Messaufbau für MOSFET (N) als Schalter

Ja wie, was???

Genau welchen Strom willst Du denn messen?
Den ins Gate? Oder den durch Drain o. Source?

Wenn Dir das Prinzip vom MOSFET klar sein sollte, und Dich der Strom ins 
Gate interessiert, so sollte Du ja wissen, daß bei Ansteuerung mit DC 
(aka Gleichspannung) nur ein extrem geringer Leckstrom fließt.
Anders sieht das dann bei dynamischen Signalen, z.B. bei Schaltflanken, 
aus. Hier kommt das kapazitive Verhalten des Gates zum Tragen.

Ein MOSFET ist eben ein spannungsgesteuerter Schalter und kein 
stromgesteuerter wie beim BJT.
Sobald sich die Spannung am Gate ändert, gilt es einen Kondensator 
um-/aufzuladen, und dabei fließt dann ein resultierender Strom. Der 
sollte vom Treiber, egal wie simpel oder komplex auch immer der aussehen 
mag, geliefert wwerden können. Je schneller der MOSFET also schalten 
soll, desto mehr Strom wird benötigt um den Kondensator auch schneller 
um-/aufladen zu können.
Diese dynamischen Ströme zu messen wird kein Zuckerschlecken, da hier 
teilweise schon der Prüfaufbau mit seinen parasitären Kapazitäten und 
Induktivitäten das Meßsignal stark verfälschen können.

Irgendwo gab es mal einen Thread, den ich auf die schnelle nicht 
gefunden habe, wo jemand Paramtermessungen an einem MOSFET gemacht hat. 
Er könnte Dir davon 'ein Lied singen', wie schwierig das werden kann.

Sobald Du also genau weißt welchen Strom Du unter welchen Bedingungen 
messen möchtest, kann man Dir sicher besser weiterhelfen.

Bis dahin, Tschau mit au.

Die Testschaltung ist eigentlich in jedem Datenblatt zu finden, wie z.B. 
hier auf Seite 5, Fig 10a, oder auch auf Seite 6, Fig13b.
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf

Nun brauchst du nur noch einen Impulsgenerator und einen passenden 
Mosfettreiber.

Bei den schnellen Schaltzeiten ist die Messung des Stromes aber alles 
andere als unkritisch:
Beitrag "Abschaltverhalten von Mosfets und IGBTs messen"

(U =128...160...190) macht meiner Meinung nach wenig Sinn, wenn es darum 
geht welche Spannung man für einen bestimmten Strom anlegen muss. Die 
Spannungen beeinflussen aber vor allem die Schaltzeiten. Außerdem 
schreibt er ja, er möchte den notwendigen Strom für richtiges 
(=schnelles?) Schalten wissen. Im Statischen Betrieb ist kein Strom 
notwendig.

>Ich will
>halt wissen welchen mindest Strom ich am Gate anlegen muss, damit der
>MOSFET richtig schaltet.
Hat sich damit nicht jede Diskussion erledigt?

Tja, der TE hat zweimal vom Strom ins Gate gesprochen, erst beim letzten 
mal sprach er von Spannungschwankungen am Gate. Wobei er erst von 
Spannungsschwankungen ((U = 128...160...190) sprach - also eher wieder 
die am Drain - oder? Was denn nu ... Manche TE's bringen es einfach 
nicht so richtig zustande, mal eine ordentliche Problembeschreibung zu 
formulieren, was mir aber auch so den Hinweis gibt, die wissen gar 
nicht, was ein Mosfet überhaupt so richtig ist ...

Aber mal grundsätzlich, so wie ich die Frage verstanden habe: ob ein 
Mosfet richtig (im statischen Sinne) durchschaltet, hängt in allererster 
Linie von der Gatespannung ab (bezogen auf Source - also Ugs). Die 
Drainspannung (also Uds) hat da praktisch nicht viel zu sagen (Du kannst 
also auch Uds=1V sicher mit derselben Ugs schalten, wie 230V). Ugs 
beeinflußt in erster Linie den Rdson, also Einschaltwiderstand (im 
Schalterbetrieb). Sinnvolle Ugs für sinnvolles Durchschalten liegt bei 
08/15-Power-Mosis bei 3-4V. Wenn Rdson möglichst niedrig werden soll, 
dann sollte man Ugs an den für den jeweiligen Mosi spezifizierten Ugsmax 
heranbewegen (mit etwas Sicherheitsabstand).
Was so all diese Abhängigkeiten bzw. Parameter für Werte haben, mußt Du 
im Datenblatt des jeweiligen Mosis nachschauen.
Über den Rdson und dem Drainstrom (also Id) kannst Du dann den 
Spannungsabfall berechnen, oder auch die Verlustleistung im Mosi.

gast3 schrieb:
> Dieser MOSFET ist in einem Netzteil integriert, daher die möglichen
> Spannungssschwankungen. Ob der MOSFET schnell schalten muss ist
> ersteinmal nicht so wichtig. Das wichtigste ist, dass er eben sicher
> schaltet, trotz SPannungsschwankungen am Gate.

Ob er 'schaltet' oder nicht hängt vom Arbeitspunkt ab. Der wiederrum ist 
abhängig vom Lastwiderstand und der Gate-to-Source-Spannung (Ugs) - dazu 
ist nur ein kurzer Blick in ein Datenblatt, und dort speziell auf das 
Diagramm wo der Drainstrom (Id) über die Ugs aufgetragen ist, nötig. 
Meistens sind dort mehrere Kennlinien eingezeichnet, die sich lediglich 
in der Temperatur unterscheiden.
Ermittle einfach den max. möglichen Laststrom, trage diesen Wert als 
gedachte horizontale Linie in das Diagramm ein, und am Schnittpunkt mit 
der Kennlinie gehe nach unten zur X-Achse und lese die dafür min. 
notwendige Ugs ab.
Bei Unterschreitung dieser Ugs arbeitet der MOSFET dann nicht mehr als 
Schalter, sondern als regelbarer Widerstand.
Das war's dann schon.