Hallo! Kennt jemand ne günstige Allerweltsdiode, die eine nennenswert größere trr als die 1N4006 bzw. 1N4007 hat? Semikron stellt einige Exoten her, fallen aber wegen der Kosten und Gehäuse flach. 1N4001 bis 5 sind 30% schneller. Soll für einen PIN-Diodenumschalter benutzt werden, der allerdings nicht bei einigen 100MHz läuft, sondern unter 1MHz. Nach einigen interessanten Stunden bin ich nun der Meinung, das es da nix gibt. Gruß - Abdul
Gast
#1397014
KYY 29/155 (155kV, 290mA) hat 1ms Manche alten dicken für Bahnstrom werden auch langsam sein. trr steigt mit der Temperatur http://www.youtube.com/watch?v=S1kpCaKzAAk
Öhem ja. Es scheint heute nicht nur den Dioden warm zu sein. 15V Sperrspannung würden reichen, dafür ein platinenmontierbaren Gehäuse bitte bitte. Gruß - Abdul
Such nach low leakage Dioden, die haben meist hohe trr so 1-2µs. zb BAS170 Dick, alt und Bahnstrom ist sicher auch eine Idee. MFG
Die 1N4006 und 7 haben je nach Quelle 3us bis 30us als Datenblattwert. Wobei das sowieso vom momentanen Strom abhängig ist und wie MaWin zeigte, auch drastisch von der Temperatur. Die BAS170 laut Datenblatt 100ps. ES IST EINE SCHOTTKY-DIODE! Mißverständnis? Gruß - Abdul
Gast
#1397954
P600
Gast
#1398001
Hallo Bastelmax, >P600 Hat auch nur 2,5µsec: http://www.vishay.com/docs/88692/p600a.pdf Ich habe hier einen ganz tollen Link passend zum Thema gefunden: http://www.cliftonlaboratories.com/diode_turn-on_time.htm Kai Klaas
Bastelmax: In welchen Datenblatt hast du für die P600 einen Wert für trr gefunden? Ich finde nix. Oder meinst du Dioden im P600-Gehäuse? Gibts nämlich auch. Eigentlich müßten auch Transistoren und Zenerdioden eine trr haben. Irgendwelche Werte habe ich aber bislang nie gesehen oder in Erinnerung. Ich befürchte, die 1N4006/7 ist das Ende der Fahnenstange, was die ordinären kaufbaren Typen angeht. Vielleicht wäre eine BPW34 o.ä. noch einsetzbar. Ist aber vom Strom her zu knapp (und zu teuer). Brauche ca. 1A Dauerstromfestigkeit. Na mal warten. Gruß - Abdul
Kai Klaas schrieb: > Hallo Bastelmax, > >>P600 > > Hat auch nur 2,5µsec: > > http://www.vishay.com/docs/88692/p600a.pdf > Danke. Hatte auch sowas im Gedächtnis, das die eher schnell ist. Ist aber Stand vor 20 Jahren. > > Ich habe hier einen ganz tollen Link passend zum Thema gefunden: > > http://www.cliftonlaboratories.com/diode_turn-on_time.htm > Zu spät. Kenne ich schon :-) Danke. - Abdul
Schau mal nach den Datenblättern von HF-Schaltdioden, wie z.B. BA244, wie sie in TV-Tunern usw. eingesetzt werden/wurden. Von PIN-Dioden unterscheiden sie sich dadurch, dass in der Zwischenschicht kein so reines Si verwendet wird, also PSN- anstatt PIN- Struktur. (s = schwach, gering dotiert i = intrinsic, ganz frei von Dotierung) Die Trägerlebensdauer ist nicht ganz so hoch wie bei PIN-Dioden, eventuell reichen diese Dioden bis 1 MHZ runter, aber gerade dort macht sich der Unterschied zwischen I- und S- Dotierung bemerkbar. PIN-Dioden reichen weiter in den tiefen Frequenzbereich als die PSN-Dioden (HF-Schaltdioden).
