not set # CONFIG_RTC_DRV_RX4581 is not set # CONFIG_RTC_DRV_RX6110 is not set # CONFIG_RTC_DRV_RS5C348 is not set # CONFIG_RTC_DRV_MAX6902 is not set # CONFIG_RTC_DRV_PCF2123 is not set # CONFIG_RTC_DRV_MCP795 is not set CONFIG_RTC_I2C_AND_SPI=y # # SPI and I2C RTC drivers # # CONFIG_RTC_DRV_DS3232 is not set # CONFIG_RTC_DRV_PCF2127 is not set # CONFIG_RTC_DRV_RV3029C2 is not set # # Platform RTC drivers # # CONFIG_RTC_DRV_CMOS is not set # CONFIG_RTC_DRV_DS1286 is not set # CONFIG_RTC_DRV_DS1511 is not set # CONFIG_RTC_DRV_DS1553 is not set # CONFIG_RTC_DRV_DS1685
Disks 10GB hin und her transferiert. Hat soweit alles geklappt und der Transfer lag immer über 90GB/Sek. - siehe Anhang. Als Disks ist eine SSD (SSDSC2KW24 von Intel) und eine herkömmliche 2,5" Disk von HST (HTS541010B7) in Betrieb. Man sieht auch, dass der SoC meinen urandom Datenstrom
Ω Resistance DS(ON) D = 150 mA T J 100 °C 8.6 10.0 TOP225 TJ= 25 °C 3.9 4.5 D = 200 mA T J 100 °C 6.4 7.5 TOP226 T = 25 °C J 3.1 3.6 I = 250 mA T = 100 °C D J 5.2 6.0 TOP227 T = 25 °C J 2.6 3.0 I = 300 mA T = 100 °C
Current IDSS V DS= 560 V, LNK305 70 mA TJ= 25 °C LNK306 90 V = 6.2 V, V ≥2 V, Breakdown Voltage BV DSS BP FB 700 V TJ= 25 °C Rise Time R Measured in a Typical Buck 50 ns Fall Time tF Converter Application 50 ns DRAIN
All outputs off, See Figure 9 and Figure 2 VDS(on)= 0.5 V, (1)(2)(3) N Nominal current N = D , See 90 mA TC= 85°C VDS = 40 V, VCC = 5.5 V 0.1 5 DSX OFF-state drain current V = 40 V µA DS VCC = 5.5 V 0.15 8 TC= 125°C I = 100 mA, D 4.2 5.7 VCC = 4.5 V Static drain-source ON-state D = 100 mA, See (1and
All outputs off, See Figure 9 and Figure 2 VDS(on)= 0.5 V, (1)(2)(3) N Nominal current N = D , See 90 mA TC= 85°C VDS = 40 V, VCC = 5.5 V 0.1 5 DSX OFF-state drain current V = 40 V µA DS VCC = 5.5 V 0.15 8 TC= 125°C I = 100 mA, D 4.2 5.7 VCC = 4.5 V Static drain-source ON-state D = 100 mA, See (1and
Figure 11-9. Efficiency vs I V = 3.3 V, [28] OUT BOOST [28] OUT BOOST LBOOST = 10 µH LBOOST = 22 µH 90 90 Vbat = 2.8 88 Vbat = 2.4 88 % Vbat = 1.8 % y 86 y 86 n n c 84 c 84 f f E E Vbat = 2.8 82 82 Vbat = 2.4 Vbat = 1.8 80 80 0 10 20 30 40 50 60 70 0 10 20 30 40 50 60 70 I , mA I , mA OUT OUT Notes 27
(10) 4840 (11) MKAE S14B (12+13) Anschlußstecker zum Mainboard (14) Altera Cyclone II CPU, EP2C8F256I8 (15) Spansion S29GL064N90TFA02 (16) Stecker zum TFT-Display/Tasten (17) LVC14A (18-23) ST K410 Z014 (24) W04 5610DG (25) BSP171
glücklich den Fehler gefunden zu haben! :-) Hier das Datenblatt vom Chip http://www.mouser.com/ds/2/100/001-98525_S29GL064N_S29GL032N_64_Mbit_32_Mbit_3_V_-933028.pdf P.S.: Bei farnell gibt es den S29GL064N90TFI020 ("I" anstelle "A"). Der wäre auch ok. Gleicher Temperaturbereich, aber der "A" ist
paar offene Fragen: - Kann ich LVDS als Schnittstelle nutzen, also auf der Hauptplatine per TI DS90C401 aus den 5 Volt SPI ein LVDS Signal erzeugen und auf der SD-Karten Platine per TI SN75LVDS9637 ein 3,3 Volt SPI Signal erzeugen? Gefühlt hört sich das zu einfach an. Ich habe Angst hier etwas zu
noch etwas anderes zu beachten? Ich habe hier als Receiver-Chip nur einen mit Enable-Pin gefunden (DS90C032B). Der eigentlich übertrieben ist, da 4 Kanäle. - Die Chips geben an bei LVTTL ein Logic High von 2,4 Volt auszugeben. Passt das noch für SD-Karten, oder ist das sowieso zu wenig? Viele Grüße
Figure33. TypicalATF-55143LNAwithPassiveBiasing. Resistor R3 is calculated based on desired V , I and ds ds available power supply voltage. Capacitors C2 and C5 provide a low impedance in-band RF bypass for the matching networks. Resistors R3 and VDD–V ds (1) R3 = R4 provide a very important low frequency
