zum Glätten der Strompulse in Reihe geschaltet hat, da der Wechselrichter sicherlich
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Schaltplan mit MOSFET und Kondensatoren
Q1 S D G C1 C2 BT1 J1 1 out GND
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Kennlinie eines MOSFETs
International IOR Rectifier IRLZ44NPbF Ugs 15V 12V 10V 9.0V 6.0V 4.0V 3.0V 2.5V ID, Drain-to-Source Current (A) TOP BOTTOM 1000 100 10 1 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 0.1 1 10 100 20us PULSE WIDTH TJ = 25°C Kurve für Ugs = 2.5V
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Kennlinien des IRLZ44NPbF MOSFETs
International IOR Rectifier IRLZ44NPbF Fig 1. Typical Output Characteristics ID, Drain-to-Source Current (A) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) TOP 15V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V BOTTOM 2.5V 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C Fig 2. Typical Output Characteristics TJ = 175°C
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Schaltplan mit MOSFET und Transistor
+13,8V R1 4,7kOhm V1 T1 BC547 R2 4,7kOhm T2 IRF9610 G D S R3 (notwendig?) zur Spule (Bias-T) PTT-Taste SB1100 D1 D2 D3 D4 P6KE47A P6KE47A Finder 40.51.9.014.0000 (Spulenwiderstand 300 Ohm) PIN3
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Produktankündigung eines Photocouplers von ISOCOM
a result, only a single device is required to effectively drive the gate of a high-voltage power MOSFET. "The photocoupler is housed in a ceramic package featuring either metal hermetic lid sealing or ceramic hermetic lid sealing, measuring a compact 3.85 x 3.85 x 1.6 mm. This design makes it ideal for driving the gates of high-voltage power MOSFETs, which are essential for developing a galvanically isolated solid-state relay (SSR) function," says Thomas Bayat, Managing Director and CEO of Isocom. CHD320E ISOCOM 2042 Dimensions: 3.8 mm Sq.
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Schaltplan einer Transistor-Schaltung mit MOSFET und Diodenbrücke
+13,8V R1 4,7kOhm Z1 4,3V R2 4,7kOhm T2 S G IRF9610 D (notwendig?) R3 zur Spule (Bias-T) PTT-Taste B C E T1 BC547 SB1100 D1 D2 D3 D4 P6KE47A P6KE47A Finder 40.51.9.014.0000 (Spulenwiderstand 300 Ohm)
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Motor
4,1 Volt Motor M P Pumpe D1 D N-Channel Logik Level Mosfet IRLZ44N R2 390 Ohm GPIO R1 10k
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Ultraschall-Gerät reparieren
sind. Im Prinzip gibt es einen ca 37 kHz Oszillator der entweder per Trafo oder Optokoppler eine MosFet Endstufe betreibt, die dann die Piezos ansteuert. Offensichtlich ist wohl der kaputte MosFet nicht die Ursache. Hat irgendwer Erfahrung mit der Reparatur von solchen Geräten und könnte mir helfen
Gerät zunächst normal funktioniert und erst nach einigen 10...60 Minuten Betriebszeit wieder die MosFets durchschiesst. Eine ansteigende Erwärmung => Hitzetod der MosFets konnte ich nämlich nicht feststellen.
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ESP32 mit 3,3V PWM einen 3,7V Motor betreiben
Einzige, der > hier einen vernünftigen Schaltplan abgeliefert hat. Mit einem völlig ungeeigneten MOSFET.
bereits 3A > bei 25 °C (8A bei 175 °C) Lies dazu https://stefanfrings.de/transistoren/index.html#mosfet
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Wechselrichter mit Zeitschaltuhr / Abschaltautomatik
einen Ein-Aus-Schalter. Einfach eine Leitung an den Schalter anlöten und die mit einem Relais oder MOSFET schalten. Bei mir macht das ein ESP32 mit Relaisboard.
multifunktionales-zeitrelais-programmierbar-12v Den Teil mit dem Relais ersetzt Du durch eine Schaltung mit einem 150-200A Mosfet: https://www.reichelt.de/de/de/shop/produkt/mosfet_p-ch_100v_170a_890w_0_012r_to264aa-257229?PROVID=2788
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Serienfehler Lidl/Parkside X20 Ladegerät?
Spendiere Deinem neuen MOSFET bei der Gelegenheit doch auch gleich noch einen Kühlkörper.
Beitrag #8061035: > 2,5W Verlustleistung werden da allerdings wirklich nie erreicht...... Kann der MOSFET ja auch nur für ganz kurze Zeit.
