funktionieren? Bin mir auch bei der Dimensionierung der Widerstände (R3,R4) für die Gatespannung vom BSS84 nicht sicher. Das RC-Glied wird ja nun mit 12V PWM angesteuert. Sollte das RC-Glied über einen Spannungsteiler (zwischen Drain und GND) mit geringerer Spannung betrieben werden oder ist das egal?
denn die LED lassen da etwa 1,5V stehen, wenn sie die einzige Last darstellen. Überprüfe, ob die BSS84 24V Ugs vertragen. Das ist sehr, sehr viel und das kann nicht jeder MOSFet.Edit: Ich sehe gerade, das sie nur 20V können. Nimm also lieber normale Emitterfolger mit NPN Transistor (BC337 oder BC639
IRF7205 sieht ganz gut aus. SO8 ist jetzt auch kein Beinbruch. Erfüllt der meine Anforderungen? Der BSS84P im SOT-23 ist schön billig, hat aber stolze 8 Ohm Rds(on) und mag nur 170 mA Dauerstrom. Das ist mir zu viel. MaWin schrieb im Beitrag #2736815: >> (Ich werde sowieso noch andere Sachen bei Digi-Key
hauptsächlich durch das Umladen der 5nF bedingt ist. Hohe Querströme des Treiber-Inverters (BSS123 & BSS84) werden durch die Common-Gate Stufen vermieden. Geschwindigkeiten der Optokoppler wird ebenfalls mittels Kaskodensufen maximiert. Flankensteilheit (10-90%) bei 5nF Gatekapazität beträgt ca 250ns
der MAX713 in die ewigen Jagdgründe eingegangen. Irgendwie traue ich Deiner Beschaltung rund um Q1 (BSS84) nicht so ganz. - Zur 'FASTCHARGE'-Indikation über den entsprechenden Pin (8) sollte der minimale Reihenwiderstand zur LED nicht kleiner als 470 Ohm sein. Bei Dir isser 240 Ohm - könnte somit den
SD-Kartenhalterung unsinnig beschriftet, Netznamen und Labels an JP1) Für T1 kann man einen BSS84 auf den Rücken drehen und schief einlöten, das passt dann. Die Pull-Ups kann man nachrüsten. Dann hat man einen soliden Shield, der auch noch weitere Shields am SPI nutzen kann. Wie ein solcher
Aber ein NPN in Sättigung sollte eine ausreichend niedrige Uce haben, damit das nMOS sperrt? Der BSS84 hat Vgs +-20V, und die -23V dort zum Schalten scheinen noch in der Toleranz zu liegen, bzw Vth liegt bei -1,7V (typ), -0,8V (min)...
beide, solange > kein Eingangssignal anliegt. Habe die gegentaktendstufe nun mit Mosfets BSS123 / BSS84 aufgebaut. Die Spannungsversorgung der fürs Display wird nun mit Vorwiderständen realisiert. Wird es so funktionieren?
1 S Q B 3 J4 UEXT Bus power supply 1 2 4 k 5 k 3V3 GND R 2 R 2 UEXT_TX 3 TXD RXD 4 UEXT_RX Q7 5 6 BSS84 UEXT_SCL 7 SCL SDA 8 UEXT_SDA GND F3 D9 CAN_V+ UEXT_MISO MISO MOSI UEXT_MOSI D C DCDC_OUT 2 3 UEXT_SCK 9 SCK SSEL 10 UEXT_SSEL S S 200mA 1N4148 T T 9 k D8 E E R 5 MM3Z12VT1G 1 C U U R30 D10 C CAN_GND 56k 1N4148 3 R48 T3 GND V_BUS_EN 1 MMBT3904 10k 5V signal output 2 +5V Q5 BSS84 GND 2 3 5V_OUT 3 0 R 1 1 R38 MPPT Charger 20A 2.2k 3 R47 T4 5V_OUT_EN 1 MMBT3904 100k 2 Website: http://libre.solar D Sheet: /Communication Interfaces/ D File: interfaces.sch GND Author: Martin Jäger
nicht in TINA integriert. Die FETs sind auch erstmal willkürlich gewählt. T1 würde ich durch einen BSS84 ersetzen, T2 mal schauen. Die Auswahl ist auf diese gefallen, da der TL072 bis hin an seine Betriebsspannung messen kann. Dagegen kann er die Aufgabe vom LM358 nicht übernehmen, da er eine so geringe
ein paar andere Liblinge: MSP5.0A / MSP3V3 - Supressordioden, die kommen überall mit drauf. BSS84 / BSS123 - Logic Level Mosfets BTS432 / BTS555 - Hi Side Switch
Stecker. Mit 2 Tranceivern gehen folglich zwei CAN-Schnittstellen zur gleichen Zeit. Wir nutzen zb BSS84DW zum Schalten von einer Abschlusswiderstandsmatrix. Jo PS: Lines sind einfach nur als normale Leiterbahnen zu sehen. PS II: Stichleitungen werden auch gerne genutzt bei Tests in der Produktion
Resistor-Equipped Transistors (RET) in DFN1110D-3. • 2N7002KQB - 60 V N-Kanal Trench MOSFET und BSS84AKQB - 50 V, P-Kanal Trench MOSFET in DFN1110D-3. [/c] ### Texas Instruments: immer kleinere Halbleiterrelais mit bis zu 5KV Isolationsfähigkeit 800V-Batteriesysteme sind insbesondere aus dem Automotivebereich
die Positiv-Ausgänge als "OpenCollector" programmieren, mit den Negativ-Ausgängen einen (oder 4) BSS84 ansteuern, der wiederum an +5V hängt und so die gewünschte +5V schaltet. Am besten finde ich die erste Variante. Bei der zweiten muss man erst mal einen finden, der 3,3V kompatibel ist und auch
Negativen Spannungserzeugung: 29 --> PWM Ausgang Muß es ein BC327 sein? Ich hätte nen BC557 oder BSS84P hier. In welchem Bereich kann die Spule liegen? Ich hätte hier 330µH einmal las L-PIS2408 und einmal SMCC (die Widerstandsvariante) und einmal ne MISC 100µH Diode würde ich ne 1N914 nutzen.