Gast
#1398139
Sorry, ich habe die P600 einfach mal so ins Spiel gebracht. War der Meinung "die ist ne ganz langsame"... Das die trr von 2,5us hat hab ich nicht auswendig gewußt. Nochmal sorry... Über diese PIN Dioden hab ich mal gelesen, der Effekt funktioniert nur bei hohen Frequenzen ab einigen MHz. Mit einem Gleichstrom der durch die Diode fließt, wird der Widerstand für HF gesteuert. Damit kann man also steuerbare Abschwächer bauen. Wenn ich das jetzt richtig verstanden habe willst du gar keinen Abschwächer sondern einen Diodenschalter für Frequenzen unter 1MHz bauen? Ist mit normalen Kleinsignaldioden wie 1N4148 keine Sache. Ich erinnere mich das ich mal einen Analog-10-Kanalumschalter (SN7442 = 4-LINE BCD TO 10-LINE DECIMAL DECODERS) als Oszilloskopvorsatz damit gebaut habe. Schaltplan habe ich nicht mehr.
Gast
#1398142
Wesenlich langsamer als etwa 50 µs wird man bei Silizium Dioden kaum finden, denn das ist etwa die Ladungsträgerlebensdauer in relativ reinem Silizium. Relativ reines Silizium ohne extra zusätze für eine kurze LEbnsdauer könnte man finden in den oben schon angesprochenen Dioden mit kleinen Leckströmen, in Fotodioden, besonders den IR Empfindlichen. Große Dioden sind da auch eher langsamer, damit sich der Strom besser verteilt. Bei der Spannung eher bei denen für hohe Spannung suchen, denn die sind weniger stark dotiert und dadurch eher langsamer.
Bastelmax schrieb: > Sorry, > ich habe die P600 einfach mal so ins Spiel gebracht. > War der Meinung "die ist ne ganz langsame"... > Das die trr von 2,5us hat hab ich nicht auswendig gewußt. > Nochmal sorry... Aber nur ausnahmsweise :) > > Über diese PIN Dioden hab ich mal gelesen, der Effekt funktioniert nur > bei hohen Frequenzen ab einigen MHz. Mit einem Gleichstrom der durch die > Diode fließt, wird der Widerstand für HF gesteuert. Damit kann man also > steuerbare Abschwächer bauen. > > Wenn ich das jetzt richtig verstanden habe willst du gar keinen > Abschwächer sondern einen Diodenschalter für Frequenzen unter 1MHz > bauen? Ich wüßte nicht, wo der prinzipielle Unterschied zwischen beiden Funktionen sein soll. Zumindest aus Sicht der Diode. > Ist mit normalen Kleinsignaldioden wie 1N4148 keine Sache. Ich erinnere > mich das ich mal einen Analog-10-Kanalumschalter (SN7442 = 4-LINE BCD TO > 10-LINE DECIMAL DECODERS) als Oszilloskopvorsatz damit gebaut habe. > Schaltplan habe ich nicht mehr. Habs gerade ausprobiert. Zumindest in LTspice funzt es besser mit der 1N4006 und zwar erheblich besser (50%). Gruß - Abdul
Gast
#1398232
Blöde Idee: Z-Dioden > 15V (wegen Deiner geforderten Sperrspannung). Sollten langsamer sein, musst Du aber selber testen. (gibt es ja auch für höhere Ströme)
Abdul K. schrieb: > Die BAS170 laut Datenblatt 100ps. ES IST EINE SCHOTTKY-DIODE! > Mißverständnis? meinte BAV170 MFG
Bei unter 1 MHz sollte man langsam an MOS-Schalter denken, da verlieren die PIN bzw PSN-Dioden die typische Eigenschaft, das HF-Signal nicht gleichzurichten, sondern für die HF vor allem als Ohmscher Widerstand zu wirken.
