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TIP150_1_2.pdf
Test Conditions Min Typ Max Unit OFF Characteristics Collector−Emitter Breakdown Voltage V TIP150 (BR)CEO I = 10mA, I = 0, Note 1 300 − − V C B TIP151 350 − − V TIP152 400 − − V Collector−Base Breakdown VoltagV(BR)CBO TIP150 C = 1mA, B = 0, Note 1 300 − − V TIP151 350 − − V TIP152 400 − − V Collector
in „Welches SSR für Zündunterbrecher bzw. Alternativen zum SSR?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TPCA8028-H_datasheet_en_20080122.pdf
Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Gate leakage current GSS VGS = ±20 V, DS = 0 V ⎯ ⎯ ±100 nA Drain cutoff current DSS VDS = 30 V, GS = 0 V ⎯ ⎯ 10 μA V (BR) DSS ID= 10 mA, VGS= 0 V 30 ⎯ ⎯ Drain-source breakdown voltage V V (BR) DSX ID= 10 mA, VGS= −20 V 15 ⎯ ⎯ Gate threshold voltage Vth VDS
in „Ersatz für TPCA8028-H“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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smbj.pdf
power versus exponential initial junction temperature pulse duration (Tamb= 25 °C) P (W) P (kW) 700 pp 100.0 PP j initial = 25 °C 600 500 10.0 400 300 200 1.0 100 Tj(°C) tP(ms) 0 0.1 0 25 50 75 100 125 150 175 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 Figure 5: Clamping voltage versus peak pulse current (exponential
in „SMD Diode unbekannte Kennzeichnung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tca9548a.pdf
Figure 5) STANDARD MODE FAST MODE I C BUS I C BUS UNIT MIN MAX MIN MAX 2 scl I C clock frequency 0 100 0 400 kHz 2 sch I C clock high time 4 0.6 μs t I C clock low time 4.7 1.3 μs scl sp I C spike time 50 50 ns 2 sds I C serial-data setup time 250 100 ns 2 (1) (1) sdh I C serial-data hold time 0 0 μs
in „plötzl. Spannungsanstieg bei TCA9548a“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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TPCA8048-H_Toshiba.pdf
Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Gate leakage current GSS V GS= ±20 V, DS= 0 V ⎯ ⎯ ±100 nA Drain cutoff current DSS V DS= 60 V, GS= 0 V ⎯ ⎯ 10 μA V (BR) DSS ID= 10 mA, GS = 0 V 60 ⎯ ⎯ Drain-source breakdown voltage V V (BR) DSX ID= 10 mA, GS = −20 V 45 ⎯ ⎯ Gate threshold voltage V th V
in „WER KENNT DIESES 10S BMS von 36V Lion Akku vom Hersteller GW.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lcd_4bit.c
checking if display is ready /// \todo rename module to lcd.c /// \author Udo Jakobza, Carsten Kögler<br> Copyright (c) FTZ Leipzig <br> /// D-04107 Leipzig<br> Wächterstr. 13 info@easytoweb.de /// \par License /// This library is free software; you can redistribute it and/or modify it /// under the terms
in „MSP430_RTC_Display_Zeiger“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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xtreme_2.pdf
1 T910400029600 GIFT BOX XTREME2 GRN BR 1 T910400029360 GIFT BOX XTREME2 GRN CN 1 T910400029560 GIFT BOX XTREME2 GRN EU 1 T910400029610 GIFT BOX XTREME2 PL GRN IN 1 T910400029590 GIFT BOX XTREME2 GRN JP 1 T910400029700 GIFT BOX XTREME2 RED AM 1 T910400029710 GIFT BOX XTREME2 RED AS 1 T910400029730 GIFT BOX XTREME2 RED BR 1 T910400029680 GIFT BOX XTREME2 RED CN 1 T910400029690 GIFT BOX XTREME2 RED EU 1 T910400029740 GIFT BOX XTREME2 RED IN 1 T910400029720 GIFT BOX XTREME2 RED JP 1 T910400029770 GIFT BOX XTREME2 SQUAD
in „JBL Xtreme 2 keine Reaktion“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tpc8123.pdf
Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Gate leakage current GSS VGS = ±20 V, DS = 0 V ⎯ ⎯ ±100 nA Drain cut-OFF current DSS VDS = −30 V, GS = 0 V ⎯ ⎯ −10 μA V (BR) DSS ID= −10 mA, VGS = 0 V −30 ⎯ ⎯ Drain-source breakdown voltage V V (BR) DSX ID= −10 mA, VGS = 10 V (Note 7) −21 ⎯ ⎯ Gate threshold
in „Autobatterie Ladegerät Transistor defekt - Äquivalentes Bauteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon-IRLIB9343-DS-v01_02-EN.pdf
60µs PULSE WIDTH 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 0.1 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -V , Drain-to-Source Voltage (V) -V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig. 1 Typical Output Characteristics Fig. 2 Typical Output Characteristics 100.0 2.0 c D = -14A ) T J 25°C a V =
in „DS3231 RTC Modul, Raspberry Pi, Zeitschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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drv8711.pdf
ns DTIME = 11 850 IDRIVEP = 00 50 IDRIVEP = 01 100 I Peak output current gate drive mA OUTH (source) IDRIVEP = 10 150 IDRIVEP = 11 200 IDRIVEN = 00 100 IDRIVEN = 01 150 OUTl Peak output current gate drive (sink) mA IDRIVEN = 10 200 IDRIVEN = 11 400
in „UV-Laserdrucker II“ · Platinen ·
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TB12To5.pdf
MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1E-32 CJS=0 + VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.9579 Vceo=45 Icrating=100m + mfg=Philips) .model BC327 PNP( + IS=2.69972e-13 BF=255 NF=1.02306 VAF=10 IKF=1.61069 + ISE=1.54904e-10 NE=2.52512 BR=2.08944 NR=1.06916 VAR=100 + IKR=10 ISC=8.82272e-11 NC=3.4075 RB=5.73192 IRB=0.1
in „Diskreter DC/DC-Wandler in LtSpice“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TB12To5.pdf
MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1E-32 CJS=0 + VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.9579 Vceo=45 Icrating=100m + mfg=Philips) .model BC327 PNP( + IS=2.69972e-13 BF=255 NF=1.02306 VAF=10 IKF=1.61069 + ISE=1.54904e-10 NE=2.52512 BR=2.08944 NR=1.06916 VAR=100 + IKR=10 ISC=8.82272e-11 NC=3.4075 RB=5.73192 IRB=0.1
in „suche Inspiration zu LTSpice“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TB12To5.pdf
MJC=0.2955 XCJC=0.6193 TR=1E-32 CJS=0 + VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.9579 Vceo=45 Icrating=100m + mfg=Philips) .model BC327 PNP( + IS=2.69972e-13 BF=255 NF=1.02306 VAF=10 IKF=1.61069 + ISE=1.54904e-10 NE=2.52512 BR=2.08944 NR=1.06916 VAR=100 + IKR=10 ISC=8.82272e-11 NC=3.4075 RB=5.73192 IRB=0.1
in „diode UF4007“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lcd.c
WW "},{" } {12,0 ,0 ,0 ,5 ,7 ,0 ,0 ,0 }, //6" AT IT Abg"},{" "} {14,0 ,0 ,0 ,6 ,8 ,0 ,0 ,0 }, //7"BR PV PWW "},{" " {16,0 ,0 ,0 ,7 ,9 ,0 ,0 ,0 }, //8"temp wasser "},{"interwall s" {18,0 ,0 ,0 ,8 ,10 ,0 ,0 ,0 }, //9"temp i/a "},{"interwall s" {20,0 ,0 ,0 ,9 ,11 ,0 ,0 ,0 }, //10"dig inp "},{"interwall
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STW12NK90Z.pdf
source voltage ± 30 V D Drain current (continuous) Ct T = 25°C 11 A D Drain current (continuous) Ct T = 100°C 7 A (1) IDM Drain current (pulsed) 44 A Ptot Total dissipation Ct T = 25°C 230 W Derating Factor 1.85 W/°C V ESD(G-S) Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) 6000 V (2) EAS Single pulse avalanche energy
in „SMA SB4200TL-MS Reparatur“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datasheet.pdf
Type VDSS RDS(on) D STP22NF03L 30V <0.05Ω 22A ■ Exceptional dv/dt capability ■ Low gate charge at 100°C 3 ■ Application oriented characterization 2 1 ■ 100% avalanche tested TO-220 Application ■ Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This Power MOSFET is the latest development
in „Unbekannter Spannungsregler von ST“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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cd0603-b.pdf
) J u 200 ( 1m C n r e w 100 u100u o C TJ= 100 °C s r u 50 v 10u e R t TJ= 25 °C a 1u s I 10 100n 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0 20 40 60 80 100 Forward Voltage (V) Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) Typical Junction Capacitance
in „Fein MultiTalent AFMT 12 QSL - Bauteil identifizieren“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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main.c
and PRIO=1 */ ROUTE_INTERRUPT(SPI2_VEC, 0x82); /* RQST=1 and PRIO=2 */ for(i=0;i<3;i++) { Delay_ms(100); PORTB &= ~0x10; //Port B an Delay_ms(100); PORTB |= 0x10; //Port B aus } rf12_init(); // ein paar Register setzen (z.B. CLK auf 10MHz) rf12_setfreq(RF12FREQ(433.92)); // Sende/Empfangsfrequenz auf
in „RFM12 mit HCS12“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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i2c.c
/ I2C Master, I2C, Synchronous mode UCB0CTL1 = UCSSEL_2 + UCSWRST; // Use SMCLK, keep SW reset UCB0BR0 = 40; // fSCL = SMCLK/40 = ~100kHz UCB0BR1 = 0; UCB0CTL1 &= ~UCSWRST; // Clear SW reset, resume operation } //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
in „I2C Ansteuerung von PCA9685 mit MSP430“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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3066.pdf
0.9 Ω(typ.) z High forward transfer admittance : |fs| = 5.5 S (typ.) z Low leakage current : DSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V) z Enhancement mode : th = 2.0 to 4.0 V DS = 10 V, D = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain−source voltage VDSS 600 V Drain−gate
in „Reparatur Schaltnetzteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Sensoren.txt
if(average >= 61 && average <= 500){ analogWrite(9, Pulse = 255); server.print("<p align='center'>100%</p></td>"); } server.print("<td width='692' scope='col' bgcolor='lightgreen'><h1 align='center'><strong>Sensorenüberwachung via Arduino©</strong></h1>"); server.print("<hr /></td></tr><tr>"); server.print
in „Sensorenüberwachung/Website via Arduino“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N4416.pdf
5 15 mA V GS= −20 V, DS = 0 V (2N) −2 −100 −100 pA T = 150_C −4 −100 −100 Gate Reverse Current I A GSS VGS = −15 V,DS = 0 V (SST) −0.002 −1 nA TA= 125_C −0.6 Gate Operating Current I V = 10 V, I = 1 mA −20 G DG D pA Drain Cutoff Current D(off
in „OP-Amp schützen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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RF0703A-1391409.pdf
Parallel Rating Series Rating Inductance Inductance .................................-40 °C to +125 °C @ 100 kHz / DCR @ 100 kHz / DCR (Temperature rise included) 0.25 V (W) Irms Isat 0.25 V (W) Irms Isat Storage Temperature Bourns Part No. L (mH) ±20 % Max. (A) (A) L (mH) ±20 % Max. (A) (A) ..............
