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apple_macbook_pro_a1286_mlb_d1_051-9216_13.3_retina_a1425_820-3462_sch.pdf
10 mA Max, 1mA Idle 8 23 25 pwrterm2gnd 0201 S AJ23 AG37 pwrterm2gnd 23 17 8 =PP1V05_S0_PCH_VCCDIFFCLK AC37 I AA13 =PP1V05_S0_PCH_VCCIO 8 21 23 AJ25 VCCTX_LVDS AG39 pwrterm2gnd 55mA Max, 5mA Idle AE37 / AB15
in „Macbook Schaltpläne“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Weidezaun_S04_ELV50.pdf
Ü=1:5 80s R8 ER900 2 H1 Glimmlampe 0,24€ 0,5mA Zünd 94VAC Brenn 55 VAC, 390 kOhm D4,0x10,5mm 33G652 Buerklin.com 2 C9 16/75mARM15/17,5x5 83D796+83D780+83D800 <t 20M D10 R9 1k 3 *THR1 D6 Neon Bulb 4x10mm1,79
in „Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner“ · Projekte & Code ·
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vergleichstabelle.pdf
Low Loss (Funktechnik) Typ Frq. Innen- Dielektri- Außenleiter Mantel Temp. Schirmdämp- Dämpfung (/m) / Belastbarkeit Anmerkungen Hersteller Bereich leiter kum Bereich fung (1 GHz) 144 MHz 430 MHz 1 GHz 2,4 GHz l 5 b G Aircell 5 10 GHz Cu PE-F CuF+CuG 70% PVC* -55...+85 °C >90 dB 0,11 dB 0,19 dB 0,30
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5863-5883_de.pdf
20 6 [0.24] h7 10 [0.39] 3 [0.12] 10 [0.39] f7 20 [0.79] 3 [0.12] 1/4“ h7 7/8“ 49,5 1,95 90,1 3,55 3/8“ h7 7/8“ Synchroflansch, ø 58 Flanschtyp 2 und 4 60,5 2,38 (Abbildung mit M12-Stecker) 36,25 1,43 1 3 x M4, 6 [0.24] tief 1 , 2 ] 5 8 9 4 2 , [ , 8 2 h D 1 5 5 5 1
in „Encoder SSI, Gray auswerten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lm258.pdf
( I ( I VCC/2 + G +7V + 2k A 80 I G VCC = 30V & W E 60 -55°CTamb +125°C S10 A T T P L 40 T V U 5 O 20 VCC = +10 to + 15V & -55°CTamb +125°C 0 0 1.0 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 1k 10k 100k 1M FREQUENCY (Hz) FREQUENCY (Hz) VOLAGE FOLLOWER PULSE RESPONSE OUTPUT CHARACTERISTICS
in „Audio-Signal-Erkennung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Anleitung-Eurolite-SL-1200-search-light-de_en_es_fr.pdf
ler önnen Sie die einzenen G eräte nd idue l n tu r n. Dabeih t jder DM X- Kanal eine nd e eel egung m it er chiedenen Ege nschafe n. 13/55 00020552.DOC, Version 1.5 DMX-Protokoll Steuerkanal 1 - Iris Decimal Hexad. Percentage S/F Eigenschaft 0 255 00 FF 0% 100% F Allmähliche Einstellung des Durchmessers
in „Eurolite SL-1200: Thermische Abschaltung nach 10 min (HMI-Lampe)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DTC114EP-D.PDF
CHARACTERISTICS − NPN TRANSISTOR NSBC114EPDP6 ) ( E 1 1000 A V = 10 V 25C L C BI = 10 CE O V I 150C R G T T 100 I 150C N −55C M 25C R − 0.1 R R U T C C D 10 L ,E L −55C hF C t s E 0.01 1 V 0 10 20 30 40 50 0.1 1 10 100 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) C
in „Kollektorschaltung statt KFZ Relais“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LMR-1700.pdf
0.2 0.3 0.4 0.6 0.9 1.3 1.4 1.5 1.7 Attenuation dB/100 m 0.5 0.6 1.1 1.4 2.1 3.1 4.1 4.6 4.9 5.7 Avg. Power kW 20.27 15.55 8.72 7.09 4.79 3.23 2.40 2.15 2.02 1.76 Calculate Attenuation = (0.026460) • FMHz + (0.000160) • FMHz
in „GoPro WLAN-Kabel: 50 oder 75 Ohm?“ · HF, Funk und Felder ·
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SeikoChar.pdf
HxV) mm 3,07 x 5,73 2,78 x 4,27 2,95 x 3,80 4,84 x 8,06 2,95 x 4,15 3,20 x 4,85 Dot size (HxV) mm 0,55 x 0,75 0,50 x 0,55 0,50 x 0,55 0,92 x 1,10 0,55 x 0,55 0,60 x 0,65 Pow er supply voltage (VDD-VSS) + 5 V + 5 V + 5 V + 5 V + 5 V + 5 V Current consumption IDD 1,5 2,0 1,6 2,0 2,7 2,0 (mA,typ) ILC 0,2
in „Display Seiko L2432 und Kontrastproblem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Datenblatt.pdf
R (k ) 150 °C R (k ) 4 125 °C 150 °C 100 °C 2 125 °C 100 °C 3 75 °C 75 °C 50 °C 50 °C 25 °C 2 0 °C 1 25 °C 0 °C 25 °C 25 °C 50 °C 50 °C 1 10 1 1 10 10 1 1 10 I (mA) I (mA) sen(cont) sen(cont) To keep the temperature error low, an operating current of I = 1 mA is recommended for temperatures above 100 °C sen(cont) a. KTY82/1 series b. KTY82/2 series Fig 1. Sensor resistance as a function of operating current mgg704 mgg703 20 30 R R ( ) ( ) 20 10 10 0 0 10 10 0 1 2 0 1 2 I (mA) I (mA) sen(cont) sen(cont) T amb= 25 °C Tamb
in „KTY82/120,215“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LM7833.pdf
-1.0A ∆V OUT Load Regulation - - 17 mV IOUT=0.25A-0.75A - - 33 mV 5.8V≤V I≤18.3V ∆V OUT Line Regulation - - 33 mV 5.8V≤V I≤18.3V, IOUT =1.0A IQ Quiescent Current - - 8.0 mA IOUT≦1.0A - - 1.0 mA 5.8V≤V I≤18.3V ∆IQ Quiescent Current Change - - 0.5 mA IOUT=5mA-1.0A eN Output Noise Voltage - 55 - µV 10Hz≤f≤100KHz ∆V O/∆T Temperature coefficient of - -0.4 - mV/℃ IUT =5mA V OUT RR Ripple Rejection - 57 - dB 6.3V≤V IN≤16.3V, f=120Hz IPEAK Peak Output
in „2 Spannungen mit 1 Labornetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BRY_55.pdf
maximum duration, duty cycle p 1%. 2. R current is not included in measurement. GK 3. MARKING: BRY55-30 = BRY55-1 BRY55-60 = BRY55-2 BRY55-100 = BRY55-3 BRY55-200 = BRY55-4 BRY55-400 = BRY55-6 BRY55-500 = BRY55-7 BRY55-600 = BRY55-8
in „Kleinleistungs-Thyristor TO-92 Bezugsquelle“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BSS138.pdf
VoltageGS £ 20KW VDGR 50 V Gate-Source Voltage Continuous VGSS ±20 V Drain Current Continuous ID 200 mA Power Dissipation (Note 1) Pd 300 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) R qJA 417 °C/W Operating and Storage Temperature Range Tj STG -55 to +150 °C Electrical Characteristics @ TA= 25
in „Logic Level Hype“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Elektor83.PDF
11,95 I LSO2. -,65 LS192. 1,80 4012 -,90 4534. 13,90 M2716..... 8,90 PD08 LSO3. -,65 LS193. 1,80 4014 1,75 4538. .2,300 M2732..... 15,95 PD14 LSOS.. -,65 LS195. 1,55 4015 1,30 4539. . 1,90 M2758..... 15,95 PD1€ LSOS. -,65 LS196
in „Das Ende des Z80“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Panasonic_Ni-MH_Batteries_Handbook.pdf
750mA (1lt) r t1.0 1,500mA (2lt) p <1 year -20 to 35 o 3 . m a0.2 0 1 t <6 months -20 to 45 o - n Storage (°C) V0.1 . i <1 month -20 to 55 0.9 0 10 20 30 40 50 60 709 80 m 1 0 Discharge time (minutes) 4 A
