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Handgezeichneter Schaltplan mit Markierungen
G +8V D N S ? +32V GND +32V
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Schaltplan eines LCD-Voltmeters mit ICL7106
Schaltplan LCD ICL7106 -1 8 8.8 R2 1M 15 20 19 22 32 17 31 18 15 10 24 11 15 26 23 27 20 14 13 25 12 22 7 2 18 7 3 19 5 21 26 +9V C1 100uF GND C2 10uF +9V R1 100K R7 5K R5 1M R6 100K Sensor KTY10 C3 100pF C4 220pF C5 100pF C6 100pF C7 100pF DS170B Nullpunkt
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Oszilloskop-Messung eines Rechtecksignals
RIGOL STOP H 20.0us 1.00GSa/s 240k pts D 0.0000000ps T 1 8.60V Period Freq Rise Time Fall Time +Width -Width 1 23.9849kHz IO Setting Sound Language English Pass/Fail Record System Freq=24.0kHz Period=41.60us +Width=22.40us -Width=19.20us Max=17.4V 1 = 5.00V 2 = 1.00V 3 = 1.00V 4 = 1.00V
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Nahaufnahme einer Leiterplatte mit markierten Lötstellen
R159 C151 D151 R154 R153 D152 R151 R155 C153 J39 R152 J35 IC601 J37 R629 IC52 R159 R189 R154 R156 R158 C158 R630 J38 D151 J40 C613 R659 R658 R631 R240 EL32 EL63
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
GPIO R3 1 U1A LTV-844 16 +12V R2 2 D1 LED Q1 IRLZ44N 1 15 3 R1 GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
GPIO R3 1 U1A LTV-844 16 +12V R2 2 D1 LED 15 1 Q1 IRLZ44N 3 R1 GND
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Safe Operating Area Diagramm eines MOSFETs
ID max (pulse) * ID max (continuous) t = 10 µs * 100 µs * 1 ms * 10 ms * This area is limited by RDS(ON) DC operation (Tc = 25 °C) * Single pulse Tc = 25 °C Curves must be derated linearly with increase in temperature. Drain current ID (A) Drain-source voltage VDS (V) Fig. 8.16 Safe Operating Area (Guaranteed Maximum)
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Schaltplan mit zwei MOSFETs zur Spannungsregelung
INPUT Q1 IRLML5203 3 2 Q2 IRLML5203 3 2 OUTPUT VCC_5V_USB VCC_5V_OR_12V_PLUS R R1 R2 GND OBD_12V GND
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Schaltplan einer Stromversorgung mit zwei Quellen
2 Sources / Polarisation safety INPUT OBD_12V D3 SS14 Q2 IRLML5203 3 2 OUTPUT VCC_5V_OR_12V_PLUS 1 47k R2 INPUT VCC_5V_USB GND
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Schaltplan mit Arduino Uno und TC4426A Treiber
ARDUINO UNO r3, AREF, GND, D13, D12, PWM D11, PWM D10, PWM D9, D8, D7, PWM D6, PWM D5, D4, D2, TX D1, RX D0, A0, A1, A2, A3, A4, A5, Vin, GND, 5V, 3.3V, RESET, IOREF, TC4426A, IN A, GND, IN B, OUT A, VDD, OUT B, R_L, Vsupply, Beispielschaltung TC4426A
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Schaltplan mit Arduino Uno und TC4426A Treiber
ARDUINO UNO r3, IOREF, RESET, 3.3V, 5V, GND, GND, Vin, A0, A1, A2, A3, A4, A5, AREF, D13, D12, PWM D11, D10, PWM D9, D8, D7, PWM D6, D5, D4, PWM D3, D2, TX D1, RX D0, TC4426A, IN A, OUT A, GND, VDD, IN B, OUT B, Vsupply, R_L, Beispielschaltung TC4426A
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Leistungstransistor mit Typenbezeichnung
69T95 09N90E P
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Elektronischer Schaltplan mit verschiedenen Bauteilen
