Hallo, eigentlich eine triviale Frage, denke ich: Wenn ich eine LED (angenommene 2,2V) über einen Transistor schalte gegen 5V (ich hab hier grade den BS170 rumliegen), komme ich dann ohne Vorwiderstand der LED aus? Ich meine, fällt dann am Transistor die Spannung von 2,8V ab, weil der Strom durch die LED feststeht? Etwas verwirrte Grüße Mr.Green
Gast
#1041484
>Ich meine, fällt dann am Transistor die Spannung von 2,8V ab, weil der >Strom durch die LED feststeht? Wer legt denn den Strom durch die LED fest? Ein Vorwiderstand !
Aber ein Transistor ist doch eine Stromquelle?
Oder anders herum: Kann die Matrix im Anhang also gar nicht funktionieren?
Angehängte Dateien:
-
led_matrix.png
(14 KB)
In der Schaltung sind aber keine Transistoren verbaut, sonde nur MOSEFT
Ich hab doch nix von bipolar geasgt?
Gast
#1041498
>Aber ein Transistor ist doch eine Stromquelle? Ja, der FET ist eine spannungsgesteuerte Stromquelle. Leider musst du dann die Spannung am Gate so genau einstellen, dass dein gewünschter Strom durch LED auch fließt. Und die ist auch noch temperaturabhängig. Und wenn du vom selben Typ einen zweiten kaufst, geht die Einstellerei wieder von vorne los. Man nimmt in dieser Betriebsweise den Transistor als Schalter: keine Spannung am Gate -> aus, Spannung am Gate -> ein. Was hast du gegen den Vorwiderstand?
Gast
#1041499
1. werden die oberen MOSFETs nicht vermutlich nicht richtig durchgesteuert, da sie weniger als 3 V sehen am Gate 2. falls Sie doch durchgesteuert werden, verbrutzelst du dir deine LED's. Du hast ja nichts Strombegrenzendes drin @Julian: was sind denn Mosfets deiner Meinugn nach?
Die wird schon allein deshalb vermutlich nicht wirklich funktionieren, weil Du versuchst, mit n-Kanal-FETs High-Side zu schalten, was selten gut geht, weil das Source-Potenzial nicht definiert ist... Abgesehen davon ist ein FET zunächst keine Stromquelle. Bei einem Bipolartransistor könnte man je nach Verschaltung von einer stromgesteuerten Stromquelle bzw. -Senke reden, ein MOSFET ist aber zunächst mal im weitesten Sinne ein spannungsgesteuerter Widerstand. Um den als "Vorwiderstand" (also bei gegebener Spannung als Stromquelle) zu "missbrauchen", müsstest Du ihn entsprechend über die Gate-Source-Spannung ansteuern.
@hilde: Dann brauche ich doch 64 Vorwiderstände?? @hans: Wieso will der Mosfet denn 3 V am Gate haben?
Gast
#1041506
Du solltest also jeder Spalte (oder Zeile - je nachdem wie du sie multiplext) einen Widerstand spendieren. Und für die Oberen Mosfets würd ich dir P-kanal typen empfehlen. Arbeiten im prinzip wie PNP Transistoren. Also bei low sind sie durchgeschaltet. So, mal etwas konstruktives ;-)
Gast
#1041507
>@hilde: Dann brauche ich doch 64 Vorwiderstände?? Siehe meinem anderen Beitrag. Es sidn ja nicht alle zugleich an. >@hans: Wieso will der Mosfet denn 3 V am Gate haben? Er will mehr, aber er bekommt ja nicht mehr. Die Spannung von Gate nach Masse ist 5V. Er will aber 5V von Gate nach Source. Da in diesem Fall noch die LED mit bspw. 2,2V dazwischen hängt, bekommt er entsprechend weniger.
Gast
#1041508
>@hilde: Dann brauche ich doch 64 Vorwiderstände??
Ich bitte um Vollständigkeit: HildeK !
Hängt davon ab, wie dein Multiplexbetrieb aussieht. Wenn ein Zustand
möglich ist, bei dem alle 16 Transistoren gleichzeitig eingeschaltet
sein können, dann ja. Sonst reichen auch acht.
Je nach Art des Multiplex kannst Du davon ausgehen, dass in einer Zeile (beim Spaltenmultiplex) oder einer Spalte (beim Zeilenmultiplex) nie mehr als eine LED leuchtet. Deshalb genügt es, entweder jeder Zeile oder jeder Spalte einen Vorwiderstand zu spendieren.
Gast
#1041592
>Und für die Oberen Mosfets würd ich dir P-kanal typen empfehlen. >Arbeiten im prinzip wie PNP Transistoren. Also bei low sind sie >durchgeschaltet. Kommt drauf an ob ich einen Verarmungstyp oder einen Anreicherungstyp hab. Die Kanalart alleine sagt nix drüber aus wie sich der Transitor bzgl. seiner Leitfähigkeit von Gate nach Source verhält.
Michael wrote: > Kommt drauf an ob ich einen Verarmungstyp oder einen Anreicherungstyp > hab. Die Kanalart alleine sagt nix drüber aus wie sich der Transitor > bzgl. seiner Leitfähigkeit von Gate nach Source verhält. Sie sagt aber aus, ob Source auf höherem Potenzial liegt als Gate, was in diesem Fall des Pudels Kern ist. Und dass man bei solchen Anwendungen generell Anreicherungstypen verwendet, sollte selbstverständlich sein (sag doch bitte mal, wenn Du schon so schlau bist, wo Du p-Kanal-Verarmungstypen herbekommen willst...)
Gast
#1041596
Soso, selbstverständlich...du hast den Eingangspost gelesen? Und dann bist du noch der Meinung hier mit Selbstverständlichkeit rechnen zu können? Das ist sehr gewagt. P-Kanal Verarmungstypen sind als MOSFETs wohl kaum zu bekommen, klar, aber einen als JFET zu bekommen ist keine Kunst. Hinzu kommt noch, dass man aus der Aussage P-Kanal-MOSFET verhalten sich wie PNP-Transistoren zum Schluss kommen könnte, dass N-Kanal-MOSFETs sich wie NPN-Transistoren verhalten würden und bei N-Kanal-MOSFETs ist es nun ungleich leichter beide Arten (Anreicherung und Verarmung) zu bekommen.
Axch ja, das Dauerbrennerthema LED-Matrix. Wird wohl selbst in 100 Jahren noch hier rummschwirren ;-)
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