in „Langlebige Sub-C Zelle gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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7-Segmente.pdf
)’’+E -449() A 0E5M.0JE*JB? 7E 0HEL=MJ@0E@=2=JEH0FB@0LE,J0E*,H0E1B7 ! 5A),) (E4E4 )+E2)693E/C+A9E594/9,A) 4,22BM*E)2M*BIM*E)JL0IBH0E 0HE’B? 7E9*B77BI?E(B=H0) > ?O MA1,E A=IE.=I1*15=JAH= *1-EH?#EJ1,E MH JAI ) @E=H =?D 6
in „MAX7219 Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0900766b8144620c_1_.pdf
60mm 4,000 130 TO 880VM(AC) RATING V481BA60 20,000 1100 TO 2800VM(AC)RATING 3,000 o o V421BA60 TA= -55 CTO 85 C V TA = -55 CTO 85 C ( ) T2,000 ( O V881BA60 S10,000 V V751BA60 L 9,000 K V661BA60 V 8,000 E1,000 V571BA60 K 7,000 P 900 A 6,000 M 800 P V282BB60 M 700 V321BA60 X 5,000 V242BB60 X 600 V271BA60 A 4,000 V202BB60 A 500 V251BA60 M M 400 V172BB60 3,000 V142BB60 300 V151BA60 V112BB60 V131BA60 2,000 200 -2 -1 0 1 2 3 4 5 10-2 10 -1 10 0 101 102 10 3 104 105 10 10 10 10 10 10 10 10 PEAK AMPERES (A) PEAK AMPERES (A) Figure 5 Figure
in „Hochspannung überprüfen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MX29F040C__5V__4Mb__v2.2.pdf
Vil, OE#=Vih Icw Write Current 15mA 30mA CE#=Vil, OE#=Vih, WE#=ViL Isb1 Standby Current (TTL) 1mA Vcc=Vcc max, CE#=Vih other pin disable Isb2 Standby current (CMOS) 1uA 5uA Vcc=Vcc max, CE#=vcc +0.3V, other pin disable Vil Input Low Voltage
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DTA124E-D.pdf
1 1000 R C BI = 10 25°C T 150°C I I M G − ) T 100 R ( 25°C 150°C N −55°C T E R C A0.1 R L L U L O C C V D 10 t −55°C , s F E h V VCE = 10 V 0.01 1 0 10 20 30 40 50 0.1 1 10 100 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) C , COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 7. VCE(sat)vs. C Figure 8. DC Current Gain 7 100 F f = 10 kHz ) 150°C ( 6 IE= 0 A m −55°C E TA= 25°C ( C N 10 A 5 E I R 25°C A 4 U P C C R 1 T 3 T U C T 2 L U L 0.1 , C o 1 , C IC VO= 5 V 0
in „Bauteil identifzieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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R1_und_R2.pdf
0.25 200 ± 200 ± 5 1R0 to 10M E24 Zero-Ohm-Resistor: Rmax.= 20 m, max.at 70 °C = 3.5 A 0.5 200 ± 100 ± 1 1R0 to 10M E24; E96 CRCW1210 1210 RR 3225M ± 200 ± 5 E24 Zero-Ohm-Resistor: Rmax.= 20 m, max.at 70 °C = 5.0 A 1.0
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TLC_555specs_TI.pdf
MAX 75 150 5000 25°C 4.65 5 5.35 4.65 5 5.35 4.65 5 5.35 V Trigger voltage V I(TRIG) Full range 4.55 5.45 4.55 5.45 4.55 5.45 25°C 10 10 10 II TRIG) Trigger current pA MAX 75 150 5000 25°C 0.4 1.1 1.5 0.4 1.1 1.5 0.4 1.1 1.5 V Reset voltage V I(RESET) Full range 0.3 1.8 0.3 1.8 0.3 1.8 25°C 10 10 10
in „TL555i was ist das“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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gysmi_165_inverter.pdf
_01P 10K1/16W CTN 64054 4.75K 1 1 C04_04P 64022 LM324D R04_07P 3 64006 BZV55C18 C04_03P 64048 100nF (50V) R04_03P R04_04P 64006 10K1/16W M_24V_S 1 NI 64004 C04_01P 100nF (50V) 1 NI 1K 64028 470nF (50V) -HT -HT