R21 75K, C23 0.1UF/50V, U4B, LM324, R22 10K, R51 3.9K, R50 3.9K, R46 510, R48 12K, C46 0.1UF/50V, R54 10K, ZD4 10K, U4A LM324, R57 10K, PC5 P621, R58, C47 0.1UF, Q12, R60 6.8, R61 1K, Q11, R53 47K, IN45, R52, R55 10K, C52 0.1UF, U8 4013, R67 390K, R47, C43 0.1, R43, R44 1.5K, Q5, R26, ZD2, C25 470 A550, R29 100/1W, C26, R28 10K, Q6 A550, R30 470, R33 6.8, R31 470, C27 220F, R34 1UF/50V, C29, R35 470F, TR4, DI04, C32, R38 0.05, R39 2W/2, Q10, ST55NF06, M2, C34 0.1, C44 0.1UF, C37, R40 47K, U3A, R41 10K, R42 3.9K, PC2 P621, C51 0.01UF, C50 0.01UF, C39 0.1UF, C38 0.1UF, R36 15/1W, C31, C28 470F, C27
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Zwei elektronische Bauteile auf weißem Untergrund
D8P05 H649 14N05
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Nahaufnahme einer Leiterplatte mit Leistungshalbleitern
075N03L HA0052 Q1 LED 075N03L HAF141 Q2 R2 R1 R3 104 101
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Eigenschaften-Dialogfenster eines MOSFETs
MOSFET - X OK Cancel Pick New MOSFET MOSFET Properties MOSFET: irf4905 Manufacturer: Polarity: pmos Vds[V]: Rds(on)[Ω]: Qgate[C]:
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Leiterplatte eines Schaltnetzteils mit markierten Bauteilen
RoHS, 380VA 24V 14V, 380VA 24V 14V, 380VA 24V 14V, ATTENTION: LIVE PARTS, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C HT, 105°C HT 105°C HT 105°C
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Schaltplan einer Motorsteuerung mit MOSFET und PWM
1u 4u7 1000u ECA-1HM102 +36V D3 V35PWM10HM3/I MOTOR 1 2 J5 TP12 Drain D4 BZX84C51LT1G T3 BC817-40,215 +12V TP15 R16 390R R17 TP17 T4 IRF1405PBF T6 IRLML0040TRPBF TP19 R15 1k TP20 T8 IRLML0040TRPBF T7 BC807-40,215 R19 10R R25 10k TP25 GND uC PWM
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Zwei Leistungstransistoren mit Kühlkörpern und Kabeln
Mosfet_mit_Kuehlkoerper.jpg
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Nahaufnahme einer Leiterplatte mit Kühlkörper und Bauteilen
J38 ZD151 Q152 EL04 R160 C168 Ver 1.3
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Nahaufnahme einer Computer-Hauptplatine mit Schraubendreher
VIA VT82C684, KT
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Schaltplanausschnitt mit MOSFET und Bipolartransistor
Q5 IRFIZ34N R20 22-1/4W INJ-2 Q15 2N3904BU Jmp I_INJ2 R38 0.050-TO220
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Schaltplan einer Transistorschaltung mit MOSFET
R2 10k Q1 NPN R3 1k V1 PULSE(0 3.3 0.01 0.01 2 0 1) Rser=10 FDS4559_P M1 Vout1 R1 100k V2 12V .tran 5
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Schaltplan verschiedener Spannungsversorgungen
5 Volt Supply (100 mA) OUTPUT +5V U1 L78L05_5OT89 INPUT VCC_PLUS_FUSED IN OUT GND C8 C_Polarized GND Polarisation safety Q1 IRLML5203 Q2 IRLML5203 INPUT VCC_5V_DR_12V_PLUS OUTPUT GND R1 R2 OUTPUT 3.3 Volt Supply +3.3V U2 LM2596S-3.3 INPUT VCC_PLUS_FUSED VIN FB OUT C6 C_Polarized C11 SRR1260-470M C9 C_Polarized D2 SS34 R3 R4 R5 GND GND GND Enhanced Buffer for A760B Chip - need >1000uF OUTPUT +3V8 C_Polarized C1 C_Polarized C2 C_Polarized C3 C_Polarized C4 C_Polarized C5 GND 3.8...3.9 Volt Supply +3V8 U3 LM2596S-3.3 INPUT VCC_PLUS_FUSED VIN FB OUT C12 SRR1260-470M C10 C_Polarized D1 SS34 R6 R7 GND
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Schaltplan mit Arduino Uno und TC4226A Treiber