in „Trafo-DC/DC Wandler zerlegt sich selbst“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BSTANWIS51_1.pdf
3 LED 3mm (2 x rot, 1 x grün) D1, 3, 4 Kondensator: 1 Aluminium-Elko 220uF/25V C8 1 Aluminium-Elko 100uF/10V C10 7 Tantal Elko 10uF/16V C4, 7, 11, 12, 13, 14, 15 3 Vielschicht 220nF C3, 5, 6 1 Folien 100nF C9 2 Keramik 22pF C1, 2 Widerstand: 1 Netzwerk 8 x 100 kOhm (8 auf 1) RN1 3 470 Ohm R2, 6, 8 1 1 kOhm R3 2 4,7 kOhm R5, 7 1 10 kOhm R4 1 100 kOhm R1 Sonstiges: 1 IC-Sockel 40pol. (IC1) 2 IC-Sockel 28pol. (IC2, IC3) 1 IC-Sockel 20pol. (IC4) 1 IC-Sockel 16pol. (IC7) 1 IC-Sockel 14pol. (IC6) 1 IC-Sockel 8pol. (IC5) 1 Brückendraht BR1 - 29 1
in „Layout für MCS51 Experimentierboard“ · Projekte & Code ·
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TSL45315.pdf
OUTPUT vs. vs V DD ILLUMINANCE 160 1000k 150 140 130 t 10k 25 C u A o 120 C D 70 C t I −15 C u 110 t O 100 100 90 80 1 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 1 100 10k 1000k VDD − V Illuminance — lux Figure 4 Figure 5 The LUMENOLOGY r Company r Copyright E 2011, TAOS Inc. r www.taosinc.com 5 TSL4531 DIGITAL AMBIENT LIGHT
in „Kommunikation mit TSL45315“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLML6401.pdf
I ID - 20μs PULSE WIDTH - 20μs PULSE WIDTH Tj = 150°C Tj = 25°C 0.01 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -V , Drain-to-Source Voltage (V) -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 2.0 100.0 ID= -4.3A c a Α TJ= 25°C i
in „3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2N5087-D.PDF
Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1) V Vdc (BR)CEO (IC= 1.0 mAdc,BI = 0) 50 − Collector−Base Breakdown Voltage V(BR)CBO Vdc (IC= 100 mAdc,EI = 0) 50 − Collector Cutoff Current ICBO nAdc (VCB= 35 Vdc,EI = 0) − 50 Emitter Cutoff Current IEBO nAdc (
in „rauscharmer NPN min 200v gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TI_ads5102_03.pdf
Type Drawing Qty ADS5102IPFB ACTIVE TQFP PFB 48 250 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) ADS5102IPFBG4 ACTIVE TQFP PFB 48 250 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) ADS5103IPFB ACTIVE TQFP PFB 48 250 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) ADS5103IPFBG4 ACTIVE
in „Projekt Signal-Auswertung mit High-Speed-ADC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon-IRLML2502-DataSheet-v01_01-EN.pdf
PULSE WIDTH T = 25 C T = 150 C 1 J 1 J 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.0 I = 4.0A c D ) n ( s n s e R 1.5
in „Hilfe bei Bauteilidentifizierung erbeten (MOSFET, SOT23)“ · Offtopic ·
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Infineon-IPD025N06N-DS-v02_05-EN.pdf
Values Parameter Symbol Unit Note / Test Condition Min. Typ. Max. Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS 60 - - V VGS0 V, I D1 mA Gate threshold voltage VGS(th) 2.1 2.8 3.3 V VDSV ,GS =D5 µA Zero gate voltage drain current DSS - 0.5 1 µA VDS60 V, V =GSV, T=25j°C - 10 100 VDS60 V, V =GSV, T=12j °C Gate-source