in „(S) Service manual Gysmi“ · Markt ·
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M7000_US_2003.pdf
2.26/5.35 184TC B3 A250 C120 C140 C160 C200 BRE40 30 / 40 112 M/8-2 WU 1.01/4 0.75/3.00 66 3.24/8.15 184TC B3 A250 C140 C160 C200 BRE60 44 / 60 132 S/8-2 WU 1.34/5.4 1.00/4.00 97 4.00/8.55 213TC B3 A300 C160 C200 BRE60 44 / 60 132 M-8-2 WU 1.88/7.4 1.40/5.50 121
in „Frequenzumformer“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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WIMA_DC_Link_MKP_4.pdf
_ _ _ _ _ _ 220 „ 35 50 57 52,5 4 1100 27 1,8 DCP4G062209F_ _ _ _ _ _ 250 „ 45 55 57 52,5 4 1250 32 1,6 DCP4G062509H_ _ _ _ _ _ 270 „ 45 55 57 52,5 4 1350 33,5 1,5 DCP4G062709H_ _ _ _ _ _ 300 „ 45 55 57 52,5 4 1500 35 1,3 DCP4G063009H_ _ _ _ _
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CA723-Intersil.pdf
7.5 V Line Regulation (Note 2) VI= 12V to 40V - 0.02 0.2 - 0.1 0.5 % V O VI= 12V to 15V - 0.01 0.1 - 0.01 0.1 % V O VI= 12V to 15V, - - 0.3 - - - % V O TA= -55 C to 125 C VI= 12V to 15V, - - - - - 0.3 % V O TA= 0 C to 70 C Load Regulation (Note 2) I = 1mA to 50mA - 0.03 0.15 - 0.03 0.2 % V L O I = 1mA to 50mA, - - 0.6 - - - % V L o o O TA= -55 C to 125 C L = 1mo to 50mo, - - - - - 0.6 % V O TA= 0 C to 70 C Output-Voltage Temperature Coefficient, TA= -55 C to 125 C - 0.002 0.015 - - - %/ C VO TA=
in „Datenblatt suchen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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K6T1008V2E-TB70.pdf
/100ns Commercial(0~70 °C) 32-SOP-525 K6T1008U2E-B 2.7~3.3V 70 /100ns 10μA 30mA 32-TSOP1-0820F/R K6T1008V2E-F 3.0~3.6V 55 /70 /100ns Industrial(-40~85 °C) 32-TSOP1-0813.4F/R 1) K6T1008U2E-F 2.7~3.3V 70 /100ns 1. The parameters are tested with 30pF test load. PIN DESCRIPTION FUNCTIONAL
in „[V] 10St SRAM 1MBit(128Kx8) 70ns, 3,3V Samsung K6T1008V2E-GF70 (8€)“ · Markt ·
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K6T1008V2E-TB70.pdf
/100ns Commercial(0~70 °C) 32-SOP-525 K6T1008U2E-B 2.7~3.3V 70 /100ns 10μA 30mA 32-TSOP1-0820F/R K6T1008V2E-F 3.0~3.6V 55 /70 /100ns Industrial(-40~85 °C) 32-TSOP1-0813.4F/R 1) K6T1008U2E-F 2.7~3.3V 70 /100ns 1. The parameters are tested with 30pF test load. PIN DESCRIPTION FUNCTIONAL
in „[V] 10St SRAM 1MBit(128x8) 70ns Samsung K6T1008V2E-GF70 (8€)“ · Markt ·
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CA723CT.pdf
C Load Regulation (Note 1) L = 1mA to 50mA - 0.03 0.15 - 0.03 0.2 % V O L = 1mA to 50mA, - - 0.6 - - - % V O T = -55 C to +125 Co A I = 1mA to 50mA, - - - - - 0.6 % V L o o O TA= 0 C to +70 C o o o Output-Voltage Temperature
in „Kennt oder besitzt jemand dieses Philips Netzteil PE1540 DC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LM35.pdf
§ a a (Average Slope) 10.1 10.1 ea g g g g Load Regulation TA 25§C 0.4 1.0 0.4 1.0 mV/mA (Note 3) 0LI 1 mA TMINsT AsTMAX g0.5 g 3.0 g 0.5 g3.0 mV/mA Line Regulation TAea 25§C g 0.01 g 0.05 g0.01 g 0.05 mV/V (Note 3) 4V V s 30V
