Hallo ich suche einen N-Mosfet mit herausgeführtem bulk/substrat. Ich habe bisher nur Mosfets gesehen bei denen das Substrat direkt mit source verbunden ist. Über Hinweise/Artikelnummer wäre ich sehr dankbar. Am besten ein Fet mit RDSon im milliOhm bereich
> ich suche einen N-Mosfet mit herausgeführtem bulk/substrat. > Ich habe bisher nur Mosfets gesehen bei denen das Substrat direkt > mit source verbunden ist. Ja, dann hast du den Bulk doch über die Source mit rausgeführt... :-/ Könnte es sein, dass es das gar nicht gibt, was du willst? Warum brauchst du sowas überhaupt?
Es ist richtig, dass das Bulk über die Source mit rausgeführt ist wenn die beiden miteinander verbunden sind. In meiner Anwendung möchte ich aber das Bulk auf ein anderes Potenzial legen wie die Source. Das Bulk soll auf -10V gelegt werden, damit die Substratdioden immer Sperren, wenn an der Source-Drain Strecke Spannungen zwischen +10V und -10V anliegen. In ICs wird öfters der Bulk nicht mit Source verbunden. Die Frage ist ob es das auch für einen einzelnen Fet gibt.
Gast
#1569547
Zwei matchende N-Kanal-MOSFETs für Stromquellen und Stromspiegel, leider nicht Deine Leistungsklasse: ALD1101 http://www.ife.tugraz.at/Elektronik/Winkler/dim/Datenblatt/Transistor/ALD1101.pdf
Gast
#1569630
Schwächere Einzelmosfets mit Substratanschluss gab es wohl schon und wurden m.W. auch hier im Forum schon diskutiert. Ich kann mich aber leider weder an die Bezeichnung erinnern noch den Thread wiederfinden. Auch im CD4007 stecken Mosfets, die teilweise mit unabhängigem Substrat- anschluss genutzt werden können. Was du aber suchst, ist ein Leistungsmosfet, den es m.W. nicht mit ge- trenntem Substratanschluss gibt. So etwas ist wohl herstellungstechnisch schwer machbar, und einer der häufigsten Anwendungsfälle, ein bidirek- tionaler Schalter, kann meist auch mit zwei antiseriell geschalteten gewöhnlichen Leistungsmosfets realisiert werden. Deswegen ist die Nachfrage nach solchen Teilen zu gering, als dass sich der größere Herstellungsaufwand lohnen würde. Falls es so etwas aber doch geben sollte, wäre ich ebenfalls an einer Typbezeichnung interessiert :)
Wenn ich das mit dem Body-Kram richtig verstanden haben erhöht ein Spannungsunterschied zwischen Source und Bulk die nötige Gate-Spannung um den transistor durchzusteuern...
Der Bulkanschluss ist eine 2te Steuerlektrode womit der Fet vorgespannt wird. Wird in Analogschaltern so gemacht, sodas der Rdson der Schalter unter anderen Konstant bleibt.
Der Bulk Anschluss ist definitiv eine 2te Steuerelektrode. Ein herausgeführter Bulk-Anschluss kann zum Vorspannen verwendet werden. Für meine Anwendung wollte ich so Vorspannen, dass die Diode zwischen Drain und Substrat und zwischen Source und Substrat immer Sperren, damit Der Transistor wirklich nur dann durchschält, wenn ich es möchte. Da tatsächlich so gut wie keine Fets mit rausgeführtem Bulk zu haben sind, kann man wie bereits erwähnt auch 2 Fets gegeneinander verschalten. Das führt dazu dass wirklich nur Storm über den Kanal fließt und nicht etwa über die Substratdioden.