Matthias W. schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Die BAS170 laut Datenblatt 100ps. ES IST EINE SCHOTTKY-DIODE! >> Mißverständnis? > > meinte BAV170 > Laut Google auch nicht langsamer. Gruß - Abdul
Ich würde 1-2µs als langsam bezeichnen, beim Vergleich mit einer Schottky Diode.
Wir gingen von der 1N400x Familie aus und wollen langsamer werden. Die letzten Stunden habe ich nebenbei gegoogelt und es scheint nichts günstiges zu geben. Wenn der Preis egal ist, kann man welche für 10 Dollar aufwärts passend von Microsemi bekommen. Gruß - Abdul
Mein abschließendes Ergebnis: BAW84 BAW85 10us kein Datenblatt auffindbar. BA244 ist zu schnell. Mit einem Thyristor könnte es auch funzen. Blöd ist aber die große Restspannung. Danke auch noch an Peter und Ulrich für die physikalischen Kommentare. Gruß - Abdul
Gast
#1399426
Wenn man sich die Empfindlichkeit im IR bereich ansieht, sollten man bei Fotodioden (z.B. BP104) bis etwa 50 µs kommen. Viel mehr wird mit Silizium kaum gehen. Dann doch lieber CMOS schalter.
Beim längeren gestrigen Googeln kamen als Maximalwert 80-90us raus. Darüber soll es einfach zu teuer in der Herstellung sein. Dann las ich noch von einem Typ bei 1ms. Was für ein Material stand nicht dabei. Verwendet für VLF-Kommunikation. Prinzipiell würde ich auch Ge oder GeAs oder was anderes nehmen. Schaut man sicher aber z.B. den Preis einer AA118 an, dann läßt man das Suchen schnell sein. Habe ich dich richtig verstanden: Die maximale Wellenlänge gleich der Ladungsträgerzeit? Ja, da war mal was in der Richtung bei Fotodioden zu lesen. Lang ists her. Scheinbar ist man so auf dem Holzweg. Schade. Gruß - Abdul
>die maximale Wellenlänge gleich der Ladungsträgerzeit... In diesem Satz ist anscheinend Einiges durcheinandergemischt. (...länge und ..zeit) Es muss in der Aussage zur Trägerlebensdauer heißen: Wenn die Trägerlebensdauer länger ist als die Periodendauer des HF-Signals dann geht die Diodeneigenschaft verloren und das Verhalten "HF-Widerstand, durch Gleichstrom steuerbar" stellt sich ein. PIN-Dioden sind dabei das technisch erreichbare Optimum in bezug auf Trägerlebensdauer. Thyristoren und HV-Leistungsdioden erreichen zwar recht niedrige Widerstandwerte im Durchlasszustand, haben aber eine so hohe Kapazität im Sperrzustand, dass sie als HF-Schalter nicht geeignet sind. Dioden mit PIN- oder PSN- Aufbau haben eine besonders breite Sperrschicht und deshalb ein besonders gutes Verhältnis zwischen Kapazität im Sperrzustand und Durchlasswiderstand. PSN-Aufbau haben die sogenannten HF-Schaltdioden und auch die Gleichrichterdioden vom Typ 1N400X.
Danke für deinen Beirag. Allerdings meinte ich es so, wie ich schrieb. Les dir mal die einschlägige Literatur zu Fotodioden durch. EEG sollte da passende Artikel haben. Es geht um die Maximierung einerseits der Wahrscheinlichkeit, das ein Photon spontan in der Einfangzone der Fotodiode aktiv wird, andererseits der sich ergebende Ladungsträger dann aber auch den Kontaktierungsbereich der Diode erreicht. Beides muß passen. Ich glaube bei der Beschreibung der EEG Single-Pulse Fotodioden ist es sehr genau beschrieben. Könnte sein, das bei Dioden oft der PSN-Aufbau vereinfacht als PIN-Aufbau beschrieben wird. Gruß - Abdul
Gast
#1400141
>Prinzipiell würde ich auch Ge oder GeAs oder was anderes nehmen. Schaut >man sicher aber z.B. den Preis einer AA118 an, dann läßt man das Suchen >schnell sein. AA118 kostet bei Angelika 0,44€ / So what?