in „LM35 an ATmega8 anschließen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM35DZ.pdf
§ a a (Average Slope) 10.1 10.1 ea g g g g Load Regulation TA 25§C 0.4 1.0 0.4 1.0 mV/mA (Note 3) 0LI 1 mA TMINsT AsTMAX g0.5 g 3.0 g 0.5 g3.0 mV/mA Line Regulation TAea 25§C g 0.01 g 0.05 g0.01 g 0.05 mV/V (Note 3) 4V V s 30V
in „Temperatursensor LM35 DZ will nicht funktionieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CA3280.pdf
∞, VO= 20V P-P 50 100 - 50 100 - kV/V Forward Transconductance GM IABC = 50µA, Large Signal - 0.8 1.2 - 0.8 1.2 mS g I = 1mA, Small Signal - 16 22 - 16 22 mS M ABC Input Resistance R I IABC = 10µA 0.5 - - 0.5 - - MΩ Channel Separation f = 1kHz - 94 - - 94 - dB Open Loop Total THD f = 1kHz,ABC = 1.5mA
in „Suche OTA für +/-2.5V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ucc3806.pdf
1 V ≤ VOUT ≤ 4 V 80 100 dB GBW bandwidth 1 MHz ICOMP_SINK Output sink current V ID< -20 mV, VCOMP = 1 V 1 mA I Output source current V < 20 mV, V = 3 V -80 -120 μA COMP_SRC ID COMP VCOMP_L Low-level output
in „$40 GDI inverter, neuerdings qualitätsprobleme?“ · Haus & Smart Home ·
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LM741_LM1458.pdf
Full ±12 ±14 - - - - V R ≥ 2kΩ 25 - - - ±10 ±13 - V L Full ±10 ±13 - ±10 ±13 - V Supply Current 25 - 1.7 2.8 - 1.7 2.8 mA -55 - 2 3.3 - - - mA 125 - 1.5 2.5 - - - mA Device Power Dissipation 25 - 50 85 - 50 85 mW -55 - 60 100 - - - mW 125 - 45 75 - - - mW NOTE: 4. Values apply for each section of the
in „OPV Versorgungsspannung sinkt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schmitt-Trigger_641279.pdf
IOH = −100 µA 3.0 2.9 3.0 2.9 4.5 4.4 4.5 4.4 1.65 1.29 1.52 1.29 I = −4 mA OH 2.3 1.9 2.15 1.9 IOH = −8 mA 3.0 2.4 2.80 2.4 V IOH = −16 mA 3.0 2.3 2.68 2.3 IOH = −24 mA 4.5 3.8 4.20 3.8 IOH = −32 mA www.fairchildsemi.com 2 N C DC Electrical Characteristics
in „Steile Flanke erzeugen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Kommunikationsprotokoll_der_VB-Serie-DE.pdf
erklärt: • 2Byte: Der Frame-Header ist immer AA 55. • 2Byte: Befehl 0x004D Low Byte zuerst. • 1 Byte: Die aktuelle ID des Geräts. • 3Byte: reserviert. • 1 Byte: Die Anzahl der Batterieketten. • 1 Byte: Batterietyp. 1: Lithiumbatterie 2: Lithiumeisenphosphat
in „Amateure braucht Hilfe bei RS232“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Mosfet_PHT8N06_Nkanal.pdf
specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT V Drain-source breakdown V = 0 V; I = 0.25 mA 55 - - V (BR)DSS voltage GS D T = -55˚C 50 - - V j V GS(TO) Gate threshold voltage V DS= VGS ID= 1 mA 1.0 1.5 2.0 V Tj= 150˚C 0.6 - - V Tj= -55˚C - - 2.3 V IDSS Zero gate voltage drain current V DS= 55 V; VGS = 0 V; - 0.05 10 A T = 150˚C - - 100 A j IGSS Gate source leakage current V GS= ±5 V - 0.02 1 A Tj= 150˚C - - 5 A ±V (BR)GSS Gate source breakdown voltage I = G1 mA 10 - - V R DS(ON) Drain-source
in „FET Konfektionierung okay?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PCB_Design_Optimization_Starts_in_the_CAD_Library.pdf