ARDUINO UNO r3, AREF, GND, D13, D12, PWM D11, PWM D10, PWM D9, D8, D7, PWM D6, PWM D5, D4, PWM D3, D2, TX D1, RX D0, A0, A1, A2, A3, A4, A5, Vin, GND, 5V, 3.3V, IOREF, RESET, TC4226A, IN A, GND, IN B, OUT A, VDD, OUT B, R_L, Vsupply
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Nahaufnahme einer bestückten Leiterplatte
EL45A, EL43, J1, J159, R259, D253, R275, HS202, EL55, R303, C276, C258, J151, J152, J13, D254, R267, R257, R258, R305, R246, C261, J179, Q258, ZD86, UP5, C252, C253, R250, R254, Q253, ZD252, R251, R256, R269, R256, R262, R283, D255, D256, R264, Q261, EL180, R261, R282, C283, C282, R277, R288, C285, R271, R276, R274, R272, R278, Q261, C250, C252, R273, C288, R285, R287, R286, R282, R280, R284, R283, R290, EL103, EL105
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
ESP32_GND ESP32_GPIO_Out (0 oder 3.3V) R? 470 R1 10K R2 10k T1-NPN BC547B 3 2 1 2 3 MOSFET? IRF530N 100yF C1 D1 2 1 100R R3_Last SW1 +15V GND
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Beschriftete MOSFET PWM Modul Leiterplatte
Eingangsleistung DC5-36V DC+ DC- Doppelt MOS Leistung MOS Transistorleitung LED GND Trigger-/Pulsweitenmodulation Erdung Signalspannung: 3.3 bis 20V TRIG R1 R2 R3/PWM AUS+ AUS- 04184 6A80W 04184 6A80W
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Transferkennlinie eines MOSFETs
10^2 25 °C 175 °C ID, Drain Current (A) 10^1 20 µs Pulse Width VDS = 50 V 4 5 6 7 8 9 10 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
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Schaltplan mit BSS138 MOSFET
V1 5 R4 0.1 D U1 BSS138 G R10 100 Eingang R1 0.1 C1 0p R2 100k Ausgang PWL file=custompulse.txt
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Schaltplan mit MOSFETs und Leistungsberechnungen
P(avg): 6.00 W TK2 R1 50Ω C1 1uF Q1 BSS138P TK3 P(avg): 125 mW V2 50Vpk 10MHz 0° V1 8V Q2 BSS138P C2 1uF R2 50Ω TK1 P(avg): 6.00 W
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Nahaufnahme einer Leiterplatte mit integriertem Schaltkreis
MOSFET_defekt.png
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Unbekanntes Bauteil oder Konstruktion auf Holzboden
Mosfet_mit_Kuehlkoerper_seitlich.jpg
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Erklärung P-Kanal MOSFET-Schalter mit Schaltplan
P-Kanal MOSFET-Schalter Bisher haben wir den N-Kanal-MOSFET als Schalter betrachtet, bei dem der MOSFET zwischen Last und Erde platziert ist. Damit es auch möglich, den Gate-Antrieb oder das Schaltsignal des MOSFETs
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Rechnung für Elektronikbauteile
Lfd. Nr. 1 Artikel IPA65R190E6XKSA1 Transistor:N-MOSFET;unipolar;650V;20,2A;34W;TO220FP ROHS Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Herstellersymbol: IPA65R190E6XKSA1 Bestell. Menge 10 ST Anzahl der Bestät. 10 ST %MwSt. 19 Preis Netto 2,11 EUR /1 ST Nettowert
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Schaltplan einer CMOS-Inverter-Schaltung
VCC Drain current of M1 ? M1 CMOSN Vout=? Vout M2 CMOSN Vin
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung
R2 10k M2 FDS4559_P M1 V2 12V R3 100 V1 PULSE(0 15 1 0.01 0.01 2 0 1) BSB012N03LX3 Vout1 R1 100k R7 100k .tran 5
