entlang der x1-Achse hat, Bild 2. Das Gebiet innerhalb der geschlossenen Kontur Γ 0 Γ ∪1 ∪Γ ∪Γ 2 − (13) enthält keine Singularität, also F i= v∫⎣ wni −σ jk k j ⎦ds = > [ ]ds + ∫ [ ]ds + ?[ ]ds + v∫[ ]ds = 0. (14) h Γ0 Γ1 Γ+ Γ 2 Γ− Man nennt J = ⎡wn − σ n u ⎤ds . (15) i Γ ⎣ i jkk ,i⎦ 1 den J-Vektor . J-Integral
Umschaltekontakt bestückt. Bild 10 stellt die Beschaltung des Stecksockels dar. Die Messer leisten 1 bis 13 sind entsprechend Relaistyp mit den Erreger wicklungen beschaltet. o l'1 12 3 11/ 7 8 151 0 1 1 191 '0 I" 1'2 o IzIAIr 1'3 Bild 10 i Stecksockcls des Messer/eis/en Telegrafenrc1ais 20 nn seit un d Z
verwendet wurden, weil für beide die internen Speicher des AVRs nicht ausreichten. Mit den heutigen AVRxxDs und allgemein verbreiteter SMT wäre das ein Klacks und C für alles keine Frage, aber vor über 20 Jahren war es einfach noch nicht so. @Thorsten: Falls Du ein IOR-File für einen AVR brauchst, das noch
deutlich günstiger als die Originale. Es gab da zunächst nur der Haken, dass Atmel, wie etwa beim Tin13A, zusätzliche Features, in dem Fall die BOD Control, eingebaut und deshalb die Chip-ID geändert hatte. Was in der Produktion beim Gang-Programming zu massiven Störungen führte, weshalb bei späteren As
Jürgen schrieb im Beitrag #7867190: > Geht um dieses Projekt: Dann mußt Du aber 2 Pins mit bis zu 13V schalten können. Z.B. der TMUX4053 enthält 3 Umschalter bis 24V mit 1,8V logik Eingang.
Rainer W. schrieb im Beitrag #7867324: > Natürlich macht das Sinn.Ausgangsimpedanz = Quellimpedanz + R_DS(on) Na dann mache mal eine lt. Datenblatt sichere Low Output Impedance bei Quellimpedance=1MOhm ...
VROI 1.35 1.50 1.65 V Capacitance on REGnC REGnC 0.07 0.1 0.13 µF Voltage slope RIVS 0.18 1800 V/ms Response time tPTHD a Time from ISO0 wake-up to 1 CPU CPU Start-up time Tcpusu instruction fetch. 600 750 µs a) see chapter 3.4.3 “POC characteristics” Note n=1 R01DS0145EJ0102
verbauten Temperatursensoren ( VR10 und VR11 ) weiterverwendet. Der Austausch durch PT1000 und/oder DS18B20 ist somit nicht notwendig und derzeit auch nicht vorgesehen. Link github Zusätzliche Informationen, sowie Binaries zukünftige Änderungen und Anpassungen können unter https://github.com/kleinekuh
>ATmega328p / 16 MHz : 41,0 Sekunden >CH32V003 / 24 MHz: 13,5 Sekunden 41Sec*16/24= 27.333 Sec // Atmega, wenn 24MHz Interessant: Könnte der Atmega328 24MHz wäre er etwas halb so schnell wie der CH32V003
DS3231. Ich sollte das allerdings lassen und das, was ich habe Dokumenieren und veröffentlichen Den CH32V003 als Ersatz für ATmega zu nehmen ist dann eine gute Wahl, wenn der Flashspeicher reicht und
::putAttrlist(const StructuredTextDataStore* ds) { + if (ds == NULL) + return; const StructuredTextDataStore::ValueType d = ds->getValueData(); for (StructuredTextDataStore::ValueType::const_iterator it = d.begin(); it != d.end
MSO8204 (2 GHz 10 GSa/s) 4x Tastkopf RP3500A 500 MHz 2x Tastkopf RP6150A 1.5 GHz 1x Rigol DS/MSO8000-BND Option Bundle - Lizenz (bereits freigeschaltet) Derzeitiger Neupreis bei Batronix knapp 15500k Euro inkl. MwSt. Geschätzt wurde es 150 Stunden lang benutzt. Die Ware wird unter Ausschluss
im Beitrag #7860626: > Ist das ebay jetzt? War ironisch von mir gemeint. Das Teil kostet neu ~13,5k. Die Hälfte ist ok. Dieses ewige "du musst noch mit dem Preis runter". Sicher, so ein Hinweis ist mal angebracht, wenn jemand etwas (vielleicht weil er es deutlich teurer gekauft hat) über dem
warum so viele Funktionen auf die > historische Art deklariert sind? Also z.B.: > bool isRoot() Ds ist entweder K&R-Code aus der vorderen Altsteinzeit (dann ist das von Dir geschriebene möglich) oder aber C++, und dann geht das nicht, denn in C++ ist x() äquivalent zu x(void).