1.15 1.15 1.15 1.45 1.15x1.45 0.40 c115h65 s115h115 0.50 0.70 1.20 1.20 1.20 1.20 1.50 1.2x1.5 0.40 c120h70 s120h120 0.55 0.75 1.25 1.25 1.25 1.25 1.55 1.25x1.55 0.40 c125h75 s125h125 0.60 0.80 1.30 1.30
in „Altium Mechanical Layer 13 und 15“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM4250.PDF
pF. Resistor Biasing Set Current Setting Resistor to V SET VS 0.1 mA 0.5 mA 1.0 mA 5 mA 10 mA g 1.5V 25.6 MX 5.04 MX 2.5 MX 492 kX 244 kX g 3.0V 55.6 MX 11.0 MX 5.5 MX 1.09 MX 544 kX g 6.0V 116 MX 23.0 MX 11.5 MX 2.29 MX 1.14 MX g 9.0V 176 MX 35.0 MX 17.5 MX 3.49 MX
in „Appliaktion mit DDR OPV B176“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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4050PBC.pdf
I (Min) OL 0.4 0,5 5 4 3.8 2.9 2.4 3.2 6.4 - mA 0.5 0,10 10 10 9.6 6.6 5.6 8 16 - mA 1.5 0,15 15 26 25 20 18 24 48 - mA Output High (Source) Current 4.6 0,5 5 -0.81 -0.73 -0.58 -0.48 -0.65 -1.2 - mA I (Min) OH 2.5 0,5 5 -2.6 -2.4 -1.9 -1.55 -2.1 -3.9 - mA 9.5 0,10 10 -2.0 -1.8 -1.35 -1.18 -1.65 -3.0 - mA 13.5 0,15 15 -5.2 -4.8 -3.5 -3.1 -4.3 -8.0 - mA Out Voltage Low Level - 0,5 5 0.05 0.05 0.05 0.05 - 0 0.05 V V (Max) OL - 0,10 10 0.05 0.05 0.05 0.05
in „Pegelwandler SD-Karten tauglich“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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HMC8205BF10.pdf
G 15 10 28V 40V 10 45V 500mA 50V 900mA 5 55V 5 1300mA 0 3 - 0 0 0 1 2 3 4 5 6 9 0 1 2 3 4 5 6 9 FREQUENCY (GHz) 1 FREQUENCY (GHz) 3 1 Figure13.Gainvs.FrequencyatVariousSupplyCurrents Figure10.Gainvs.FrequencyatVariousSupplyVoltages
in „HF Breitbandverstärker Positiv/Negativ Betriebsspannung“ · HF, Funk und Felder ·
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id_ni-mh_1104_e.pdf
m50utes) 60 70 80 b 1 1 Discharge time (minutes) A <1 month -20 to +55 A <1 month -20 to +55 0 10 20 30 40 50 60 70 80 1.0 Discharge time (minutes) 1.0 Discharge time (minutes) 0.9 700mA(1 lt) 0.9 700mA
in „Mit welcher Spannung lädt man eine NIMH Zelle?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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150418-da-01-en-ADJ_LOW_DROPOUT_POS_VR_5A.pdf
7.5A A ) T –40°C TJ 150°C ) 10 25°C ( 0.05 E ( N E 0°C TJ 125°C N 150°C T I R 8 I 0 D U E U C D T 1 I 6 G–0.05 U TJ= 150°C C T T I –55°C O P T = 25°C T 4 V–0.10 I J R U M T = –55°C H T U J S 2 O–0.15 I FULL LOAD I GUARANTEED M 0 0 –0.20 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 5 10 15 20 25 30 35 –50 –25 0 25 50 75
in „spannungsstabilisierung in blitz“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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1083ffd.pdf
A ) T –40°C ≤ TJ≤ 150°C ) 10 25°C ( 0.05 E ( N E 0°C ≤ J ≤ 125°C N 150°C T I R 8 I 0 D U E U C D T 1 I 6 G–0.05 U TJ= 150°C C T T I –55°C O P T = 25°C T 4 V–0.10 I J R U M T = –55°C H T U J S 2 O–0.15 I FULL LOAD I GUARANTEED M 0 0 –0.20 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 5 10 15 20 25 30 35 –50 –25 0 25 50 75
in „Frage zum Datenblatt LT1084CT-5“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BTS_100_High_Side.pdf