Gast
#1653435
Sodele...
ich hab selber auch dasselbe gesucht und man googelt halt doch sehr oft
sehr schnell hierher und ich hab die Lösung erst einiges später wo ganz
Anderst gefunden. Der
"BSS83" (ohne P!!!)
hat das Substrat extra, ist jedoch >0,40Eur und auch nicht so schnell
bei einem Händler zu finden. Conrad und Reichelt haben ihn nicht, nur
den mit ...P der ein gewöhnlicher p-kanal-MOSFET ist ohne
Substratanschluss.
Rice schrieb: > "BSS83" (ohne P!!!) Super! Du hast damit eine Frage beantwortet, die in diesem Forum schon sehr oft gestellt worden ist. Kaufen kann man das Teil übrigens bei TME, Digikey, Farnell, RS usw., es scheint also nicht sooo exotisch zu sein. Was mich etwas wundert, dass der BSS83 und der BSS83P fast die gleiche Bezeichnung haben, obwohl es völlig unterschiedliche Mosfets sind. Da scheinen sich wohl Infineon und NXP (bzw. Siemens und Philips) nicht abgesprochen zu haben. Ich schätze, das 'P' wurde von Siemens angehängt, nachdem das Versehen offensichtlich wurde ;-)
'P' wie nicht-Siemens, aber Philips lol Was kann man mit dem Teil nun machen?
Hab mal ne Liste angelegt. Ist nun vermutlich ne komplette Marktübersicht: Haben alle Substratanschluß. Sonstige Eigenschaften beliebig. BSD22 SD210 Serie, SST210 Serie mic94030, mic94031 BSV81 (uralt und tot) Datenblatt konnte ich nicht finden! Das Array CD4007 wurde ja schon öfters erwähnt. Eventuell auch NTE464/465 - ist im Datenblatt nicht gut verifizierbar. NTE produziert wohl auch nicht selbst, sondern labelt nur um??
Abdul K. schrieb: > BSD22 > SD210 Serie, SST210 Serie > mic94030, mic94031 > BSV81 (uralt und tot) Datenblatt konnte ich nicht finden! Da kommt ja doch noch einiges zusammen :) Darf ich fragen, wie du diese Teile gefunden hast und wie du zum Schluss kommst, dass die Übersicht wahrscheinlich komplett ist? Das Datenblatt des BSV81 gibt's übrigens im www.datasheetarchive.com. Aber Kaufen ist wohl tatsächlich schwierig.
Google und ca. 1 Stunde Arbeit. Hat mich mal grundsätzlich interessiert. SD5000 und SD5400 gibts noch. Zu meinem Schluß komme ich durch Lebenserfahrung. Kann natürlich falsch liegen. Tritt doch den Gegenbeweis an ;-) Naja, habe dem BSV81 dann nach lesen der ersten Infos nicht mehr energisch nachgeforscht. Wenn man ihn nicht mehr kaufen kann, is eher sinnlos. Trotzdem danke, hatte nicht alle DS Archive abgeklappert.
Gast
#1654725
Nuja was man damit ganz besonderes machen kann weis ich grad auch nicht oder anderst gesagt so einfach wie ich es mir vorgestellt ist s doch wieder nicht hatte... vielleicht verwede ich sowas am Ende gar nicht grins Eigentlich hab ich die Suche auch v.A. aus reinem Interesse veranstaltet... am Ende kam der Durchbruch dadurch, dass ich nicht mehr nach Substratanschluss gesucht hab sondern nach BULKanschluss und tätä der Link steht schön weit oben( Suche > fet bulkanschluss < in google) http://www.elektronik-kompendium.de/forum/forum_entry.php?id=79248&page=9&category=Bauelemente&order=time Danke fürs Suchen von den Anderen mit Substratanschluss
Aha. Naja, was solls. Manchmal habe ich bei der Suche <anderer Fragestellungen> meine eigenen Postings mit den Antworten gefunden. Die eigene Festplatte mal durchwühlen zu lassen, kann genauso ausgehen. Ich bin mir aber nicht sicher, ob Bulk und Substrate IMMER das gleiche ist. Um auf deine ursprüngliche Frage zurückzukommen: Nein, einen im milliohm-Bereich UND Substrat/Bulk wirste ganz sicher nicht finden. Zur Anwendung: Als Levelshifter für i2c, SPI usw.
Ich habe grade durch Zufall das hier gefunden: http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_gate Ist das nicht im prinzip der richtige Fachbegriff für die Teile?
Gast
#1760817
Fabian S. schrieb: > Ist das nicht im prinzip der richtige Fachbegriff für die Teile? Nein. http://www.utdallas.edu/~bhaskar.banerjee/Site/EE7V82_files/MOSFET%20Basics.pdf
Gast
#1761121
Bulk und Substrat sind nicht immer "dasselb" (kurzgeschlossen). Grund ist der, dass ein sogenannter "substrat-effekt" auftreten kann. Wenn du z.b. mehrere N-Mos oder P-Mos hintereinander schaltest liegen die Bulk anschlüsse nicht mehr auf Masse bzw. Bezugspotential der Schaltung. Dadurch ändert sich die Spannung um in den Abschnürbereich zu kommen (der Bereich, wo die Kiste leitfähig wird). Deshalb gibt es welche mit und welche ohne herausgeführtem bulk anschluss.
Gast
#1761300
Ali schrieb: > Bulk und Substrat sind nicht immer "dasselb" (kurzgeschlossen). > Bulk ist der Substratanschluss ob herausgeführt oder nicht ist erstmal egal. Bulk=Substrat=Body > Grund ist der, dass ein sogenannter "substrat-effekt" auftreten kann. > Wenn du z.b. mehrere N-Mos oder P-Mos hintereinander schaltest liegen > die Bulk anschlüsse nicht mehr auf Masse bzw. Bezugspotential der > Schaltung. der integrierten Schaltung, nicht beim diskreten Einzelmosfet. Siehe Tietze/Schenk http://books.google.com/books?id=Px0vPa1cEFQC&pg=RA1-PA201 > Dadurch ändert sich die Spannung um in den Abschnürbereich zu > kommen (der Bereich, wo die Kiste leitfähig wird). > > Deshalb gibt es welche mit und welche ohne herausgeführtem bulk > anschluss. Ja integrierte Schaltkreise auch bipolar mit Substrat/Bulk-Anschluss. Will sagen deine Begründung kann so nicht gelten für den diskreten Einzeltransistor. Java-Applet Bodyeffekt http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor3.htm Webbasiertes exploratives Tutorial zur Lehrveranstaltung EIS "Funktionsweise des MOS-Transistors"
Gast
#1763018
Hi!
>dass die Übersicht wahrscheinlich komplett ist?
Ich hätte noch SMY50/51/60 im Angebot, alt und Ost aber immerhin.
Schönen Tag noch , Uwe
Gast
#1763037
Ich hatte vor Jahren mal einen 2N4351 gebraucht: http://www.linearsystems.com/datasheets/2N4351.pdf http://www.futureelectronics.com/en/Technologies/Product.aspx?ProductID=2N4351CALOGIC2697621 Kai Klaas
Gast
#1763079
Ich würde einen IGBT nehmen, der hat keine Body-Diode
Gast
#1764722
Hallo! Kannst du kurz was zu deiner Anwendung sagen? Ich mache mehr Leistungselektronik und benutze Mosfets eigentlich nur zum Schalten, nur manchmal analog. Wenn ich möchte, dass die Body-Diode eines Mosfets zwischen -10V und +10V nicht leitend wird, würde ich das Source-Potenzial auf -10V legen und die Ansteuerung "verlagern", und kann so einen "normalen" Mosfet benutzen. Gruß Martin
Gast
#1868635