, daher sind beide nicht 100%ig kompatibel. > Muß es ein BC327 sein? Ich hätte nen BC557 oder BSS84P hier. Ich sag mal ja. Es kann mit einem BC557 funktionieren, aber der dürfte am Rande der Specs betrieben werden. Der BSS84 ist viel zu hochohmig. > In welchem Bereich kann die Spule liegen?
N-Kanal-Typen (BSS123) zwischen Spannungsteiler und Masse einbauen, oder auf P-Kanal-Typen (z. B. BSS84) umsteigen. Außerdem genügt auch ein einziger FET; die Spannungsteiler sind ja eh parallel geschaltet.
und Meßverstärker. Ohne OPVs wäre man da aufgeschmissen. Für Schalteranwendungen nehme ich BSS138, BSS84. Für Schaltausgänge Highside- bzw. Lowside-Treiber mit internem Schutz, nie wieder durchgebrannte Transistoren. Audio habe ich schon lange nicht mehr gemacht. Ich hab aber noch ne Idee im Hinterkopf
Schaltung (danke dafür!) mal durchdenken und Nachbauen. Trotzdem würde mich interessieren, warum der BSS84 so schnell durchschaltet, entgegen der Simulation. Einfach nur um meinen Fehler zu erkennen und in Zukunft zu vermeiden.
Display1 +9V +5V +5V +9V +5V LCD_2x8A IC1 1 +9V T4 LP2950 R2 K1 BSS84 V W D D 2 2 3 3 IN OUT 1 k 0 + V R R E D D D D D D D D L L E E 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1 1 2 GND 2 1 1 1 K 2 0 2 C 1 + S 5 4 N 9 6 1 C1 R N 0 1 1 C1 1 3V/10mA: 0OHM K µ 2 D 1 1 R 5
THS6214 OFF: 75 Vc V V 1N4148 G R11 R17 R21 D5 , 3 , 3 BIAS2 TR1 1k 30 6 R 4 R Q10 X1 T4-1T-X65 R19 X3 BSS84 1N4148 6 T2 k 4 IN2 6 1 D R 4 2,2k C 1 56k , R 2 N 5 0 n - 2 BU-SMA 4 3 G R 1 R20 BU-SMA e 8 C16 2 1 2 3 R39 7 3 C10 BN61-202 6/4T l T 4 C L 4 R 4 Gehäuse: AKG 55 20 80 ME GND 2,2k GND C K R 100n 3
L BTS555 can be switched on with jumper E 9 4 on P1 if everything fails H 1 R A S 3 N I Q5 I V 1 BSS84 S A K 1 +5V _ P1 0 C 0 5 2 0 R C 1 1 1 R JP3 3 M 2 0 _ N C5 C49 C50TSENSE T 3 N E K 7 3 B C Sense enable network for BQ34. D 6 R Q3 0 9 0 R if not needed can be shorted with JP3 100nFI 1 100nF3,3nF
L BTS555 can be switched on with jumper E 9 4 on P1 if everything fails H 1 R A S 3 N I Q5 I V 1 BSS84 S A K 1 _ P1 0 C 0 5 2 0 R C 1 1 1 R JP3 3 M 2 0 _ N C5 C49 C50TSENSE T 3 N E K 7 3 B C Sense enable network for BQ34. D 6 R Q3 0 9 if not needed can be shorted with JP3 100nFI 1 100nF3,3nF ALARM 1
Hallo zusammen, ich habe den Transistortester von Markus F. (Version 2.1) erfolgreich nachgebaut. Da ich mich etwas mit der AVR-Programmierung auskenne, habe ich den Quellcode analysiert und verändert. Die wichtigsten Änderungen sind: Entfernung aller Texte und Parameterdaten aus dem EEprom in den Programmspeicher.(Vorteil: Programmierung in einem Rutsch, es kann nicht mehr dazu kommen, daß EEprom und Flash-Speicher nicht zueinander passen) Für die Kapazitätsmessung wird die Zeitmessung mit dem Timer1 des AVR zusammen mit dem Komparator durchgeführt. Speziell für kleine Kapazitäten
garnichts anderes mehr geht, auch SK84 ;-) Bezüglich der Treibertransistoren gäbe es alternativ noch BSS84, AO3400 oder AO3401, die sich zu Pfennigsbeträgen für viele Anwendungen eignen. Aber ich denke, Du hast alle passenden Teile zusammen, wobei ich dem Trafo nicht so recht traue. Solange jedoch das
, wobei der positive Ausgang auf GND liegt, man hat also -24V. Die Segmente und Gates werden über BSS84 direkt von einem STM32 mit 3,3V angesteuert. Insgesamt also sowas 27,3V. Filament wird über einen MOSFET Gate-Treiber betrieben. Der Ausgang der Brücke wird AC-gekoppelt und im Potential auf ca