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
+13,8V R2 4k7 R3 4,7kohm T2 S IRF4905 G D 4V7 15V D1 IN4007 T1 BC547 B E PTT-Taste zur Spule (Bias-T)
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Schaltplan einer Transistor-Schaltung mit MOSFET
+13,8V R2 4k7 R3 4,7kohm T2 S IRF4905 G D 15V D1 1IN4007 15R T1 BC547 B E PTT-Taste zur Spule (Bias-T)
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Schaltplan einer Transistor-Treiberstufe mit MOSFET und Relais
+13,8V Z1 15V R3 4,7kohm S T2 IRF9540 G B C T1 BC547 E R2 1kohm D R4 100 Ohm / 1W P6KE47CA PTT-Taste zur Spule (Bias-T) P6KE47CA Finder 40.51.9.012.0000
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
+13,8V R2 1 kOhm R3 4,7kOhm T2 S IRF4905 G D 15V D1 1N4007 Polyfuse 500mA zur Spule (Bias-T) T1 BC547 B E PTT-Taste
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Schnelle MOSFET-Schaltung
gezogen. Zur Abfallgeschwindigkeit: max 5ms. Wären TVS Dioden ne Alternative? Und ein anderer MOSFET (IRF9540)? Grüße Oli
Oh ein MOSFET Thread. Ich mach gleich ein paar Vorschläge.
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
+13,8V,Z1 15V,R3 4,7kohm,T2,IRF4905,R2 1 kOhm,C,B,T1 BC547,E,D,R4 100 Ohm / 1W,D1 1N4007,PTT-Taste,zur Spule (Bias-T)
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Reparatur PA Amp - Frequenzgang
zerstört wurden. Beide Kanäle sind repariert. Es wurden alle Endtransistoren getauschen, sowie alle Mosfets in den Buck Konvertern. Alles hochwertige originale Bauteile von Mouser. Jetzt habe ich allerdings das Problem, dass bei einem Kanal ab ca. 6kHz bis 20kHz der Gain um ca. 8dB einbricht. Der Endstufe
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Alternativer SSB-TX Ansatz => QRP
Kann es sein, dass ein Teil der Verzerrungen vom TP-Filter (Oberwellenfilter) hinter dem Sende-MOSFET wieder eliminiert wird (oder überhaupt oberhalb von 3KHz liegt und beim Empfänger weggefiltert wird)? Vielleicht gehen diese Verzerrungen auch einfach im Kurzwellenstörnebel unter oder das menschliche
Kann es sein, dass ein Teil der Verzerrungen vom TP-Filter > (Oberwellenfilter) hinter dem Sende-MOSFET wieder eliminiert wird (oder > überhaupt oberhalb von 3KHz liegt und beim Empfänger weggefiltert wird)? Nein, ich beziehe mich nur auf die Inband-Artefakte. > unter oder das menschliche Ohr kann
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Spice Simulation von Treiber TC4229
Hallo, ich möchte einen Mosfet mit dem 4429ZT Gate-Treiber 6A ansteuern und diesen dazu auf LTSpice simulieren. Leider finde ich nirgendwo online das simulation model zum runterladen für LTSpice. Auf der Homepage von microchip (
downloads/aemDocuments/documents/OTH/ProductDocuments/BoardDesignFiles/SPICE_Models_for_TC4420-29_MOSFET_Driver_Devices.zip
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Kleiner Konstantstromtreiber für kleine LEDs gesucht
nicht einmal irgendetwas kühlen müssen. Schalten kannst du mit einem kleinen Logic-Level N-Kanal MOSFET. Dann hat die Ansteuerung auch die von dir gewünschte Polarität. Um die Helligkeit einzustellen, könntest du die Ausgangsspannung verändern, so dass der Spannungsabfall am Vorwiderstand für halbwegs
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L7805 überhitzt bei bestimmten Last-Szenarien
entweder "Abfallprodukte" beim Chipdesign (Body-Diode) oder sie werden bewusst zum ESD-Schutz der Mosfets im Pintreiber eingebaut. Aber wie gesagt: such einfach man nach "parasitäre Versorgung über Schutzdiode", dann findest du schon was zum Thema. Sogar das KI-Ergebnis zeigt in die richtige Richtung.
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Ersatz für BSP125 und GP10Y
Im Prinzip ist das eine einfache Schaltung. Es wird über die Spule und den Mosfet ein Aufwärtswandler betrieben. Im Prinzip kannst Du jeden Mosfet nehmen, dessen Spannungsfestigkeit, Gate-Kapazitäten und U_gth vergleichbar wären. Wenn sich keine finden lässt, dann wäre es notwendig
BSP125H6327XTSA1 nun auf Lager. Aber wie schon angemerkt, ist die Schaltung und die Auswahl dieses Mosfets nicht gut. Die Gate plateau voltage von 3.44V des BSP125 wird durch den Microcontroller nie erreicht. Selbst wenn es iregendwie funktioniert, wird der Mosfet bald sterben.