Hallo zusammen. Da ich grad auch das Problem mit der Body Diode hab, will ich das Thema mal nochmal ausgraben. Ich stehe vor folgender Aufgabe: Es gilt mehrere Thermoelektrische Module variabel miteinander zu verschalten, also je nach dem in Reihe oder Parallel oder eine Mischung. Grund hierfür ist, dass je nach Temperaurdifferenz eine andere Spannung anliegt und die Ausgangsspannung immer so um die 13,5V sein muss. Vielleicht noch zum Thermoelement, es kann wie eine Solarzelle betrachtet werden, das ist den meisten wahrscheinlich geläufiger. Ich habe so eine Schaltung mit Relais aufgebaut und das funktioniert auch. Da Relais aber viel Platz brauchen, muss auf Halbleiter ausgewichen werden. Ich dachte, dass ich das mit Leistungs-MOSFETs machen kann, das geht aber nicht, da diese im Sperrzustand trotzdem in die entgegengesetzte Richtung über die bauartbedingte Diode leiten. (Vgl: http://de.wikipedia.org/wiki/Transmission-Gate#Aufbau) Mit Bipolartransistoren oder IGBTs oder etwas in der Art würde es funktionieren, jedoch fällt daran ne recht große Spannung ab, die in der Reihenschaltung aufaddiert zu große Verluste bringt. Solid-State Relais leiten auch in Sperrrichtung über die besagte Diode. Was mir noch einfällt ist es, ein Transmission-Gate zu finden oder zu bauen, das 10A kann. Vielleicht hat ja jemand von euch ne Lösung oder ne Idee wie ich da weiter machen kann. Schönen Dank schonmal...
Wie wäre es einfach alle in Serie/Parallel was auch immer und dann nen Step-Up/-Down Wanlder hinter tun? Ist deutlich kleiner, es leidet die Effizienz halt ein wenig. Dafür hast du immer optimale Spannung.
Gast
#1869667
Ja das wäre viel einfacher. Ich schreibe meine Abschlussarbeit über verschiedene Konzepte. Daher will ich das wie beschrieben realisieren und mit nem Spannungswandler vergleichen.
Dann fällt mir nichts besseres ein als Relais. :-/
Gast
#1872227
Tja, mir leider auch nicht ;-) Danke für deine Antwort!
Gast
#1872688
Du könntest jeweils zwei Mosfets in entgegengesetzter Richtung in Reihe schalten, so dass immer eine der beiden Body-Dioden in Sperrichtung betrieben wird.
Gast
#1872700
... Ich dachte, dass ich das mit Leistungs-MOSFETs machen kann, das geht aber nicht, da diese im Sperrzustand trotzdem in die entgegengesetzte Richtung über die bauartbedingte Diode leiten ... Wurde weiter oben schon vorgeschlagen: zwei MOS-Transistoren antiseriell schalten.
Gast
#1872728
Das habe ich gesehen, jedoch ist das nicht geeignet, weil an der Diode eine recht große Spannung abfällt. Bei Reihenschaltung der 16 Module wären das 15 Dioden mit jeweils etwa 0,65V -> 9,75V.
Gast
#1873468
> Das habe ich gesehen, jedoch ist das nicht geeignet, weil an der Diode > eine recht große Spannung abfällt. Bei Reihenschaltung der 16 Module > wären das 15 Dioden mit jeweils etwa 0,65V -> 9,75V. Die Body-Dioden sind jeweils parallel zum Transistor; wenn der MOSFET an ist, fließt kein Strom mehr durch die Diode und der Spannungsabfall wird ziemlich klein; allerdings immer noch doppelt so groß wie bei einem einzelnen MOSFET.
Gast
#1873905
Au man, jetzt hab ich die Antiserielle Schaltung so oft gesehen und nie hab ich ausprobiert, weil ich dachte, dass der Strom durch den Kanal vom einen Transistor und über die Diode vom anderen geht wenn ich durchschalte. Habs jetzt mal ausprobiert und war sehr sehr positiv überrascht. Ich wusste nicht, dass ein MOSFET in beide Richtungen leitet! Vielen Dank!!!
Antwort schreiben
Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.