Harald K. schrieb im Beitrag #7954715: > Ds ist entweder K&R-Code aus der vorderen Altsteinzeit (dann ist das von > Dir geschriebene möglich) oder aber C++, und dann geht das nicht, denn > in C++ ist x() äquivalent zu x(void). Meines Wissens
TRANSISTORS OFF DSS Leakage Current Fig. 11 s = 52 V 1 mA ON RDS On Resistance Fig. 4,5 0.3 0.55 V DS(ON) Drain Source Voltage Fig. 9 DS = 1A L6201 0.3 V DS = 1.2A L6202 0.36 V DS = 3A L6201PS/0 0.9 V 3 V sens Sensing Voltage – 1 4 V SOURCEDRAIN DIODE Vsd Forward ON Voltage Fig. 6a and b SD = 1A L6201
Bei Diotec scheint es genauso zu sein: https://asset.conrad.com/media10/add/160267/c1/-/gl/000162272DS00/datenblatt-162272-diotec-si-gleichrichterdiode-1n4007-do-204al-1000-v-1-a.pdf
inzwischen NRND. Die Nachfolger 1N400xG haben allesamt 8pF: - https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds29002.pdf
Wenn ich Wikipedia (https://de.wikipedia.org/wiki/EIA-485) und TI-Datenblatt (https://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn65hvd3082e.pdf?ts=1743498914859&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.mouser.at%252F) richtig verstehe, ist A (auch + genannt, "nichtinvertierend") im Ruhezustand High B (auch - genannt, "invertierend
Lothar M. schrieb im Beitrag #7855646: > Dort wird im Bild 13 geschrieben, dass der GND nicht zwingend nötig sei, > der Schirm aber auf beiden Seiten aufgelegt sein müsse. Und dieser > verbundene Schirm stellt über den Widerstand rechts unten im Bild 6 den >
ich nicht. Mit dem 10-Ohm Widerstand davor muss die aber in der Nähe der Betriebsspannung an Pin 12/13 liegen, sonst raucht das ab. Die wird zum Schutz vor Spannungsspitzen sein. Die ICs sind CMOS, könnten also mit 12V oder so laufen, evtl. aber auch nur mit 5V, je nachdem, was der Rest der Steuerung
nicht. Mit dem 10-Ohm Widerstand davor muss die > aber in der Nähe der Betriebsspannung an Pin 12/13 liegen, sonst raucht > das ab. Die wird zum Schutz vor Spannungsspitzen sein. Die ICs sind > CMOS, könnten also mit 12V oder so laufen, evtl. aber auch nur mit 5V, > je nachdem, was der Rest der
Bei zwei möglichen Laufwerken A: und B: und zwei select-Leitungen /DS0 und /DS1, dachte ich mir, für Laufwerk A: die Leitung /DS0 zu nehmen. Wie sich zeigt, ist das eine völlige abwegige Annahme: /DS1 für A: und die Sache läuft ;-) Vielen Dank für Eure Hinweise!
