Nabend Leute, ich bin auf der Suche nach einer Möglichkeit eine 24V Last zu schalten. Dabei sollte verhindert werden dass die Last zurückspeisen kann. Die Verlustleistung am "Schalter" sollte so klein wie möglich sein. Folgende Überlegungen hab ich schon mal durchgespielt: - Relais scheidet aus da die Gefahr eines Verkleben der Kontakte besteht und diese zusätzlich zu gross ist - P-Kanal oder N-Kanal Fet würde wegen der BodyDiode das Rückspeisen ermöglichen. - P-Kanal mit source zur Last und dann mich einem Gatetreiber ansteuern => zu teuer - N-Kanal mit drain zur Last und mit einem Gatetreiber ansteuern => zu teuer - Diode gegen Rückspeisun => zu viel Verlustleistung da viele benötigt Kenn jemand sonst noch Möglichkeiten die Last ohne grosse Verluste zu schalten? Eine Möglichkeit die Rückspeisung zu vermeiden ohne viel Verlustleistung zu erzeugen würde auch reichen. Gruss und Danke, Georg.
Wenn eine Last rückspeisen kann, ist sie alles andere als eine Last.
@ Schorsch (Gast) >- Relais scheidet aus da die Gefahr eines Verkleben der Kontakte besteht Käse, dann ist es falsch dimensioniert >und diese zusätzlich zu gross ist Hmm. >- P-Kanal oder N-Kanal Fet würde wegen der BodyDiode das Rückspeisen >ermöglichen. Willst du nur High Side speisen oder Push-Pull? >- P-Kanal mit source zur Last und dann mich einem Gatetreiber ansteuern >=> zu teuer Wie schnell willst du schalten? >- N-Kanal mit drain zur Last und mit einem Gatetreiber ansteuern => zu >teuer Jaja, jammer noch ein wenig. Um wieviel tausend Stück deht es sich? Wieviel ist zu teuer? >Kenn jemand sonst noch Möglichkeiten die Last ohne grosse Verluste zu >schalten? Eine Möglichkeit die Rückspeisung zu vermeiden ohne viel >Verlustleistung zu erzeugen würde auch reichen. Klassische Verpolschutzschaltung mit P-Kanal MOSFET im Inverbetrieb. Beitrag "Re: Verpolungsschutz mit kleinem Spannungsabfahl" Beitrag "Verlustfreie Diode mit Fets" MFG Falk
Nabend, die Antisierelle Verschaltung der Fets sieht nicht schlecht aus. Allerdings addiert sich hier der Innenwiderstand und somit die Verlustleistung. IGBT scheidet auch aus da dort ja über 2V abfallen. Georg.
Schorsch schrieb: > die Antisierelle Verschaltung der Fets sieht nicht schlecht aus. > Allerdings addiert sich hier der Innenwiderstand und somit die > Verlustleistung. Ist das denn bei den heutigen FETs mit einem Rds(on) im Milliohmbereich tatsächlich relevant?
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