Gast
#1400219
> eine nennenswert größere trr als die 1N4006 bzw. 1N4007
Ladungslebensdauer einer BAR 12-5 sind 6uSekunden.
Aber wo keine Filter da keine lahmen Dioden, so ein Pech.
Die AA118 ist zu schwach was den Strom angeht. Wo hast du ein Datenblatt mit trr für diese Diode gesehen? Die BAR12-5 finde ich überhaupt nicht. Gruß - Abdul
Gast
#1401292
Damit eine Fotodiode auf Langwellige Strahlung reagiert, sollte die Ladungsträgerlebensdauer lang sein. Je länger die Wellenlänge, desto weiter dringt das Licht ein. Damit die Elektronen noch genug zeit haben um zum PN Übergang zu diffundieren braucht man eine lange Ladungsträgerlebensdauer. Von daher gibt es einen Zusammenhang zwischen Empfindlichkeit bei großen Wellenlängen und der Ladungsträgerlebensdauer. Früher hat man die Ladungsträgerlebendauer auch schon mal über die Wellenlängenabhängigkeit der Empfindlichkeit bestimmt. Es gibt aber auch noch ein paar andere Effekte die da mit reinspielen (verspiegelte Rückseite, Punkt-kontakte, Entspiegelung). Ein anderer Grund, wieso für Fotodioden Material mit langer Ladungsträgerlebensdauer bevorzugt wird, ist dass mit langer Lebensdauer auch der Dunkelstrom und damit das Rauschen sinkt. Die rund 80 µs als mximalwert für Silizum klingen plausibel. Die Längste Zeit, die ich gemessen habe waren 50-60µs für eine kleine, wirklich gute Solarzelle (Labormuster, ca. 22% Wirkungsgrad). Einfache Fotodioden wie die BP104 sind mit unter 1 EUR noch erschwinglich. Und auch nicht so groß das man die nicht mehr vernünftig auf einer Platine unterbringen kann. GaAs wird als direkter Halbleiter kaum lange Lebensdauern geben können. Die Alternative wären Natürlich FETs als Schalter.
Für meine Anwendung habe ich diese Idee eh schon längst ad akta gelegt. Bei den Fotodioden findet man leider keine Werte für trr oder max. Strom. Aus den Datenblattwerten sehe ich auch keinen Weg diese Werte indirekt abzuschätzen. Bis auf die Sache mit Wellenläge proportional Ladungsträgerlebensdauer. Wie sieht das bei anderen Halbleitern aus? Mir fallen da ein: 1. Kupferoxydul 2. Peltierelemente Rein aus akademischer Neugier und vielleicht braucht jemand diesen Thread mal für was anderes in diese Richtung. Gruß - Abdul
Gast
#1401643
Da ist keine direkte Porportionalität zwischen Lebensdauer und Wellenlänge. Auch wenn die Langwellige Grenze von der Lebensdauer abhängt. Wenn schon müßte man den Zusammenhang zur Eindringtiefe der Strahlung sehen. Einen maximalen Strom findet man gelegentlich bei Fotodioden, aber eher selten, ist alt nicht die typische Anwendung. Begrenzend ist da ja die Erwärmung und der Bonddraht. Bis etwa 10 mA sollte man entsprechend bei den nicht extra kleinen Typen recht sicher gehen können, wahrscheinlich auch noch etwas weiter. Die Halbleiter in Petierllementen sind extrem stark dotiert, die Ladungsträgerlebensdauern entsprechend eher klein. Auch hat man hier gar keine Diodenfunktion oder ähnliches. Ein große Messung von Trr bzw. der Ladungsträgerlebensdauer, was sehr ähnlich ist, ist ja auch nicht so schwer.