schrieb im Beitrag #7853572: > Bei zwei möglichen Laufwerken A: und B: und zwei select-Leitungen /DS0 > und /DS1 Bei PCs wurden schon immer alle Diskettenlaufwerke gleich gejumpert und über ein in sich verdrehtes Kabel entschieden, welches Laufwerk welches ist. https://i.sstatic.net/VYByP.png
Bosch Sensortec GmbH 2023 | All rights reserved, also regarding any dispoDocument number: BST-BMP581-DS004-11ting, distribution, as well as in the event of applications for industrial property rights Bosch Sensortec | BST-BMP581-DS004-11 13 | 75 NVM user write N NVM_WRITE Number of write 10,000 writes
DATA_13 12. Calculate difference of positive and negative acceleration values and compare against threshold values Document number: BST-BMA456-DS000-07 Modifications reserved | Data subject to change without
adid=&gad_source=1&gclid=Cj0KCQjwv_m-BhC4ARIsAIqNeBt9AS_CDn0Z1EKYzXUe2c9IN9GdkouImLCL356yRfX75PBvJUE13ngaAgLEEALw_wcB&gclsrc=aw.ds#fullscreen=show entpuppt sich auf den zweiten Blick gar nicht als USV, sonder als ein DC-Netzteil, um ein Backup über eine zweite Stromversorgung zu realisieren. (Also
habe auch die PCB, um die Bauteile zu lokalisieren: https://www.alisaler.com/macbook-pro-retina-13-a1502-j44-820-3536-schematic/#google_vignette https://drive.google.com/file/d/1SoA7EGKreURcm9ovOXUq09AuUzd9uPSp/view **Fragen** 1.) Denkt ihr, dass es mir als Elektrotechniker möglich ist,
Cj0KCQjwy46_BhDOARIsAIvmcwMlfv6kHghnjSTbU1Bi67j_L0ykNxt87Uv4eDo-y2G6KlRl-1_BoAcaAuhIEALw_wcB&gclsrc=aw.ds Dockingstation stecken und die Daten übertragen, oder? Vielen Dank euch für eurer Unterstützung :)
Re schrieb im Beitrag #7849632: > https://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn74lvc00a.pdf Das widerspricht aber dem anderen im Ausgangspost verlinkten Datasheet. Re schrieb im Beitrag #7849632: > Langfassung: Die "typical values" gehören nicht zu verlässlich,
Niklas G. schrieb im Beitrag #7849640: > Re schrieb: >> https://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn74lvc00a.pdf > > Das widerspricht aber dem anderen im Ausgangspost verlinkten Datasheet. Huch? Inwiefern und an welchen Stellen? In Ausgangspost ... Niklas G. schrieb im Beitrag #7849520
6.9 ... 8.5 D 5.56 ... 6.87 D 6.9 ... 8.4 D 8.6 ... 10.5 E 6.88 ... 8.50 E 8.5 ... 10.4 E 10.6 ... 13.0 F 8.51 ... 10.51 F 10.5 ... 12.9 F 13.1 ... 16.1 G 10.52 ... 13.00 G 13.0 ... 16.0 G 16.2 ... 20.0 H 13.01 ... 16.07 H 16.1 ... 18.4 H 20.1 ... 23.0 I 16.08 ... 19.87 J 19.88 ... 24.56 K 24.57 ...
dib=eyJ2IjoiMSJ9.5gbIc8fPGe-ig_UZmRSD1A.6sGav2h0eu038LcTeFH98hzHhxKnOJ94vxpwEUyWO8k&dib_tag=se&keywords=B0DRCXTKB3&qid=1739807372&sprefix=b0drcxtkb3%2Caps%2C477&sr=8-1&th=1&linkCode=sl1&tag=shakeela65-21&linkId=6caee1a7cf14f17032b61a2820bbb3f2&language=de_DE&ref_=nav_signin Ich denke 250 € + Versand
Foren. Entweder beteiligt oder unterbelichtet. Bei dem verlinkten VK auf Amazon fällt auf, dass 13 von 13 abgegeben Bewertungen durchgehend 100% = 5 Sterne aufweisen, aussergewöhnliche und viele Lobpreisungen, sowie Bebilderungen enthalten. Und absolut niemand hat etwas an dem englichen Tastaturlayout
Pin Input-Source Clamp IN=1mA 6 6.8 8 V VINCL Voltage IN=-1mA -1.0 -0.3 V Zero Input Voltage DrainDS=13V; VIN0V; Tj25°C 30 A DSS Current IN =0V) VDS=25V; VIN0V 75 A ON Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit R Static Drain-source On VIN=5V; D =0.5A;jT = 25°C 250 m DS(on) Resistance VIN5V;
= 0 V Off-stateCCV= 13 V; ) S Supply current VIN= VOUT= 0 V; 12 t (5 µA Tj= 25 °C c On-state;CC = 13 V;IN= 5 V; d u5 7 mA OUT = 0 A r o L(off1) Off-state output curreIN= VOUT= 0 V P 0 50 µA L(off2) Off-state output curreIN
Referenz > vertauscht ist? Es gibt von Ref nach C eine interne Diode. http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl431.pdf (TI TL431) http://www.semiconductors.com.pl/web/pliki/ka431.pdf (Fairchild KA431) http://www.farnell.com/datasheets/1859398.pdf (National LM431) http://www.htckorea.co.kr/Datasheet
4uA. AlfaMos und Axelite sagt 1.5-3.5 uA Fairchild sagt 1.5-4uA, HTC 1.8-4.0 uA Keiner sagt 13uA aber ChatGPT sagt 1-10uA, woher auch immer er das hat.
