Kann man mittels externen Fed die Leistung (Ausgangsstrom) von dem
LM2576 erhöhen? Sehe mir gerade das Datenblatt an und überlege
an 2 einen R zu 3 zu legen und dann an 2 den Gate des Feds
anzuschließen.
(mit Z-Diode und einen R zum Schutz des Gates)
Das würde dann die negative Spannung "regeln"(schalten).
Schutzschaltung vom LM2576 geht dann nicht mehr, das ist klar.
Hat schon mal jemand so was gemacht?
> Fed
Ein Feld-Effekt-Drainsistor?
Um den FET (vermutlich N-Kanal) sauber durchzusteuern brauchst du eine
Gatespannung, die um etliche Volt über der Versorgungsspannung liegt.
Denn im eingeschalteten Zustand sollte die Source-Spannung ja gleich Vcc
sein (der FET komplett duchschalten). So eine Gatespannungserzeugung
wird i.A. über Bootstrap-Kondensatoren erledigt.
Nachdem der LM2576 sowas nicht bietet, wirst du sehr schnell auf weitere
Probleme stoßen.
Ein LM2576 total oversized nur um einen FET anzusteuern. Ein LM2574
reicht auch.
Prinzipiell sollte es aber funktionieren: Von Pin 2 nach 3 den
Widerstand, so wie du es vorhast aber das Gate nicht direkt, sondern
über einen kleinen Kondensator (z.B. 100nF) anschließen. Zusätzlich eine
Diode von Source zum Gate und parallel dazu ein hochohmiger Widerstand
mit z.B. 100k. Das sollte dann zu einem Gatesignal von etwa -0,5V bzw.
+Vin-2V führen.
Allerdings darf dann die Eingangsspannung nie über 20V liegen, ansonsten
muss man zusätzlich noch die Gate Spannung irgendwie begrenzen.
Dies könnte man z.B. dadurch machen, dass man den Widerstand von Pin2
nicht an Pin3 (also GND) legt, sondern an eine Spannung die irgendwie
mittel Z-Diode usw. erzeugt wird, und maximal 20V negativer ist als
+Vin. Das würde denn die Amplitude des Gatesignals auf 20Vss begrenzen.
@ Benedikt K.
"Ein LM2576 total oversized " ja klar, aber auf Lager und mit
90 Cent auch bezahlbar.
Das mit den C ist mir nicht ganz klar?
Was ich auch etwas komisch finde ist das der LM2576 auch
als Negativregler aufgebaut werden kann (Datenblatt) und dann
haut die Prinzipschaltung aber so wie Abgebildet ist nicht hin
und es muss noch ein Transistor nach (3) sein.
May wrote:
> Das mit den C ist mir nicht ganz klar?
Mir gerade auch nicht, als ich das gezeichnet habe. Das Problem ist,
dass die Gatespannung eine höhere Amplitude haben muss als die
Eingangsspannung:
Im eingeschalteten Zustand benötigt das Gate +Vin + 10V, im abgeschalten
0V.
Mit einem P-Kanal Mosfet sollte das ganze aber funktionieren (wenn ich
nichts übersehen habe).
> Was ich auch etwas komisch finde ist das der LM2576 auch> als Negativregler aufgebaut werden kann (Datenblatt) und dann> haut die Prinzipschaltung aber so wie Abgebildet ist nicht hin> und es muss noch ein Transistor nach (3) sein.
Im Prinzip ist die invertierende Schaltung nichts anderes als ein
Stepdown, bei dem die Ausgangsspannung nach unten verschoben ist:
Anstelle Minus Eingang mit Minus Ausgang zu verbinden, legt man Plus vom
Ausgang an Minus vom Eingang. Der Rest ist identisch.
> Mit einem P-Kanal Mosfet sollte das ganze aber funktionieren...
Jetzt wirds aber langsam ganz hübsch aufwendig ;-)
Da kommt so ein ordinärer SMPS-Controller mit externem N-FET kostenmäßig
in direkte Reichweite.
> und zwar die Gatekapazität!
Der Gate-Pfad sollte mit 470 Ohm niederohmig genug sein.
Soooo schnell muß der ja auch nicht schalten
(schnell geschaltet--> viel Störstrahlung).
Dennis wrote:
> Du hast offenbar was übersehen - und zwar die Gatekapazität!
Übersehen nicht. Die 470 Ohm sind grenzwertig, das ist mit bewusst.
Man kann das ganze verbessern indem man entweder den Widerstand kleiner
macht, allerdings muss dann auch der Emitterwiderstand verkleinert
werden, um den Strom zu erhöhen, was mehr Strom sinnlos verheizt, oder
man muss eine Treiberstufe zwischen Widerstand und Gate schalten. Dann
wird die Schaltung aber noch aufwendiger.
Es kommt ein bisschen auf die Gatekapazität an. In einem kurzen Test mit
50nC werden auf 50% Tastverhältnis etwa 75%, mit einer recht steilen
steigenden Flanke und einer völlig verschliffenen fallenden Flanke.
Ja, hmm, Ok. Aber wenn man schon einen externen FET nutzen will, kann
man den Wirkungsgrad nicht so zerstören. Das widerspricht wohl irgendwie
der ursprünglichen Intention.
Gruß
@ Benedikt K.
"Nur mal so aus Interesse: Fällt zufällig jemand eine Lösung ein, wie
man
das ganze ohne viel Aufwand mit dem N-Kanal FET hinbekommen könnte?
"
So eine Idee:
Deine Schaltung, die Stromquelle mit einen PNP Transistor und den Fed
mit einer Hilfs-Spannung (Ub + 10..12V) über den R1 schließen (also
zwischen Gate
und Uh stand Ub).
> den Fed
Nein, er tuts schon wieder: das ist ein FET ;-)
Hattest du nicht Besserung gelobt im
Beitrag "Re: LM2576 mit externen Fed?"> mit einer Hilfs-Spannung...
und dafür bauen wir uns mit ein paar Bauteilen ein kleines Hilfsnetzteil
:-/
Die angehängte Schaltung hat bei 12 Ampere Last theoretisch etwa 300 mW
Leitungsverluste und etwa genau so viel Schaltverluste im
Leistungstransistor. Auch hier kann man den R1 nicht beliebig groß
wählen...
V1 und D1 sollen den LM2576 darstellen.
Man könnte die Treiberstufe auch mit 2 Transistoren aufbauen.
Funktioniert aber nicht ganz so gut.
Ich weiß, Perfekt ist die Schaltung auch nicht. Eigentlich würde man
einfach einen größeren Schaltreger-IC verwenden.
Gruß
So langsam werden die Schaltungen aber ganz hübsch aufwendig :-/
Ich sag da nur: LM5116 & Co
Ich schraub auch nicht an den Prosche 'ne Anhängekupplung,
obwohl der mehr kW hat als der Fendt.
Lothar Miller wrote:
> Ich schraub auch nicht an den Prosche 'ne Anhängekupplung,> obwohl der mehr kW hat als der Fendt.
Eine Anhängerkupplung werden die Porsche wohl schon serienmäßig haben:
http://de.wikipedia.org/wiki/Porsche_Traktor
> Eine Anhängerkupplung werden die Porsche wohl schon serienmäßig haben...
Oh, das hätte mir gleich einfallen müssen:
so einer war letzten Sommer das Versorgungsfahrzeug zum Grillfest.
Fazit: Streiche Porsche, setze Ferrari ;-)
Lothar Miller wrote:
>> den Fed> Nein, er tuts schon wieder: das ist ein FET ;-)
Wieso, ist doch richtig: Wenn er durchbrennt, ist es ein Fed-Ex...
SCNR