Gast
#1402775
Hallo Abdul, da fällt mir gerade noch etwas ein. In einer Application Note habe ich mal gelesen, daß unidirektionale Transzorbs zwar eine unheimlich schnelle "forward recovery time" aufweisen, aber eine lausige "reverse recovery time". Leider sind viele dieser alten Application Notes nicht mehr zu finden, nachdem Vishay die entsprechenden Firmen aufgekauft hat und SGS-Thomson einen auf "Global Player" macht. Kai Klaas
Hallo Kai - Wenn das intern Thyristoren sind, dann kann ich mir das vorstellen. Hm, vielleicht mal LTspice mit einem diskret aufgebauten Thyristor aus zwei Transistoren anwerfen... Weiß nicht, ob die SPICE-Modelle hinreichend nah an der Physik laufen. Und dann ist die Frage, was da unter 'lausig' gemeint ist. Ist ja relativ. Gruß - Abdul
Gast
#1403257
Hallo Abdul, >Und dann ist die Frage, was da unter 'lausig' gemeint ist. Ist ja >relativ. Ich glaube, ich habe diese Application Note gefunden: http://bepmel.likes.org/Dossiers_techniques/Alarme_Sintony_EP1_2002/CD_ELEVE/Alarmes/images/Docs-constructeurs/Diodes/N-A-Transil.pdf Kai Klaas
Gast
#1403319
Hallo Abdul, hier noch ein anderer Link. Bis zu 3msec für TVS über 100V: http://application-notes.digchip.com/002/2-3233.pdf Kai Klaas
Hallo Kai - Interessant! Über die erste App Note bin ich schonmal gestolpert - aber wohl in anderem Zusammenhang. Nun habe ich mal per Google nach Transils quergelesen, aber keine langsamen trr Angaben gefunden. Auch scheint mir dann das Modell der Zenerdioden in LTspice grundsätzlich unzureichend, da dort keine trr Angaben vorhanden sind. Bei ähnlichen Bauelementen fand ich auch keine Angaben. Claire, littlefoot, STM abgeklappert. Hast du irgendwo nähere Angaben gesehen? Gruß - Abdul
Gast
#1403434
Hallo Abdul,
>Hast du irgendwo nähere Angaben gesehen?
Nein, leider nicht. Wahrscheinlich hat man Angst davor, eine langsame
"reverse recovery time" zu veröffentlichen, wenn man das Teil als
"ultraschnell begrenzend" verkaufen möchte, obwohl das eine ja mit dem
anderen nichts zu tun hat.
Kai Klaas
Nachtrag: Die Zenerdioden-Modelle von ROHM enthalten teils trr Angaben. Alle viel schneller als 1N4007. Außer der hier mit 7us: http://www.rohm.com/products/spice/rec/lib/rr264m-400.lib Gruß - Abdul
Kai Klaas schrieb: > Hallo Abdul, > >>Hast du irgendwo nähere Angaben gesehen? > > Nein, leider nicht. Wahrscheinlich hat man Angst davor, eine langsame > "reverse recovery time" zu veröffentlichen, wenn man das Teil als > "ultraschnell begrenzend" verkaufen möchte, obwohl das eine ja mit dem > anderen nichts zu tun hat. > Das sehe ich mittlerweile auch so. Daß das Bauelement künstlich 'an' bleibt auch nach dem eigentlichen Transienten, macht sich bei der Betrachtung der Verlustleistung je nach Vorschaltung hin zum Generator, unter Umständen, auch nicht sonderlich heilvoll. Man lernt nicht aus! Nachtrag: Die Rohm-Diode ist 400V/1A: http://www.rohm.com/products/discrete/diode/rectifier/rr264m-400/ Gruß - Abdul
Ich biete 10µs: SKEa1 von Semikron. Leider gibts weder bei Semikron noch bei Diotec, die die Kleindioden von Semikron übernommen haben, vernünftige Datenblätter aktueller Dioden. Spice-Modelle ebenfalls Fehlanzeige. Arno
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