in „N-Channel Mosfet gesucht - IPD025N06N“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLML2502.pdf
PULSE WIDTH T = 25 C T = 150 C 1 J 1 J 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 2.0 I = 4.0A c D ) n ( s n s e R 1.5
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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74HCT4543_2.pdf
PARAMETER (INPUT) (OUTPUT) CAPACITANCE VCC UNIT MIN TYP MAX MIN MAX MIN MAX CL= 50 pF 4.5 V 80 120 100 Dn Output C = 15 pF 5 V 33 L CL= 50 pF 4.5 V 77 116 96 LD Output CL= 15 pF 5 V 32 pd C = 50 pF 4.5 V 66 99 83 ns BI Output L CL= 15 pF 5 V 27 PH Output CL= 50 pF 4.5 V 66 99 83 CL= 15 pF 5 V 27 t Any
in „Welcher Treiber zu 7 Segment LED mit Common Anode“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SRP1265C.pdf
.016) Series Visual Inspection Guide for detailed construction, processing and testing information. 100 100 WWH WWH * RoHS Directive 2015/863, Mar 31, 2015 and Annex. ** Bourns considers a product to be “halogen free” if (.496 ± .008) E (a) the Bromine (Br) content is 900 ppm or less; (b) (.496 ± .008
in „Schaltregler - maximaler Spulenstrom“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan eines symmetrischen Spannungsnetzteils
AC IN, BR1, 17 VRMS, 0V, -23V, -17V OUT, U2, LM337, D2, 1N4002, R3, 100R, C6, 100uF 25V, R4, 1K3, C8, 47uF 25V, C4, 100nF, C2, 4700uF 35V, AC IN, 17 VRMS, C1, 4700uF 35V, C3, 100nF, +23V, U1, LM317, D1, 1N4002, R1, 100R, C5, 100uF 25V, C7, 47uF 25V, R2, 1K3, +17V OUT
in „Low Noise Netzteil?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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Schaltplan eines Equalizers und Netzteils
MONITOR SWITCH, RECORD OUT, EQUALIZER OUT, INPUT, IC1/2, R22 15k, C22 10u, RV11 250k, R23, R24 10k, R26 100, R27 1M, R28 100, C25 10u, C26 47n, C27 47n, C29 10u, R29 100, C28 47n, C30 10u, PIN 11, PIN 7, IC1-3, R21 47k, C21 10u, C23 150p, R25 10k, C24 150p, 0V, +15V, -15V, R1 bis R10, C1 bis C20, RV1 bis
in „Suche die Opamp-Schaltung, die "jeder kennen sollte"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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bmp.htm
(p >> 8); x1 = (x1 * 3038) >> 16; x2 = (-7375 * p) >> 16; p = p + ((x1 + x2 + 3791) >> 4); p = p / 100; return p.toFixed(1); }; function getparam() { var xmlHttp = null; var requeststatus = null; try { xmlHttp = new XMLHttpRequest(); } catch(e) { try { xmlHttp = new ActiveXObject("Microsoft.XMLHTTP")
in „HTML, AJAX, JavaScript, Merkwürdigkeit im Script“ · Softwareentwicklung ·
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bmp.html
(p >> 8); x1 = (x1 * 3038) >> 16; x2 = (-7375 * p) >> 16; p = p + ((x1 + x2 + 3791) >> 4); p = p / 100; return p.toFixed(1); }; function getparam() { var xmlHttp = null; var requeststatus = null; try { xmlHttp = new XMLHttpRequest(); } catch(e) { try { xmlHttp = new ActiveXObject("Microsoft.XMLHTTP")
in „HTML, AJAX, JavaScript, Merkwürdigkeit im Script“ · Softwareentwicklung ·
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main.c