unterschiedlich dargestellt ist: Breadboard-Plan: zuerst C14/C15 (10 µF) in Serie, danach C10–C13 (56 nF) nach Masse KiCad-Plan: zuerst C10–C13 (56 nF) nach Masse, danach C14/C15 (10 µF) in Serie Welche Reihenfolge ist die korrekte bzw. beabsichtigte? Danke Denny
unterschiedlich > dargestellt ist: > > Breadboard-Plan: zuerst C14/C15 (10 µF) in Serie, danach C10–C13 (56 nF) > nach Masse > > KiCad-Plan: zuerst C10–C13 (56 nF) nach Masse, danach C14/C15 (10 µF) in > Serie > > Welche Reihenfolge ist die korrekte bzw. beabsichtigte? > > Danke > Denny
und will damit ein paar Sensoren einlesen und per MQTT weitermelden. Anfangen wollte ich mit zwei DS18B20. Schön nach Anleitung (https://tasmota.github.io/docs/DS18x20/) vorgegangen. Die Sensoren hängen an GPIO13, also unter "Einstellungen" => "Gerät" für "IO GPIO13" in der Auswahlliste "DS18x20" ausgewählt
ich bekomme da gleich einen Fehler: [code]19:58:43.837 RSL: RESULT = {"Command":"Unknown","Input":"DS18ALIAS"}[/code] Macht aber auch Sinn, Absatz vor deinem zitierten Satz: [code]To assign a static alias to a certain ID, you can use DS18Alias command. This must be enabled by setting #define DS18x20
verfehlt Du kapierst es einfach nicht... Aber bitte: Such den Mosfet auf dem BMS. Überbrücke DS. Aber heul nicht rum wenn es Sach oder Personenschäden gibt.
Samsung-Akku durchaus okay. https://megacellmonitor.com/pdf/vendor_specs/SPEC_SAMSUNG_INR18650-13P.pdf Aber wenn Deine Chimäre aus China-Flex und Makita-Akku funzt und Du zufrieden bist, ist ja alles gut.
aemDocuments/documents/TCG/ProductDocuments/DataSheets/DSC12x1-High-Performance-CMOS-MEMS-Oscillator-DS20006010.pdf Wieweit das kompatibel ist weiß nur die völlig perplexe KI
Zum Zeichnen verwende erstmal einen attiny13 oder Padauk mit 8 Beinen, wenn Du im Programn reverseengineert den Schaltplan malst.
6.9 ... 8.5 D 5.56 ... 6.87 D 6.9 ... 8.4 D 8.6 ... 10.5 E 6.88 ... 8.50 E 8.5 ... 10.4 E 10.6 ... 13.0 F 8.51 ... 10.51 F 10.5 ... 12.9 F 13.1 ... 16.1 G 10.52 ... 13.00 G 13.0 ... 16.0 G 16.2 ... 20.0 H 13.01 ... 16.07 H 16.1 ... 18.4 H 20.1 ... 23.0 I 16.08 ... 19.87 J 19.88 ... 24.56 K 24.57 ...