Power dissipation Ptot 40 Operating and storage temperature range Tj,Tstg — 55 ... + 150 °C DIN humidity category, DIN 40 040 — E — IEC climatic category, DIN IEC 68-1 — 55/150/56 Thermal resistance K/W Chip-case Rth JC ≤ 3.1 Chip-ambient Rth JA ≤ 75 Semiconductor Group 1 04.96
in „Motorsteuerung mit kollektorschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bts100.pdf
Power dissipation Ptot 40 Operating and storage temperature range Tj,Tstg — 55 ... + 150 °C DIN humidity category, DIN 40 040 — E — IEC climatic category, DIN IEC 68-1 — 55/150/56 Thermal resistance K/W Chip-case Rth JC ≤ 3.1 Chip-ambient Rth JA ≤ 75 Semiconductor Group 1 04.96
in „BTS 100 Ersastzlösung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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opa128lm.pdf
Stability Gain = +1 1000 1000 1000 1000 pF Short Circuit Current 10 34 55 10 34 55 10 34 55 10 34 55 mA POWER SUPPLY Rated Voltage ±15 ±15 ±15 ±15 VDC Voltage Range, Derated Performance ±5 ±18 ±5 ±18 ±5 ±18 ±5 ±18 VDC Current, Quiescent O = 0mADC 0.9 1.5 0.9 1.5 0.9 1.5 0.9 1.5 mA TEMPERATURE RANGE Specification Ambient Temp. 0 +70 0 +70 0 +70 –55 +125 °C Operating Ambient Temp. –55 +125 –55 +125 –55 +125 –55 +125 °C Storage Ambient Temp.
in „Verkaufe 15 x OPA128LM“ · Markt ·
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at27c512.pdf
2.0 to CC+ 0.5V 1 mA ICC V CCActive Current f = 5 MHz, OUT = 0 mA, CE = VIL 20 mA V IL Input Low Voltage -0.6 0.8 V V IH Input High Voltage 2.0 V CC+ 0.5 V V OL Output Low Voltage IOL= 2.1 mA 0.4 V V OH Output High Voltage
in „Eprom Vergleichstyp“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DSA00390260.pdf
150 mV 250 mAs I s 750 mA 25 60 75 mV P b 55§Cs T Js a 150§C, s s 50 120 150 mV 5 mA O 1A s e IQ Quiescent Current O 1A TJ 25§C 6 6 6 mA b55§C s TJs a 150§C 7 7 7 mA DIQ Quiescent Current 5 mA s O s 1A 0.5 0.5 0.5 mA Change e s TJ 25§C,OI 1A 0.8 0.8 0.8 mA VMIN s VINs VMAX (8s V INs 20) (15s V INs 27) (18.5 V INs 30) V O e 500 mA,b 55§Cs T Js a 150§C 0.8 0.8 0.8 mA VMIN s VINs VMAX (8s V INs 25) (15s V INs 30) (
in „Beschaltung LM7805 mit C's“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FlashPrg.c
completed } /* * Erase Sector in Flash Memory * Parameter: adr: Sector Address * Return Value: 0 - OK, 1 - Failed */ int EraseSector (unsigned long adr) { // Start Erase Sector Command M16(base_adr + 0xAAA) = 0xAA; M16(base_adr + 0x554) = 0x55; M16(base_adr + 0xAAA) = 0x80; M16(base_adr + 0xAAA) = 0xAA;
in „Flash beschreiben minimodul 167“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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200831914164131428.pdf
CMS16P52/53/55 8-Bit OTP MCU Data Sheet http;//www.mcu.com.cn P. 1 MAR-2008 VER1.1 CMS16P52/53/55 CMS16P52/53/55 The Specification Revision History Doc. Version Revision Description Date 18/11/2007 1.0 Initial version
in „Lüfter mit Lauflicht modifizieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·