// LED On //[ALEX]WRITE_REG(GPIOA->BSRR, GPIO_BSRR_BS5); //[ALEX]WRITE_REG(GPIOC->BSRR, GPIO_BSRR_BR13); delay_ms(100); UsbStrOut("Hello World!\n"); // Alternative: puts("Hello World!"); // Send echo of received characters back while (UsbRxAvail()) { char c=UsbGetChar(); UsbCharOut(c); } // LED Off //[ALEX]WRITE_REG(GPIOA->BSRR, GPIO_BSRR_BR5); //[ALEX]WRITE_REG(GPIOC->BSRR, GPIO_BSRR_BS13); delay_ms(900); } }
in „STM32 USB Übertragungsproblem mit Code von S.F.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N7000.pdf
100 nA V Gate threshold voltageV = V , I = 250 µA 1 2.1 3 V GS(th) DS GS D o d RDS(on) Static drain-source onVGS = 10 V,DI = 0.5 A P r 1.8 5 Ω resistance VGS = 4.5 VD I = 0.5eA 2 5.3 Ω e t Table 5. Dynamic
in „Schaltung mit 2 N-Kanal Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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agsboy_rev_g_besteuckungsplan.pdf
604k R3 L R21 R23 1M C28 n 4k7 2 1M 220k U3 1 0 R10 LED2 2 C18 LT1610 C27 4u7 C13 C 1 270 T U4 22u 100u 100u R24 270 F C21 LT1610 L4 C26 C22 2k2 R9 LED1 C6 22u C17 C19 LQH3C 47µ N U 100n 22u D4 D5 7 X100n 1uJ 0 C20 C24 1u C29 Q2 M S 10k C 1 R13 1u 22u 0 u L1 5 1 22u 100u T1 BC807 4k710 k k D3 L3 0 L2 BC817 100 2k2 100n1u R10k 1 1 22u B D 6 22u R7 2 4BR0520 M C S4 S5 RR 10k C7 100u R22 C15 C12 C14 100n 100n 100n 6 LED4 R15 270 S LED3 R14 270 LED6 R17 270 LED5 R16 270 S3 2 S 1 S
in „[V] Bausatz "agsBOY": Grafikdisplay, Beschleunigungssensor, analoger Joystick , USB“ · Markt ·
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Bachelor_EDM_Freyermuth_Oliver_2010-pdf.pdf
Betriebstemperatur im Bereich von (0... 85)°C liegen darf (im anderen Bereich „Industrial“ wären (−40... 100)°C möglich). Entscheidend für die vorliegende Arbeit war die Anordnung der Logikgatter. Diese sind in den CLBs noch einmal in Slices unterteilt, im Falle des Spartan 3 in vier Slices, welche sich aus
in „Laser-FPGA-Entfernungsmesser-Bastelarbeit - Blödsinn?“ · FPGA, VHDL & Co. ·
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lm3914.pdf
colors, or low-current by User incandescent lamps. Many LM3914s can be • Expandable to Displays of 100 Steps “chained” to form displays of 20 to over 100 segments. Both ends of the voltage divider are • Internal Voltage Reference from 1.2V to 12V externally available so that 2 drivers can be made • Operates
in „Magisches Auge EM80 wiederbeleben ( kein regenerieren )“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Brummfreies_Netzteil.pdf
BC550C R28 T15 6k8 R36 C41 R29 C48 R38 T11 4k7 T16 330R D23 RX Preamp OUT-R-L 10n R37 D22 R35 B C E 100µ C40 R-01 4k7 100uF:Uon=0,3sec C47 BC549 Rel2 2 100µ D26 33uF:Uon=0,1sec 10µ 4002 S2 C25 C26 Brummunterdrückung C A 100n 100n V F2 D14 4002 +Ub 0 100mA 3 VR3 2 Überspannungsschutz 3 R30 A R20 A´ LM317 3 Tr2 Br2 1000µ35V D16 2 3R3 3R3 R22 R24 +Ub D20 VDR2 1 240R 820R Uc+3V=Uz U 250v C29 C30 C33 C36 D15 D24 2 15-22V C42 T9 C27 100n C35 100µ25v 4002 R27 C28 4700µ40V 5k 100n 10µ LED3 100R 3 1 100n 100n R26 C39