cards. The splitter is required to be able to record video from the LVDS receiver based on National DS90C124 (http://www.national.com/pf/DS/DS90C124.html), which currently is used in the NightVision and StereoVision projects at Autoliv Electronics AB (R005). The FNIR project uses an infrared camera, which
vs VCM 140 1.00 TA= +25°C 120 0.95 ) ) p100 n0.90 t t e T = -20°C e u 80 A u0.85 C C s 60 s0.80 B B t t p 40 p0.75 I I 20 0.70 TA= +85°C VIN DIFF = ±400mV VIN DIFF = ±400mV 0 0.65 0.95 1.15 1.35 1.55 1.75 1.95 2.15 2.35 0.95 1.15 1.35 1.55 1.75 1.95 2.15 2.35 Common-Mode Voltage (V) C01 Common-Mode Voltage (V) C01 Figure 9. Figure 10. PSRR vs FREQUENCY CMRR vs FREQUENCY 120 120 ) VDD = +5.0V B d ( o110 i110 a a +85°C R R n i t 100 c100 +25°C j j e R y e p 90 VDD = +3.3V o 90 u - -
Hier mal ein netter P-MOSFET von Infineon: http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSC030P03NS3G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
Ich glaub die beiden sind ein versuch wehrt : http://www.ebay.de/itm/2Pcs-IPP032N06N3G-60V-120A-188W-N-Channel-MOS-Field-Effect-Power-Transistor-/191647099872?hash=item2c9f0eabe0 Dauer zwar ne Zeit bis die da sind aber wenn ich mir 4 Stück für ca. 5,60€ bestelle und 3 Stk. Einbau
typ 0 V V S +10 V,DS=0.5 mA; Test Circuit 1 700 1000 700 1000 700 1000 max RONDrift 0.6 0.6 0.6 %/°C typ 0 V VS +10 V, DS= 0.5 mA RONMatch 5 5 5 % typ 0 V VS +10 V, DS= 0.5 mA I (OFF), Off Input Leakage 0.02 0.02 0.02 nA
continuous design to lower device dissipation (lower RMS currents) Y/R/F Package Current 100% (R and F 90% (for equivalent R ) • Minimizes transformer core size DS (ON) Limits package N/A*) • Optimizes efficiency for most applications Thermal Shutdown 125 °C min. 130 °C min. 75 °C • Allows higher output
continuous design to lower device dissipation (lower RMS currents) Y/R/F Package Current 100% (R and F 90% (for equivalent R ) • Minimizes transformer core size DS (ON) Limits package N/A*) • Optimizes efficiency for most applications Thermal Shutdown 125 °C min. 130 °C min. 75 °C • Allows higher output
90ct sind zwar mehr als 8ct (s.u.), aber die zusätzlichen GPIOs kann ich in meinem altuellen Projekt gut gebrauchen: Da der STM32F103VDT6 incl. 2-Kanal-DAC nur 90 ct. mehr als der STM32F103C8T6 kostet
10053_10107_10050_10106_10051,searchweb201603_2,afswitch_5,single_sort_0_default&btsid=e2ec4ee1-164c-4113-b6ee-be8e884b90c6 Teurer heißt ja nicht unbedingt besser. Hat jemand mal verschiedene getestet?
supplies, some delay is present due to the in-series capacitor (C1 in Figure 1). FIGURE 9: FIGURE A: WAVEFORM AT ZERO CROSS NODE DS00954A-page 8 2004 Microchip Technology Inc. AN954 POWER CONSIDERATIONS Sizing C2: C2 should be rated at twice the voltage of the zener
kostengünstiges 6 USD Duo das ausreicht. Als Display setze ich ein günstiges OLED [2] auf SSD1306 Basis per I2C oder manchmal auch per SPI ( I2C ist nicht immer problemlos ) ein die es günstig für 3-4 USD gibt. Tempsensor nehm ich LM34 bzw für innen LM35 her [5] ( bin zufrieden damit ) , auch den DS18B20,
using Infrared Tstg StorageTemperature °C -65 to 150 measurement technique. MGA-31189ElectricalSpecifications [1] TA= 25°C,V d 5V, unless noted Symbol ParameterandTestCondition Frequency Units Min. Typ. Max. ds Quiescent current N/A mA 93 111
C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage
C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage