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Schaltplan und Kennlinien eines Inverters mit Load-Transistor
Vdd load d s g Vout Vin g d driver s Fig. 4.3 An inverter with a saturated enhancement load transistor Ids Idsd Vgsd=VH V_L V_H Ids Vds
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Schaltplan einer Transistor- und MOSFET-Schaltung
ESP32_GND, ESP32_GPIO_Out, 0 oder 3.3V, R?, 470, R1, 10K, R2, 10k, T1-NPN, BC547B, 1, 2, 3, MOSFET?, IRF530N, 1, 2, 3, C1, 100uF, D1, 1, 2, 100R, R3_Last, SW1, +15V, GND
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Schaltplan einer Transistor- und MOSFET-Schaltung
ESP32_GND, ESP32_GPIO_Out, 0 oder 3.3V, R?, 470, R1, 10K, R2, 10k, T1-NPN, BC547B, 1, 2, 3, MOSFET?, IRF530N, 1, 2, 3, C1, 100uF, D1, 1, 2, 100R, R3_Last, SW1, +15V, GND
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Nahaufnahme von ICs auf einer Leiterplatte
PC16 SAFA W07K PC16 SAFA W07K SSSG
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Kennlinie eines MOSFETs
100 TOP 7.00V 5.00V 4.50V 3.50V 3.00V 2.70V 2.50V BOTTOM 2.25V 2.25V 10 ID, Drain-to-Source Current (A) 20µs PULSE WIDTH TJ = 25 °C 1 0.1 VDs, Drain-to-Source Voltage (V) 10 100 Fig 1. Typical Output Characteristics
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Transferkennlinie eines MOSFETs
Fig 2. Transfer Characteristics ID, Drain Current [A] 10^2 10^1 10^0 10^-1 175 °C 25 °C - 55 °C @ Notes : 1. VGS = 0 V 2. VDS = 30 V 3. 250 µs Pulse Test VGS, Gate-Source Voltage [V]
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Kennlinie eines MOSFETs
1000 VGS TOP 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.5V ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 4.5V 1 20µs PULSE WIDTH TJ = 25 °C 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
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Kennlinien eines MOSFETs
1000 VGS 10V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V 2.5V BOTTOM 100 ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 1 0.1 1 TOP 2.5V 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C Fig. 1 Typical Output Characteristics 1000 VGS 15V 12V 10V 8.0V 6.0V 4.0V 3.0V 2.5V BOTTOM 100 ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 2.5V 1 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 20µs PULSE WIDTH TJ = 175°C Fig. 2 Typical Output Characteristics 1000 ID, Drain-to-Source Current (A) 100 10 1 TJ = 25°C TJ = 175°C 1 2.0 3.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 Fig. 3 Typical Transfer Characteristics 3.0 ID = 77A 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
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Transferkennlinie eines MOSFETs
100 ID, Drain-to-Source Current (A) 10 TJ = 150°C TJ = 25°C VDS = 25V 30µs PULSE WIDTH 1.0 4 5 6 7 8 9 10 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Fig 3. Typical Transfer Characteristics
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Kennlinie eines MOSFETs
TM60N04D Output Characteristics 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 Id - Drain Current (A) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 VDS - Drain - Source Voltage (V) VGS=4.5,5,6,7,8,9,10V 4V 3.5V 3V
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MOSFETs auf Kühlkörper
IRLZ44N IR P7230 89P0