in „Brummfreies Netzteil für Elektronikschaltungen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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xc164_um_v2.1_2004_03_per.pdf
Baudrate Detection with Value Br0 230.400 kbit/s 48 2 = 002 H Br1 115.200 kbit/s 96 5 = 005 H Br2 57.600 kbit/s 192 11 = 00B H Br3 38.400 kbit/s 288 17 = 011 H Br4 19.200 kbit/s 576 35 = 023 H Br5 9600 bit/s 1152 71 = 047 H Br6 4800
in „Unterschied Compare match und Period Match“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0752_001.pdf
0shaden-fe¡bÌl0Hz JLlq5lsechleêk 10t1 +'V-Anplitùde lHz lHz Ionolab. H vbrato Links; Blldr. Blodr- 100ns B¡slab.lllibratot' sdroltungde¡elektro- 500ns Scâdltverclãtkar nisdren Uh¡ llonosllultivllinulen' hennung lonoene¡alo¡ ioooHz rN- 10Endsfufonl.Zeitzeichen UhMeú Rodrt8:Bild s.De¡ {Lautstärhe ze¡Íze
in „Als Mikro noch Makro war: Die "Dicke Tal- Uhr"“ · HF, Funk und Felder ·
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i2c.c
/ I2C Master, I2C, Synchronous mode UCB0CTL1 = UCSSEL_2 + UCSWRST; // Use SMCLK, keep SW reset UCB0BR0 = 40; // fSCL = SMCLK/40 = ~100kHz UCB0BR1 = 0; UCB0CTL1 &= ~UCSWRST; // Clear SW reset, resume operation } //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
in „MSP430F2370 I2C“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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evb2240.pdf
R14, and R11. GPIO2 (SDA) 5V_USB FB1 U2 AT24C02A D 2A/0.05DCR C15 SKT2 1 5 3V3 D R13 R11 A0 SDA J7 100K 100K 2 A1 1 VBUS 1.0uF BusPwr U1 USB2240 QFN36B 3 A2 VCC 8 R VCC SelfPwr USB 1% C17 H USBDP USBDP RBIAS R10 12.0K 7 WP - D+ 3 2 USBDP RBIAS 35 0.1uF R GPIO7 (SCL) 6 4 C D- 2 USBDM USBDM 3 USBDM SCL
in „Schaltplan USB2241“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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evb2240.pdf
R14, and R11. GPIO2 (SDA) 5V_USB FB1 U2 AT24C02A D 2A/0.05DCR C15 SKT2 1 5 3V3 D R13 R11 A0 SDA J7 100K 100K 2 A1 1 VBUS 1.0uF BusPwr U1 USB2240 QFN36B 3 A2 VCC 8 R VCC SelfPwr USB 1% C17 H USBDP USBDP RBIAS R10 12.0K 7 WP - D+ 3 2 USBDP RBIAS 35 0.1uF R GPIO7 (SCL) 6 4 C D- 2 USBDM USBDM 3 USBDM SCL
in „USB2241 FlashMedia“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Bell-System.pdf
Schaltschwelle z.B. < 18,4Volt Va = Va1 – Va2 1.9 Volt n = Va / Va2 ≈≈ 0,1 R3 = R1 * n 1MΩ * 0,1 = 100KΩ R2 = (R1 ║ R3) / ((Vcc / Va1) -1) (100KΩ ║ 1MΩ) / ((24V / 20,3V) -1) = 91 / 0,182 = 499KΩ Den R2 teilt man auf einen festen Teil + Poti auf. z.B. 470KΩ fest + 50KΩ Poti. Da muß man eventuell etwas
in „Türklingelsignal abgreifen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ZXMN2B01F.pdf
ZXMN2B01F 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Summary V(BR)DSS RDS(on)(⍀) ID(A) 0.100 @ V GS= 4.5V 2.4 20 0.150 @ V = 2.5V 2.0 GS 0.200 @ V GS= 1.8V 1.7 Description This new generation trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with low
in „LED-Spannungswandler mit MOSFET ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
